首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand-flash

恒憶躍居世界最大NOR閃存供應(yīng)商

  • 　　盡管IC產(chǎn)業(yè)在步入2009年的時候還是前景迷茫，但在歲末之際，曾深受經(jīng)濟危機影響的存儲產(chǎn)業(yè)終于看到了復(fù)蘇的曙光。面對市場可預(yù)期的需求增長，恒憶 (Numonyx) 通過兩方面的舉措響應(yīng)市場需求，擴充產(chǎn)能。一是通過從高節(jié)點技術(shù)向低節(jié)點技術(shù)的制程升級，進一步擴大位級產(chǎn)能;二是充分發(fā)揮“靈活資產(chǎn)(Asset Smart)”策略的優(yōu)勢，與合資晶圓廠、代工伙伴一起增加產(chǎn)能。 　　展望2010年的市場前景，主管恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務(wù)及渠道的銷售副總裁龔翊表示：“作為全球存儲器解
  • 關(guān)鍵字： Numonyx  NAND  NOR閃存  PCM  

恒憶樂觀展望2010年發(fā)展前景

  • 　　盡管 IC 產(chǎn)業(yè)在步入 2009 年的時候還是前景迷茫，但在歲末之際，曾深受經(jīng)濟危機影響的存儲產(chǎn)業(yè)終于看到了復(fù)蘇的曙光。面對市場可預(yù)期的需求增長，恒憶 (Numonyx) 通過兩方面的舉措響應(yīng)市場需求，擴充產(chǎn)能。一是通過從高節(jié)點技術(shù)向低節(jié)點技術(shù)的制程升級，進一步擴大位級產(chǎn)能;二是充分發(fā)揮“靈活資產(chǎn)(Asset Smart)”策略的優(yōu)勢，與合資晶圓廠、代工伙伴一起增加產(chǎn)能。 　　展望2010年的市場前景，主管恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務(wù)及渠道的銷售副總裁龔翊表示：“作為全球
  • 關(guān)鍵字： Numonyx  NAND  NOR閃存  

手機內(nèi)存：NAND優(yōu)勢愈加明顯，NOR風光不再

  • 　　市場研究機構(gòu)水清木華日前發(fā)布"2009年手機內(nèi)存行業(yè)研究報告"指出,NOR閃存在512Mb是個門檻.高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加.同時,NOR閃存的應(yīng)用領(lǐng)域單一,應(yīng)用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優(yōu)勢越明顯,應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛,應(yīng)用廠家也多.手機市場變化迅速,現(xiàn)在每一款手機的生命周期通常都小于5年,NOR最強大的優(yōu)勢"長壽"也不復(fù)存在.盡管NOR閃存的成本在進入65納米后也大幅度下降,但是專心NOR領(lǐng)域的只有Spansion.而NAND領(lǐng)域,三
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  NOR  RAM  

STM32-FSMC機制的NOR Flash存儲器擴展技術(shù)

  • 引 言
    STM32是ST(意法半導(dǎo)體)公司推出的基于ARM內(nèi)核Cortex－M3的32位微控制器系列。Cortex－M3內(nèi)核是為低功耗和價格敏感的應(yīng)用而專門設(shè)計的，具有突出的能效比和處理速度。通過采用Thumb－2高密度指令集，Cor
  • 關(guān)鍵字： Flash  FSMC  STM  NOR    

IEEE：NAND閃存技術(shù)將在十年之內(nèi)遭遇技術(shù)極限

  • 　　《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內(nèi)基梅隆大學(xué)教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲技術(shù)，看它們到2020年的時候能否在單位容量成本上超越機械硬盤，結(jié)果選出了兩個最有希望的候選 者：相變隨機存取存儲(PCRAM)、自旋極化隨機存取存儲(STTRAM)。 　　PCRAM我們偶爾會有所耳聞。它基于硫系玻璃的結(jié)晶態(tài)和非結(jié)晶態(tài)相變屬性，單元尺寸較小，而且每個單元內(nèi)能保存多個比特，因此存儲密度和成本
  • 關(guān)鍵字： NAND  閃存  相變存儲  

