nand-flash 文章進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區(qū)

Spansion NOR閃存完成在聯(lián)發(fā)科參考設(shè)計(jì)平臺(tái)上預(yù)先驗(yàn)證

北京，2007年8月7日——全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion（NASDAQ:SPSN）今天宣布，其MirrorBit® NOR閃存已完成在MediaTek主流手機(jī)參考設(shè)計(jì)平臺(tái)上的預(yù)先驗(yàn)證。MediaTek總部位于臺(tái)灣，是全球前十大提供無線通信和數(shù)字媒體解決方案的半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)公司之一。在MediaTek參考設(shè)計(jì)平臺(tái)上完成對(duì)Spansion閃存解決方案的預(yù)先驗(yàn)證，將使生產(chǎn)商能夠?qū)⒕哂谐杀拘实母咝阅苁謾C(jī)更快地推向中國(guó)及其它高速增長(zhǎng)市場(chǎng)。在未來幾年內(nèi)，中國(guó)將成為推動(dòng)新型手機(jī)發(fā)
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NAND閃存芯片吃緊加劇行業(yè)整合態(tài)勢(shì)

隨著NAND閃存芯片需求的增加，內(nèi)存廠商已越來越難得到充足的NAND閃存芯片供應(yīng)，NAND閃存芯片吃緊加劇了內(nèi)存產(chǎn)業(yè)整合，業(yè)內(nèi)人士稱現(xiàn)在已有許多小規(guī)模的內(nèi)存廠商從市場(chǎng)中退出。　　今年前一段時(shí)間NAND閃存芯片價(jià)格出現(xiàn)了下滑，現(xiàn)在價(jià)格又開始了回升，可這并不能讓眾多內(nèi)存廠商高興起來，因?yàn)椴⒎撬械膬?nèi)存廠商都能得到足夠的NAND閃存芯片供應(yīng)，特別是在蘋果霸占了三星的大量NAND產(chǎn)品的情況下。　　現(xiàn)在約有一半的二線三線內(nèi)存廠商退出了NAND閃存業(yè)務(wù)，這也是不得已而為之，由
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TMS320VC55X系列DSP的FLASH引導(dǎo)方法*

摘要：本文以實(shí)際系統(tǒng)開發(fā)基礎(chǔ)為背景，闡述了TMS320C55X系列DSP對(duì)FLASH在線燒寫的方法，給出了系統(tǒng)的硬件連接示意圖和完整的燒寫程序，并研究了自舉引導(dǎo)的實(shí)現(xiàn)方法以及大程序的二次引導(dǎo)方法。關(guān)鍵詞： TMS320C55X；FLASH；Bootloader；燒寫；二次引導(dǎo) 引言隨著數(shù)字信號(hào)處理技術(shù)的快速發(fā)展，DSP被廣泛的應(yīng)用到各種數(shù)字信號(hào)處理系統(tǒng)中。最終開發(fā)的系統(tǒng)要想脫離仿真器運(yùn)行，必須將程序代碼存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器中。FLASH存儲(chǔ)器以其大容量和可在線編程等特點(diǎn)已成為DSP
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) TMS320C55X FLASH Bootloader 0707_A 雜志_設(shè)計(jì)天地

中芯國(guó)際切入NAND閃存市場(chǎng)

在iPhone的帶動(dòng)下，NAND閃存市場(chǎng)近期一片大好，國(guó)內(nèi)的晶元代工大廠中芯國(guó)際也抵制不住NAND閃存市場(chǎng)的誘惑，在近期宣布，下半年將開始量產(chǎn)2Gb NAND閃存顆粒并已經(jīng)投入8Gb NAND閃存顆粒的研發(fā)，預(yù)計(jì)明年將成為全球重要的NAND閃存顆粒供應(yīng)廠之一。受到今年Q2內(nèi)存價(jià)格崩盤以及0.13微米制程代工競(jìng)爭(zhēng)激烈影響，國(guó)內(nèi)晶元代工大廠中芯國(guó)籍Q2營(yíng)收出現(xiàn)約200萬(wàn)美元左右的稅后虧損。做為晶元代工
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微軟聯(lián)手英特爾戴爾開發(fā)標(biāo)準(zhǔn)NAND閃存接口

