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聯(lián)想總裁蘭奇：未來三年P(guān)C銷量仍將下滑 但銷售額上漲

  • 　　美國當(dāng)?shù)貢r間1月9日，2018 CES今日在拉斯維加斯開幕;聯(lián)想集團(tuán)總裁兼COO蘭奇在與網(wǎng)易科技等媒體對話時表示，盡管PC的整體銷量在下滑，但銷售額卻在增長，這意味著PC的平均單價在上漲。在談及PC業(yè)務(wù)時，蘭奇表示，去年開始銷量確實(shí)在下滑，但是營業(yè)額卻在上漲，也就是平均單價在持續(xù)增長;蘭奇表示，從2018年來看，這個趨勢仍將持續(xù)，甚至將持續(xù)到未來的三年時間內(nèi)。蘭奇認(rèn)為，造成這個情況的原因主要有三個，其一是消費(fèi)升級，消費(fèi)者需要更好的外形設(shè)計、更大的空間;第二個原因在于PC業(yè)務(wù)已經(jīng)成為了一個替換業(yè)務(wù)，很多
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IC Insights:DRAM今年價格將開始下滑

  • 　　研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights發(fā)布最新報告指出，DRAM廠于2017年第4季的銷售金額將創(chuàng)下歷史新高峰，預(yù)估達(dá)到211億美元，較2016年第4季的128億美元大增65%。IC Insights表示，據(jù)歷史經(jīng)驗(yàn)來看，DRAM產(chǎn)業(yè)在不久的將來，可能經(jīng)歷長期間的景氣向下格局，因隨著DRAM產(chǎn)能增加，今年價格將開始下滑，跌勢更恐達(dá)2年之久。 　　回顧2017年，受惠于數(shù)據(jù)中心需求，帶動服務(wù)器DRAM明顯升溫，同時智能手機(jī)與其他移動裝置產(chǎn)品采用低功耗高密度DRAM也同步成長，2017年DRAM價格報價一路上揚(yáng)
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揭露DRAM和電容炒貨內(nèi)幕，三星兜底策略縱容漲價

  • 缺貨漲價固然有產(chǎn)能不足的因素，但原廠聯(lián)合渠道商炒貨，是其中更為重要的潛在影響因素。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  三星  

兩大新技術(shù)加持 三星二代10納米DRAM量產(chǎn)搶商機(jī)

  • 　　搶攻DRAM市場商機(jī)，三星電子(Samsung Electronics)宣布量產(chǎn)其第二代10奈米等級(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 該組件采用高敏感度的單元數(shù)據(jù)感測系統(tǒng)(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案，以達(dá)更高效能、更低功耗，以及更小的體積。 　　DRAM市場表現(xiàn)強(qiáng)勁，IC Insights預(yù)估，2017年DRAM市場將激增74%，為1994年以來最大增幅;未來DRAM預(yù)計將成為至今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)最大的單一產(chǎn)品類別，產(chǎn)值高
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

兩大新技術(shù)加持 三星二代10納米DRAM量產(chǎn)搶商機(jī)

  • 　　搶攻DRAM市場商機(jī)，三星電子(Samsung Electronics)宣布量產(chǎn)其第二代10奈米等級(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 該組件采用高敏感度的單元數(shù)據(jù)感測系統(tǒng)(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案，以達(dá)更高效能、更低功耗，以及更小的體積。 　　DRAM市場表現(xiàn)強(qiáng)勁，IC Insights預(yù)估，2017年DRAM市場將激增74%，為1994年以來最大增幅;未來DRAM預(yù)計將成為至今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)最大的單一產(chǎn)品類別，產(chǎn)值高
  • 關(guān)鍵字： DRAM  DDR4   

明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求

  • DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài)，產(chǎn)品價格同步高漲，而明年上半年將轉(zhuǎn)為供過于求。
  • 關(guān)鍵字： NAND  DRAM  

明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求

  • 　　內(nèi)存明年市況恐將不同調(diào)，DRAM市場仍將持續(xù)吃緊，NAND Flash市場則將于明年上半年轉(zhuǎn)為供過于求。 　　DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài)，產(chǎn)品價格同步高漲，只是業(yè)界普遍預(yù)期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調(diào)。 　　內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見指出，DRAM 市場供貨持續(xù)吃緊，價格未見松動跡象。 NAND Flash 方面，隨著 3D NAND Flash 技術(shù)日益成熟，生產(chǎn)良率改善，可望填補(bǔ)供貨缺口。 　　另一內(nèi)存模塊廠威剛表示，短期內(nèi)全球 DRAM
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5nm工藝可能無法實(shí)現(xiàn)？存儲器除了3D NAND還有其他選擇？看這4個技術(shù)老兵怎么說

  • 　　5nm以下的工藝尺寸縮減邏輯;DRAM、3DNAND和新型存儲器的未來;太多可能解決方案帶來的高成本。 　　近日，外媒SE組織了一些專家討論工藝尺寸如何繼續(xù)下探、新材料和新工藝的引入帶來哪些變化和影響，專家團(tuán)成員有LamResearch的首席技術(shù)官RickGottscho、GlobalFoundries先進(jìn)模塊工程副總裁MarkDougherty、KLA-Tencor的技術(shù)合伙人DavidShortt、ASML計算光刻產(chǎn)品副總裁GaryZhang和NovaMeasuringInstruments的首
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再進(jìn)一步，三星發(fā)布最強(qiáng)10nmDRAM芯片

