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EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand-flash

TMS320C64x的16-bit Flash加載的可行性分析與實現(xiàn)

  • 　　l 引言 　　在仿真環(huán)境下調(diào)試DSP板程序之后，還有一項重要的工作要做：怎樣實現(xiàn)程序代碼的脫機(jī)加載。TMS320C6000系列DSP提供了3種引導(dǎo)方式：不加載、HPI加載以及Flash (ROM)加載。實際應(yīng)用中，多采用外接Flash來加載程序代碼。此種方法簡單、靈活、成本低，因而受到廣大工程技術(shù)人員的青睞。由于開發(fā)的DSP系統(tǒng)應(yīng)用板最終要脫離仿真器獨立運(yùn)行，而TMS320C64x系列DSP本身不帶這樣的存儲體，掉電后程序及數(shù)據(jù)就會丟失。這就需要1個能在斷電后保存程序及初始化數(shù)據(jù)的存儲體。Flash
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分析師稱NAND閃存市場可能再次面臨崩潰

  • 　　在最近發(fā)生了產(chǎn)品種類短缺和平均銷售價格走平之后，NAND閃存市場可能會再一次崩潰。 　　據(jù)Needham&Co.LLC公司位分析師EdwinMok稱，全球最大的NAND閃存買主蘋果計算機(jī)公司在12月和1月期間減少了三種類型NAND閃存芯片的采購?，F(xiàn)在NAND閃存還沒有殺手應(yīng)用。這些因素都會對NAND閃存市場產(chǎn)生影響。 　　Mok稱，蘋果在2006年就曾采取過同樣的減少采購的行動，導(dǎo)致了2006年1至9月NAND閃存芯片的供應(yīng)量超過了需求的70%和價格的下降。 　　這位分析師稱，雖然自從2
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內(nèi)存產(chǎn)業(yè)2008年再纏斗 戰(zhàn)線不斷擴(kuò)大

  • 　　快閃內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的發(fā)展在2007年有點出乎各界意料，整個產(chǎn)業(yè)的高點反而是落在第一季底，第二、三季深受NAND Flash缺貨所苦，大家的發(fā)展反而綁手綁腳，一路往下滑;2007下半年不但沒有傳統(tǒng)的消費性電子產(chǎn)品旺季出現(xiàn)，反而NAND Flash價格劇烈的忽上忽下，可說是一團(tuán)混亂，終于2007年第四季面臨了NAND Flash崩跌走勢，雖然大家對于「寒流」來襲，都已有心理準(zhǔn)備，但仍是不敢大意。 　　TRI觀點： 　　2007年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的變化多端，出乎大家的意料，然而其中影響甚巨的一個事件，就是Samsun
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基于USB息線的MC68HC908JB8 Flash在線編程

  • 本文采用USB接口的ICP方法，燒寫速度快，無需專用的電平轉(zhuǎn)換芯片，硬件通過微處理器JB8的USB接口與計算機(jī)USB口連接即可。
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Gartner:08全球半導(dǎo)體設(shè)備開支將降9.9%

  • 　　據(jù)市場研究公司Gartner最新發(fā)表的研究報告稱，2008年全球半導(dǎo)體設(shè)備開支預(yù)計將達(dá)到403億美元，比2007年的448億美元減少9.9%。 　　Gartner半導(dǎo)體生產(chǎn)事業(yè)部副總裁KlausRinnen稱，2007年的特點是DRAM內(nèi)存不顧供過于求的現(xiàn)實繼續(xù)加大投資、NAND閃存開支增速減緩和代工廠商恢復(fù)開支的狀況令人失望。在2008年，我們預(yù)計隨著DRAM內(nèi)存市場將糾正資本開支的長期錯誤，半導(dǎo)體主要設(shè)備市場的開支將減少。代工廠商開支增長速度減緩和由于擔(dān)心美國經(jīng)濟(jì)衰退而采取的謹(jǐn)慎態(tài)度都是造成20
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供大于求 明年NAND閃存市場難以復(fù)蘇

