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iSuppli:存儲芯片市場恢復盈利還為時過早

  •   在面臨破產威脅之際,許多內存供應商為了維護自己的形象,紛紛強調潛在的市場復蘇,試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是,雖然預計總體內存芯片價格將在2009年剩余時間內趨于穩(wěn)定,但iSuppli公司認為,這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。 繼   在面臨破產威脅之際,許多內存供應商為了維護自己的形象,紛紛強調潛在的市場復蘇,試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是,雖然預計總體內存芯片價格將在2009年剩余時間內趨于穩(wěn)定,但iSuppli公司認為,這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。
  • 關鍵字: NAND  存儲芯片  

TDK推出兼容串行ATA II的GBDriver RS2系列NAND閃存控制器

  •   TDK公司日前宣布開發(fā)出兼容串行ATA (SATA) II的NAND閃存控制器芯片GBDriver RS2 系列,并計劃于五月份開始銷售。   TDK新型GBDriver RS2是一款高速SATA控制器芯片,支持有效速率達95MB/S的高速訪問。該產品支持2KB/頁和4KB/頁結構的SLC(單層單元)內存以及MLC(多層單元)NAND閃存,可用于制造容量為128MB至64GB的高速SATA存儲。因而,GBDriver RS2可廣泛用于各種應用領域,從SATADOM1及其他的嵌入式存儲器,到視聽設
  • 關鍵字: TDK  NAND  

內存晴雨表:聲稱內存市場復蘇的報告過于夸張

  •   在面臨破產威脅之際,許多內存供應商為了維護自己的形象,紛紛強調潛在的市場復蘇,試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是,雖然預計總體內存芯片價格將在2009年剩余時間內趨于穩(wěn)定,但iSuppli公司認為,這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。   繼第一季度全球DRAM與NAND閃存營業(yè)收入比去年第四季度下降14.3%之后,這些產品市場將在今年剩余時間內增長。第二季度DRAM與NAND閃存營業(yè)收入合計將增長3.6%,第三和第四季度分別增長21.9%和17.5%。   圖4所示為iSuppli公
  • 關鍵字: iSuppli  NAND  DRAM  

自動圖像報警系統(tǒng)研究及單片機實現(xiàn)

瑞薩推出SH7216系列32-位片上Flash存儲器MCU

  •   瑞薩科技公司(以下簡稱“瑞薩”)于2009年4月7日宣布推出SH7216系列32-位片上Flash存儲器微控制器(Flash微控制器)。這個系列是32位SuperH™ RISC系列*1的新成員,它為AC伺服、FA(工廠自動化)設備、樓宇自動化(空調和電力監(jiān)控設備)和各種通信設備等工業(yè)應用實現(xiàn)了200 MHz操作和大量內置式外設及通信功能。SH7216系列包含12個產品群的36款器件,其片上存儲器容量和封裝類型各有不同。 這些產品的主要特性如下: (1) 達到
  • 關鍵字: 瑞薩  RISC  32MCU  Flash  SuperH  

集邦:海力士大幅減產NAND 將由第三位滑落至第五位

  •   針對NAND閃存產業(yè),研究機構集邦科技最新研究報告指出,三星可望穩(wěn)居今年全球市占率龍頭寶座,而海力士則因大幅減產,市場占有率恐將下滑剩下10%,落居第5名。   集邦科技根據(jù)各NAND Flash供貨商目前的制程技術、產能、營運狀況分析指出,三星因擁有較大產能,同時制程持續(xù)轉往42納米及3x納米,預期今年市占率 40%以上居冠,日本東芝與美商SanDisk聯(lián)盟的產能利用率略降,但制程技術也將轉往 43納米及32納米,預期東芝今年的市場占有率約在30%以上居次。   集邦科技表示,市場占有率第三和第
  • 關鍵字: 海力士  NAND  晶圓  

易用性是FPGA在更多領域獲得成功的關鍵

  • 以提供多種基于Flash和反熔絲技術的低功耗、高可靠性單芯片F(xiàn)PGA而著稱的Actel公司,在全球經濟出現(xiàn)下滑的2008...
  • 關鍵字: FPGA  Flash  LCD  

三星和海力士獲得蘋果7000萬NAND大單

  •   4月15日消息 據(jù)韓國媒體報道 蘋果最近向韓國三星電子與海力士兩家公司下單,要求供應7000萬顆NAND型閃存芯片,用于生產iPhone和iPod。此次訂單較去年大漲了八成,引發(fā)蘋果可能推出新一代iPhone的聯(lián)想   韓國時報指出,有可靠的消息來源透露“三星電子被要求供應5000萬顆8Gb的NAND型閃存芯片給蘋果,而海力士也將供應2000萬顆。”   部分分析師認為,蘋果這次大規(guī)模訂單,將刺激韓國芯片廠商業(yè)績,同時,也有助于全球芯片產業(yè)早日復蘇。   分析師還指出,N
  • 關鍵字: 三星  NAND  芯片  