  • 　　根據(jù)三星最新財報顯示，三星Q3凈利潤更是高達(dá)98.7億美元，增長145%，季度凈利直逼蘋果，成為世界最賺錢的兩家公司之一。而耀眼財報的背后，其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)起著舉足輕重的作用。 　　昨日半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)曝出一條最大新聞——“ 三星電子全球首發(fā)第二代10納米級DRAM產(chǎn)品。” 　　三星在聲明中稱，這是全球第一個第二代10納米級8Gb DDR4 DRAM芯片，擁有強(qiáng)化的節(jié)能效率和資料處理效能，將鎖定云端運(yùn)算中心、移動設(shè)備和高速繪圖卡等高階大數(shù)據(jù)處理的電子設(shè)備。
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

三星DRAM“霸主”地位難撼動！已開發(fā)出全球最小DRAM內(nèi)存芯片

  • 　　繼 2016 年 2 月三星使用第一代 10nm 制程工藝生產(chǎn)出了 8Gb DDR4 芯片之后，三星電子今日又宣布已開始通過第二代 10nm 制程工藝生產(chǎn) 8Gb DDR4 芯片。另據(jù)路透社報道，三星開發(fā)的 8Gb DDR4 芯片是“全球最小”的 DRAM 芯片。 　　據(jù)悉，和第一代 10nm 工藝相比，三星第二代 10nm 工藝的產(chǎn)能提高了 30%，有助于公司滿足全球客戶不斷飆升的 DRAM 芯片需求。此外，第二代 10nm 芯片不僅比第一代快 10%，同時功耗又降低了 1
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

第四季DRAM銷售額預(yù)估年增65%,明年首季確定再漲

  • 　　DRAM 內(nèi)存市場近期嚴(yán)重供不應(yīng)求，造成全球內(nèi)存龍頭三星將于 2018 年第 1 季價格再上調(diào) 3% 至 5%。 而另一家內(nèi)存大廠 SK 海力士也將調(diào)漲約 5%。 除此之外，有部分供應(yīng)鏈透露，2018 年第 2 季的價格恐也將不樂觀，價格將續(xù)漲 5% 以上。 因此，在需求太強(qiáng)勁的情況下，此波 DRAM 價格從 2016年下半年以來，每季都呈現(xiàn)上漲的態(tài)勢。 如果加上 2018 年第 1 季持續(xù)漲價，報價已經(jīng)連續(xù) 7 季走揚(yáng)，堪稱 DRAM 史上時間最長的多頭行情。 　　事實(shí)上，當(dāng)前的第 4 季是傳統(tǒng)
  • 關(guān)鍵字： DRAM  DDR4   

第四季DRAM銷售額預(yù)估年增65%，再寫史上新高

  • 　　今年內(nèi)存供給吃緊，推升價格持續(xù)走揚(yáng)，研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)期第四季DRAM銷售金額將創(chuàng)歷史新高。 　　據(jù)IC Insights估計，第四季DRAM銷售金額將來到211億美元，較去年同期跳增65%，且是有史以來最佳記錄。 　　全年來看，DRAM市場預(yù)估成長74%，較1993-2017年平均水平高61個百分點(diǎn)，也是繼1994年成長78%以來最強(qiáng)成長動能。 　　許多因素造就今年內(nèi)存走大多頭，當(dāng)中包含近幾年主要內(nèi)存廠刻意節(jié)制擴(kuò)產(chǎn)動作，同期間剛好又遇上數(shù)據(jù)中心、行動與游戲設(shè)備對高效能內(nèi)存的需求大
  • 關(guān)鍵字： DRAM  

中國反壟斷機(jī)構(gòu)關(guān)注DRAM連漲七個季度,何處是盡頭?

  • 圍繞著此輪DRAM產(chǎn)業(yè)的上漲行情，無論是“供需論”還是“壟斷說”，在DRAM一路瘋漲的背后，展現(xiàn)的是耐人尋味的眾生相，有需求者的無奈，領(lǐng)軍者的得意，入局者的尷尬以及監(jiān)管者的警覺。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

南亞科：明年DRAM市場穩(wěn)健，Q1供貨仍吃緊

  • 　　今年DRAM市場強(qiáng)勁成長，南亞科技(2408)預(yù)期2017年第四季及2018年第一季供貨將持續(xù)吃緊，DRAM平均銷售單價走勢穩(wěn)健;展望2018，預(yù)期明年整體DRAM市場供需均衡且健康，市場將持續(xù)維持穩(wěn)健。 　　隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車、高速運(yùn)算等應(yīng)用，促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更多元發(fā)展，DRAM成為電子產(chǎn)品的關(guān)鍵組件，帶動今年內(nèi)存市場強(qiáng)勁成長逾50%。 　　展望2018年，南亞科預(yù)期DRAM資本支出主要用于先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換及維持原有月產(chǎn)能，DRAM位年成長率在20%~25%，預(yù)估2018年需求將較2017
  • 關(guān)鍵字： 南亞科  DRAM  

研調(diào)：預(yù)計2017年DRAM市場銷售額增長74％至720億美元

  • 　　縱觀2017年，隨著數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器、智能手機(jī)和其他移動產(chǎn)品對DRAM需求不斷提升，DRAM產(chǎn)能供不應(yīng)求，平均售價也在持續(xù)上漲。如圖1所示，IC Insights預(yù)計2017年第四季度DRAM銷售額將增至211億美元的歷史最好成績，與2016年第四季度的128億美元相比增長65%。 　　圖1 2015Q1-2017Q4的DRAM季度營收 　　IC Insights預(yù)計2017年全年DRAM的銷售額將達(dá)720億美元，年增長率達(dá)74%。這是自1993年(1994年的年增長率為78%)以來的歷史最好
  • 關(guān)鍵字： DRAM  
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