  • 　　比特網(wǎng)(ChinaByte) 12月27日消息(羽人 編譯) 據(jù)國外媒體報道，內(nèi)存模塊制造商消息人士稱，NAND閃存市場仍將處于供大于求的局面，這不僅對現(xiàn)貨市場造成了影響，而且還影響了12月份中下旬的產(chǎn)品合同價格。 　　12月份中下旬的8Gb MLC芯片的合同價格下降了13-25%，平均為3.48美元，而16Gb MLC芯片的價格下跌了21-25%，至6.52美元，而SLC芯片由于限制了的產(chǎn)量，價格沒有出現(xiàn)大幅滑落。 　　NAND閃存合同價格的下降，主要是由于蘋果每年戰(zhàn)略性削減其12月份的NAND
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2008：巨型晶圓廠初露鋒芒

  • 　　以DRAM和Flash為代表的存儲器平均銷售價格(ASP)自去年年初以來經(jīng)歷了令人震驚的下滑。隨著現(xiàn)貨價格與合約價格不斷創(chuàng)下新低，價格壓力充斥著整個上一季度。由于價格走低，對于NAND閃存等存儲器的需求正在升溫。呈井噴之勢的預(yù)測數(shù)字顯示出我們當(dāng)前正處在黎明前的黑暗階段，一個巨大而不斷增長的市場即將出現(xiàn)。某些預(yù)測顯示NAND閃存需求量將從2006年7,370億兆字節(jié)增長至2011年的33.5萬億兆字節(jié)。 　　大舉擴(kuò)產(chǎn)NAND閃存 　　低價同時也推動了需求的增長，使得部分廠商出現(xiàn)供給不足。以東芝(To
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采用AVR Flash微控制器的電動車窗防夾系統(tǒng)

  • 　　汽車上可自動關(guān)閉的電動車窗或車門設(shè)備潛藏著卡死，擠壓以及可能傷人的危險。它們必須能夠反向移動以防止馬達(dá)所施加的力超出正常限制。這種特性意味著必須持續(xù)監(jiān)視速度、電流和玻璃的位置。 　　由于成本和簡化的原因，本文所描述的系統(tǒng)使用普通的帶有霍爾效應(yīng)傳感器的刷式馬達(dá)。基于速度和扭矩導(dǎo)數(shù)的檢測算法已通過健壯性和容錯性的驗證。該算法可用于所有帶有A/D 轉(zhuǎn)換器和通過變化引發(fā)中斷的I/O 口的AtmelAVR Flash 微控制器。本文描述的是基本原理，Atmel網(wǎng)站上的應(yīng)用筆記有關(guān)于實現(xiàn)的詳細(xì)描述。 　　現(xiàn)代
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NAND Flash進(jìn)軍NB/PC應(yīng)用領(lǐng)域 借以擴(kuò)大市占率

  • 　　拓墣產(chǎn)業(yè)研究所(Topology Research Institute)針對NAND Flash應(yīng)用市場發(fā)表研究報告指出，2008年起，除了由原手持式消費電子產(chǎn)品將繼續(xù)大量采用NAND Flash作為儲存裝置外，NAND Flash將通過NB與PC的采用，以混合式硬盤或固態(tài)硬盤(SSD)的產(chǎn)品型態(tài)，逐步擴(kuò)大市場占有率，市場需求將從2007年的6.7%增長至15.3%。 　　拓墣表示，NAND Flash在過去幾年快速擴(kuò)充產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域，從2004年產(chǎn)品應(yīng)用比例最高的數(shù)碼相機(jī)，到2006年MP3 Pla
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iSuppli調(diào)低08年半導(dǎo)體預(yù)期

  • 　　市場研究機(jī)構(gòu)iSuppli以全球經(jīng)濟(jì)不景氣為由，調(diào)低了2008年全球半導(dǎo)體市場銷售收入預(yù)期，不過對于整個市場形勢仍持樂觀態(tài)度。 　　據(jù)國外媒體報道，iSuppli的最新預(yù)期顯示，2008年全球半導(dǎo)體銷售收入將增至2914億美元，較2007年2709億美元(評估數(shù)據(jù))增長7.5%，而iSuppli今年9月份預(yù)測的增幅為9.3%，預(yù)期增幅減少了1.8個百分點。 　　iSuppli表示，2008年半導(dǎo)體市場將受到了能源成本上升的不利影響，美國經(jīng)濟(jì)2008年的預(yù)期并不樂觀，而美國經(jīng)濟(jì)的影響力自然會波及全球
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東芝推出首個對應(yīng)多值技術(shù)的大容量NAND閃存