TIMC與DRAM產(chǎn)業(yè)再造計劃

  • 　　2008年DRAM產(chǎn)業(yè)跌落谷底，臺灣DRAM廠開門做生意平均每天虧新臺幣1億元，且龐大的負債成為臺灣科技產(chǎn)業(yè)的巨大問題，因此經(jīng)濟部為挽救臺灣內(nèi)存演產(chǎn)業(yè)，宣布要進行產(chǎn)業(yè)再造，成立臺灣內(nèi)存公司(Taiwan Memory Company;TMC)，之后因為此名字已被其它公司注冊，因此改名為Taiwan Innovation Memory Company，簡稱為TIMC。 　　TIMC正式于2009年7月31日登記成立，董事長為聯(lián)電榮譽副董事長宣明智，帶領(lǐng)臺灣內(nèi)存產(chǎn)業(yè)再造的任務(wù)，目的在于協(xié)助臺灣DRAM產(chǎn)
  • 關(guān)鍵字： TIMC  DRAM  NAND Flash  

美光推出NAND與低功率DRAM多芯片封裝產(chǎn)品

  • 　　美光科技股份有限公司日前宣布，該公司將業(yè)界一流的34納米4Gb單層單元NAND閃存與50納米2Gb LPDDR相結(jié)合，生產(chǎn)出了市場上最先進的NAND-LPDDR多芯片封裝組合產(chǎn)品。美光新推出的4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝產(chǎn)品以智能手機、個人媒體播放器和新興的移動互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備為應(yīng)用目標。較小的外形尺寸、低成本和節(jié)能是這類應(yīng)用的核心特色。 　　美光公司目前向客戶推出4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝試用產(chǎn)品，預(yù)計于2010年初投入量產(chǎn)。4Gb NAND-2Gb LPDDR組合
  • 關(guān)鍵字： 美光  NAND  34納米  智能手機  

三星：2010存儲芯片將出現(xiàn)小規(guī)模短缺情況

  • 　　10月28日消息，據(jù)國外媒體報道，全球最大的記憶體芯片制造商韓國三星電子周三表示，該公司目標要在三年內(nèi)將半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收提高逾50%，并對2010年記憶體市場發(fā)表樂觀的看法。 　　三星電子將在周五公布第三季財報。該公司估計，今年半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收為166億美元，并稱目標要在2012年達到255億美元營收。 　　三星指出，明年動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)和NAND快閃記憶體(閃存)芯片將出現(xiàn)小規(guī)模短缺情況。 　　韓國三星半導(dǎo)體事業(yè)群總裁勸五鉉在一項高層主管會議上發(fā)表上述預(yù)估，公司發(fā)言人士也確認了這項消
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  存儲  

MIPS 科技向Tamarin開源項目提交代碼

  • 　　為數(shù)字消費、家庭網(wǎng)絡(luò)、無線、通信和商業(yè)應(yīng)用提供業(yè)界標準處理器架構(gòu)與內(nèi)核的領(lǐng)導(dǎo)廠商 MIPS 科技公司今天宣布，發(fā)布了一個針對 MIPSTM 優(yōu)化的ActionScript® 虛擬機(VM)版本，可用在 Adobe® Flash® Player等引人注目的網(wǎng)絡(luò)連接技術(shù)。ActionScript VM可通過Tamarin開源項目獲得，是運行在MIPS架構(gòu)上的優(yōu)化的Adobe Flash Player的關(guān)鍵組件。MIPS的優(yōu)化加速ActionScript 3的驗證套件(validat
  • 關(guān)鍵字： MIPS  Flash  ActionScript  

Intel宣布一項技術(shù)突破 內(nèi)存加工工藝可縮小到5納米

  • 　　英特爾和芯片技術(shù)公司Numonyx本周三發(fā)布了一項新技術(shù).這兩家公司稱,這種新技術(shù)將使非易失性存儲器突破NAND閃存的20納米的極限,使加工工藝縮小到5納米,從而更加節(jié)省成本. 　　英特爾研究員和內(nèi)存技術(shù)開發(fā)經(jīng)理Al Fazio星期三向記者解釋說,這種技術(shù)產(chǎn)生的堆疊內(nèi)存陣列有可能取代目前DRAM內(nèi)存和NAND閃存的一些工作.這種技術(shù)甚至能夠讓系統(tǒng)設(shè)計師把一些DRAM內(nèi)存和固態(tài)內(nèi)存的一些存儲屬性縮小到一個內(nèi)存類. 　　This image shows phase-change memory bu
  • 關(guān)鍵字： Intel  5納米  DRAM  NAND  