5月31日消息，美國(guó)當(dāng)?shù)貢r(shí)間5月30日，微軟公司宣布將與英特爾、戴爾結(jié)成合作伙伴關(guān)系，開發(fā)面向PC的標(biāo)準(zhǔn)NAND閃存接口。據(jù)techspot網(wǎng)站報(bào)道稱，名為“非揮發(fā)性內(nèi)存主機(jī)控制器接口組織”的這一組織是由英特爾倡導(dǎo)成立的，旨在利用閃存加速現(xiàn)代操作系統(tǒng)中的功能，例如Windows Vista中的ReadyBoost和ReadyDrive。該組織希望能夠加速其標(biāo)準(zhǔn)的普及，從而使其優(yōu)勢(shì)得到真正的體驗(yàn)。英特爾或其它廠商是否會(huì)將這一接口提供給Windows之外的其它軟件還不得而知，但從該組
關(guān)鍵字： NAND 微軟消費(fèi)電子英特爾消費(fèi)電子

美國(guó)美光科技：NAND閃存的未來在SSD

作為贊助商參加Windows Hardware Engineering Conference（WinHEC）的美國(guó)美光科技公司(Micron Technology, Inc.)舉辦了名為“Flash Memory Technology Direction”的技術(shù)研討會(huì)（Technical Session）。該公司 Memory Products Group 的首席應(yīng)用工程師（D
關(guān)鍵字： NAND SSD 消費(fèi)電子消費(fèi)電子

NAND Flash和NOR Flash的比較

　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。　　相“flash存儲(chǔ)器”經(jīng)常可以與相“NOR存儲(chǔ)器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對(duì)于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處，因
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臺(tái)模塊廠飽受NAND Flash缺貨之苦三星陣營(yíng)臺(tái)廠壓力倍增

相較于DRAM價(jià)格萎靡不振，近期南韓內(nèi)存大廠三星電子(Samsung Electronics)對(duì)于拉抬NAND型閃存( Flash)市場(chǎng)不遺余力，然最令客戶頭痛的問題是，目前三星電子受限于產(chǎn)能問題，釋出給臺(tái)廠NAND Flash貨源仍相當(dāng)有限，各模塊廠都飽受缺貨之苦，而隸屬于東芝(Toshiba)陣營(yíng)的客戶，尤其是內(nèi)存模塊大廠金士頓(Kingston)，由于東芝給予的成本較低，最近在大陸市場(chǎng)低價(jià)策略越來越積極，這讓與三星電子站在同一陣營(yíng)的臺(tái)廠壓力倍增。近期三星電子不斷釋出N
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CSR公司推出BlueVOX Flash解決方案

全球領(lǐng)先的藍(lán)牙連接及無線技術(shù)提供商CSR公司（倫敦證券交易所：CSR.L）日前宣布推出BlueVOX Flash解決方案，該解決方案擁有先進(jìn)的軟件功能，適用于高靈活性的低成本耳機(jī)。這款基于BlueCore4-Audio Flash芯片的新型解決方案將高性能、低功耗的藍(lán)牙無線電與6Mbits片上可編程閃存及全面的軟件開發(fā)工具包（SDK）結(jié)合在一起，從而完善了軟件的靈活性。藍(lán)牙耳機(jī)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈，能否迅速響應(yīng)客戶需求將是決定成敗的關(guān)鍵。CSR公司的BlueVOX Flash包
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DRAM價(jià)格或?qū)⒂|底，NAND供應(yīng)商加快開發(fā)內(nèi)置產(chǎn)品

據(jù)Dramexchange消息，4月下半月的DRAM合約價(jià)格下跌到了20美元左右，這也影響到了現(xiàn)貨市場(chǎng)的價(jià)格走勢(shì)。面向2007年下半年P(guān)C銷售旺季，PC廠商將增加庫(kù)存，預(yù)計(jì)DRAM需求將隨之增長(zhǎng)。因此，DRAM價(jià)格可能在2007年下半年觸底。價(jià)格持續(xù)下滑，已使DRAM廠商瀕臨虧損。向更先進(jìn)的生產(chǎn)工藝轉(zhuǎn)移，以及提高1GB芯片的出貨量，將是決定2007年下半年DRAM廠商業(yè)績(jī)的兩大因素。由于需求仍然疲軟，現(xiàn)貨市場(chǎng)的價(jià)格環(huán)境保持低迷。DDR2 512MB 667MHz跌到了2.57美元附近，DDR2 eTT跌到
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東芝推出業(yè)界容量最大的嵌入式 NAND 閃存