  • 　　東芝今天宣布即將推出搭載世界上首個對應(yīng)多值技術(shù)的大容量NAND閃存(多值NAND)的行業(yè)內(nèi)最大級別128Gb的SSD(Solid State Drive：固態(tài)硬盤)產(chǎn)品，主要用于計算機(jī)。計劃2008年第一季度出貨，并同時開始量產(chǎn)。在此之前，東芝將于明年1月7日-10日在美國拉斯維加斯召開的世界最大規(guī)模的家電展中亮相該新產(chǎn)品。 　　目前的SSD，采用高速雙值NAND閃存，和HDD相比，高速、體積輕，但也存在容量小、成本高的問題，目前還沒有真正普及。因此，搭載可以提高每個器件容量的普及型多值NAND的S
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對MC68HC908內(nèi)Flash在線編程的一種方法

  • 本文以MC68HC908QY4為例，詳細(xì)分析如何利用監(jiān)控ROM程序?qū)崿F(xiàn)對單片機(jī)片內(nèi)Flash的在線編程和應(yīng)用。
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基于FPGA的串行Flash擴(kuò)展實現(xiàn)

  • 　　1 引言 　　FPGA憑借其方便靈活、可重復(fù)編程等優(yōu)點而日益被廣泛應(yīng)用;閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等優(yōu)點，在眾多領(lǐng)域中也獲得了廣泛應(yīng)用。在現(xiàn)代數(shù)字電路設(shè)計中。經(jīng)常需要保存大量數(shù)據(jù)，而Flash存儲速度快、體積小、功耗低且價格低廉，可在線電擦寫，信息在掉電后不會丟失，因此成為設(shè)計人員的首選。 　　2 M25P80的介紹 　　Flash是一種具有電可擦除的可編程ROM，可以分為兩大類：并行Flash和串行Flash。并行Flash存儲量大，速度快;而串行Fl
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DRAM市場基礎(chǔ)繼續(xù)惡化 預(yù)計08年資本開支下滑超過30%

  • 　　Friedman Billings Ramsey & Co. Inc.(FBR)分析師Mehdi Hosseini日前表示，“根據(jù)三星日前的報告，我們分析2008年上半年DRAM內(nèi)存市場基礎(chǔ)繼續(xù)惡化，大多數(shù)DRAM供應(yīng)商，尤其韓國之外的廠商2008年資本開支出現(xiàn)大幅削減?！? 　　預(yù)計2008年，DRAM領(lǐng)域的資本開支將下滑超過30%，原來預(yù)計下降20%。這將導(dǎo)致總體內(nèi)存資本開支減少10-12%。 　　在DRAM市場經(jīng)歷了漫長的低迷之后，該市場仍然存在嚴(yán)重的供過于求情況?！斑@主要由于按容量計
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各類器件增長強(qiáng)勁 出貨量增長率預(yù)測調(diào)高

  • 　　據(jù)市場調(diào)研公司ICInsights，2007年IC單位出貨量有望增長10%。該公司先前的預(yù)測是增長8%。 　　ICInsights將調(diào)高增長率預(yù)測歸因于以下器件的出貨量強(qiáng)勁增長：DRAM(上升49%)、NAND閃存(上升38%)、接口IC(增長60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換IC(上升58%)和汽車相關(guān)的模擬IC(上升32%)。 　　ICInsights表示，如果2007年IC單位出貨量增長率達(dá)到10%或者更高水平，將是連續(xù)第六年以兩位數(shù)的速度增長，創(chuàng)下前所未有的強(qiáng)勁增長紀(jì)錄。 　　ICInsights認(rèn)為，
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