內(nèi)存市場價量普漲，存儲廠商轉(zhuǎn)虧為盈

  • 　　最近幾個月來，DRAM價格連連上漲，同時也拉升了NAND Flash顆粒的價格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內(nèi)存廠商的產(chǎn)品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時期已經(jīng)有較大起色，但是這內(nèi)存的價格上漲也波及到了電子賣場中的零售價格。那么究竟現(xiàn)在的內(nèi)存產(chǎn)品是怎樣的一個局面呢，下面小編就給大家來個深度分析，給你講講這里面的道道。 　　9月DRAM價格猛增13% Flash亦漲4% 　　9月的1Gbit DDR2 DRAM的平均報價約為 1.70 美元，較上個月多出了近 13%。D
  • 關(guān)鍵字： NAND  DRAM  內(nèi)存  存儲  

SanDisk Q3意外由虧轉(zhuǎn)盈 內(nèi)存產(chǎn)業(yè)展望樂

  • 　　美國內(nèi)存大廠SanDisk近日公布第3季財報，意外由虧損轉(zhuǎn)為強勁獲利，主要由于銷售額優(yōu)于預(yù)期，以及先前減記的庫存收入回補加持。這也反映了內(nèi)存制造商持續(xù)受惠于閃存芯片市場好轉(zhuǎn)趨勢。 　　據(jù)國外媒體報道，SanDisk第3季由去年同期的虧損1.659億美元或每股74美分，改善為獲利2.313億美元或每股99美分。去除特殊項目后，每股獲利則為76美分，優(yōu)于分析師預(yù)期的每股26美分。 　　該季營收增長14%至9.352億美元，遠優(yōu)于公司今年7月份預(yù)估的介于7.25-7.75億美元，以及分析師預(yù)期的7.87
  • 關(guān)鍵字： SanDisk  NAND  閃存芯片  

力晶成立TFC 拋出NAND Flash深水炸彈規(guī)劃投入200億元

  • 　　“經(jīng)濟部”「DRAM產(chǎn)業(yè)再造計畫」20日最后截止日期，卻出現(xiàn)戲劇性變化!臺塑集團旗下南亞科和華亞科宣布不送件，形同退出這次計畫;而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)，并將這次臺灣存儲器產(chǎn)業(yè)整合規(guī)模推升到NAND Flash格局，反將了臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)一軍。力晶董事長黃崇仁表示，2010年將投入40奈米制程量產(chǎn)NAND Flash，且100%為自有技術(shù)，比任何同業(yè)都符合“經(jīng)濟部”所要求技術(shù)扎根條件，未來力晶
  • 關(guān)鍵字： 力晶  DRAM  存儲器  NAND   

鎂光34nm企業(yè)級MLC/SLC NAND閃存明年初量產(chǎn)

  • 　　鎂光34nm制程企業(yè)級MLC/SLC NAND閃存芯片已經(jīng)進入試樣階段，MLC部分的存儲密度可達32Gb，寫入壽命達3萬次，是普通MLC產(chǎn)品的6倍;SLC部分存儲密度為16Gb，寫入壽命同樣為3萬次，是普通SLC產(chǎn)品的3倍. 　　鎂光這次開發(fā)成功的34nm MLC/SLC閃存芯片支持ONFI2.1接口規(guī)范(Open NAND Flash Interface)，數(shù)據(jù)傳輸率最高可達200MB/S，而且可以采用閃存封裝內(nèi)部集成多片閃存芯片的封裝方案。 　　鎂光表示，明年初這兩種閃存芯片便可正式量產(chǎn)。
  • 關(guān)鍵字： 鎂光  NAND  閃存芯片  34nm  

市場供貨吃緊，NAND閃存合約價持續(xù)上揚

  • 　　研究機構(gòu)集邦科技(DRAM eXchange)表示，10月上旬主流MLC NAND Flash合約均價上漲約8%~10%，主要原因是多數(shù)供貨商已接獲部份電子系統(tǒng)廠客戶10月到11月的旺季長單，同時近期記憶卡客戶的旺季備貨需求，因此NAND Flash市場供貨吃緊，在賣方主導(dǎo)市場下，10月上旬NAND Flash合約價持續(xù)地上揚。 　　   　　16Gb MLC NAND Flash合約價走勢圖 　　集邦科技指出，在10月到11月，多數(shù)NANDFlash供貨商份仍將優(yōu)先供貨給電子系
  • 關(guān)鍵字： NAND  存儲  閃存  
共1451條 76/97 |‹ « 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 » ›|

nand-flash介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條nand-flash!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對nand-flash的理解，并與今后在此搜索nand-flash的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

Nand-Flash    樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473