三維NAND內存技術將讓固態(tài)存儲看到希望

  •   IBM的技術專家Geoff Burr曾說過,如果數(shù)據(jù)中心的占地空間象足球場那么大,而且還要配備自己的發(fā)電廠的話,那將是每一位首席信息官最害怕的噩夢。然而,如果首席信息官們現(xiàn)在不定好計劃將他們的數(shù)據(jù)中心遷移到固態(tài)技術平臺的話,那么10年以后他們就會陷入那樣的噩夢之中。   這并非危言聳聽,過去的解決方案現(xiàn)在已經顯露出存儲性能和容量不足的現(xiàn)象,這就是最好的證明。以前,如果需要更多的性能或容量,企業(yè)只需在數(shù)據(jù)中心添加更多的傳統(tǒng)硬盤就可以了,而且那樣做也很方便?,F(xiàn)在,Geoff Burr在2008年發(fā)表的一
  • 關鍵字: IBM  NAND  固態(tài)存儲  

Flash Memory作為數(shù)據(jù)存儲器在E5中的應用

  • 1. E5的特點及體系結構
    E5是位于美國硅谷的公司Triscend 推出的一款全新的CPU,它是基于8051的內核,但將微處理器的內核,ASCI及可重構邏輯陣列集成與一體,構成一款CSOC(可配置系統(tǒng))芯片。Triscend E5的主要特點
  • 關鍵字: E5  應用  存儲器  數(shù)據(jù)  Memory  作為  Flash  Triscend E5  閃存  映射  

FSI國際宣布將ViPR?全濕法去除技術擴展到NAND存儲器制造

  •   美國明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領先的半導體制造晶圓加工、清洗和表面處理設備供應商FSI國際有限公司(納斯達克:FSII)今日宣布:一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR?全濕法無灰化清洗技術的ZETA?清洗系統(tǒng)擴展到NAND閃存生產中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術在自對準多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進行了評估??蛻?/li>
  • 關鍵字: FSI  NAND  存儲器  

FSI國際宣布將ViPR全濕法去除技術擴展到NAND存儲器制造

  •   全球領先的半導體制造晶圓加工、清洗和表面處理設備供應商FSI國際有限公司(納斯達克:FSII)日前宣布:一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR全濕法無灰化清洗技術的ZETA清洗系統(tǒng)擴展到NAND閃存生產中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術在自對準多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進行了評估??蛻魧χ圃爝^程中無灰化光刻膠剝離法、實現(xiàn)用一步工藝替代灰化-清洗兩步工藝的機臺能力給予肯定。除了
  • 關鍵字: FSI  半導體  NAND  

業(yè)界稱Windows 7將推動NAND閃存芯片需求

  • 3月21日消息,內存廠商預計Windows 7的將推動NAND閃存芯片的需求,因為這種新的操作系統(tǒng)為利用固態(tài)硬盤進行了優(yōu)化。在當前的市場不確定的情況下,優(yōu)化固態(tài)硬盤以便適應Windows 7已經成為固態(tài)硬盤廠商和筆記本電腦廠商的重點。
  • 關鍵字: 閃存  NAND  芯片  

NAND多空未明 市場仍在觀望

  •         集邦科技(DRAMeXchange)表示,2月下旬NAND Flash(閃存)合約價格呈現(xiàn)上揚,現(xiàn)貨價格方面卻已經開始下跌;然而,目前現(xiàn)貨市場仍處于多空未明狀態(tài),觀望氣氛濃厚,買家不敢貿然搶進。         集邦表示,2月下旬主流MLC NAND Flash合約均價約上漲8%到36%,SLC合約價則維持平盤,價格上漲的主要原因是今年首季國際大
  • 關鍵字: 集邦  NAND  Flash  

DRAMeXchange:2009年NAND flash產能預計將減小59%

  •         據(jù)EE Times網站報道,市場研究公司DRAMeXchange的分析顯示,全球NAND flash產能繼2008年減少近28%之后,2009年將再降59%。         2009年NAND flash位增長幅度將較2008大64%,而2007年位增長率高達133%。如果需求在下半年恢復且供應商控制其產出增長,那供應過剩的局面可能得到改善,NAN
  • 關鍵字: DRAMeXchange  flash  
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