　　東芝公司 (Toshiba Corp.) 與其美洲子公司東芝美國(guó)電子元件公司 (Toshiba America Electronic Components, Inc.) 聯(lián)合宣布，該公司已經(jīng)推廣了一種新型嵌入式 NAND 閃存系列產(chǎn)品，這一系列產(chǎn)品遵從了 eMMC 標(biāo)準(zhǔn)并且容量達(dá)到該行業(yè)之最。這種容量為 16GB 的新設(shè)備旨在應(yīng)用于手機(jī)和攝像機(jī)等移動(dòng)消費(fèi)產(chǎn)品。樣品將于今年第二季度推出市場(chǎng)，大批量的生產(chǎn)將于第四季度開始。在這之前，東芝將在本月開始推出 8GB 樣品，并將于第三季度開始大規(guī)模生產(chǎn)。　　
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如何將ICCAVR程序中的數(shù)組存入FLASH中

如何將ICCAVR程序中的數(shù)組存入FLASH中下面是ICCAVR中對(duì)字符串和常數(shù)表格分配可能出現(xiàn)的五種情況: const int table[]={1,2,3};//table表格只分配進(jìn)程序存儲(chǔ)器中 const char string[]="iccavr";//字符串?dāng)?shù)組只分配進(jìn)程序存儲(chǔ)器中const char *prt1 //指針prt1位于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器空間指向程序存儲(chǔ)器空間的字符型數(shù)據(jù) char *const prt2 //指針prt2位于程序存儲(chǔ)器空間指向數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器空間的字符型數(shù)據(jù) const ch
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從NAND閃存中啟動(dòng)U-BOOT的設(shè)計(jì)

引言隨著嵌入式系統(tǒng)的日趨復(fù)雜,它對(duì)大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求越來越緊迫。而嵌入式設(shè)備低功耗、小體積以及低成本的要求,使硬盤無法得到廣泛的應(yīng)用。NAND閃存設(shè)備就是為了滿足這種需求而迅速發(fā)展起來的。目前關(guān)于U-BOOT的移植解決方案主要面向的是微處理器中的NOR 閃存，如果能在微處理器上的NAND 閃存中實(shí)現(xiàn)U-BOOT的啟動(dòng)，則會(huì)給實(shí)際應(yīng)用帶來極大的方便。 U-BOOT簡(jiǎn)介 U-BOOT 支持ARM、 PowerPC等多種架構(gòu)的處理器，也支持Linux、NetBSD和VxWorks等多種操作系統(tǒng)，主要
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TMS320F28xx DSP中內(nèi)部Flash的應(yīng)用研究

文中列舉的Flash的這幾種用法，在CCS中編程下載到TMS320F28xx DSP開發(fā)板上，并通過運(yùn)行程序驗(yàn)證了其正確性。
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愛特梅爾推出新型ARM7 閃存微控制器

愛特梅爾推出業(yè)界首款支持千兆字節(jié)以上SDRAM、NAND Flash及CompactFlash存儲(chǔ)容量的ARM7 閃存微控制器通用內(nèi)存接口 (UMI) 配有錯(cuò)誤糾正代碼控制器，能夠防止NAND 閃存丟失數(shù)位愛特梅爾公司 (Atmel® Corporation) 現(xiàn)已為基于ARM7™ 的USB微控制器 SAM7 系列增添三款新產(chǎn)品。全新的 SAM7S
關(guān)鍵字： ARM7 CompactFlash Flash NAND SDRAM 愛特梅爾單片機(jī) 工業(yè)控制嵌入式系統(tǒng) 閃存微控制器存儲(chǔ)器工業(yè)控制