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三星移動(dòng)DRAM逆勢(shì)調(diào)漲 SK海力士或可望受惠

　　傳三星電子(Samsung Electronics)與全球智能手機(jī)業(yè)者，協(xié)商提高移動(dòng)DRAM(Mobile DRAM)價(jià)格過(guò)程占了上風(fēng)，將有助于2017年下半的半導(dǎo)體事業(yè)獲利表現(xiàn)。三星電子這項(xiàng)舉動(dòng)，可望讓同為韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠的SK海力士(SK Hynix)跟著受惠。　　韓媒Business Post引述業(yè)界看法，指出三星電子預(yù)計(jì)從2017年第4季起，針對(duì)大中華地區(qū)智能手機(jī)業(yè)者，祭出10~20%的移動(dòng)DRAM價(jià)格調(diào)漲策略，部分韓媒則是指出，三星電子這項(xiàng)舉動(dòng)僅針對(duì)部分中低價(jià)智能手機(jī)業(yè)者。　　韓國(guó)業(yè)界
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紫光國(guó)芯又有動(dòng)作下一代DRAM產(chǎn)品開(kāi)發(fā)進(jìn)展順利

　　8月21日晚，據(jù)紫光國(guó)芯發(fā)布的2017上半年財(cái)報(bào)顯示，公司上半年盈利1.23億元，同比下降17.86%。新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)方面，紫光國(guó)芯最新開(kāi)發(fā)完成的NAND Flash已經(jīng)開(kāi)始了市場(chǎng)推廣，下一代DRAM產(chǎn)品開(kāi)發(fā)進(jìn)展順利。　　作為中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的龍頭企業(yè)，紫光國(guó)芯表示，受公司持續(xù)加大可編程系統(tǒng)芯片、存儲(chǔ)器芯片的研發(fā)投入等眾多因素的影響，使得上半年凈利潤(rùn)下滑。　　據(jù)了解，紫光國(guó)芯主營(yíng)業(yè)務(wù)為集成電路芯片設(shè)計(jì)與銷售，并致力于向用戶提供先進(jìn)的芯片設(shè)計(jì)產(chǎn)品以及專業(yè)的芯片解決方案。產(chǎn)品主要包括智能卡芯片、特種集成
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圍繞半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)布局，紫光國(guó)芯下一代DRAM開(kāi)發(fā)順利

　　今年以來(lái)，全球集成電路市場(chǎng)增長(zhǎng)迅速，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)在國(guó)家政策引導(dǎo)、市場(chǎng)需求拉動(dòng)的雙重作用下，繼續(xù)保持了平穩(wěn)快速的發(fā)展。其中，頗具產(chǎn)業(yè)代表的紫光國(guó)芯股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“紫光國(guó)芯”)以“自主創(chuàng)新”與“國(guó)際合作”相結(jié)合的發(fā)展路徑，圍繞芯片設(shè)計(jì)核心業(yè)務(wù)，同時(shí)開(kāi)拓了存儲(chǔ)器芯片、智能芯片等集成電路產(chǎn)品相關(guān)應(yīng)用市場(chǎng)。　　8月21日晚間，紫光國(guó)芯發(fā)布了2017上半年財(cái)報(bào)，財(cái)報(bào)顯示，公司上半年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收8.01億元，同比增長(zhǎng)24.01%;歸
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DRAM持續(xù)火爆再迎創(chuàng)紀(jì)錄的營(yíng)收總值

雖然全球DRAM供應(yīng)短缺的問(wèn)題正得到逐步緩解，但供需之間仍存在充足的缺口——至少能夠讓各芯片制造商繼續(xù)迎來(lái)創(chuàng)紀(jì)錄的營(yíng)收總值。
關(guān)鍵字： DRAM 芯片

臺(tái)媒:大陸DRAM突破技術(shù)障礙還得靠臺(tái)灣

　　據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，大陸積極發(fā)展內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，但由于仍難突破三DRAM大廠的技術(shù)防線，在政策與時(shí)間壓力下，反而凸顯臺(tái)廠扮演關(guān)鍵少數(shù)的重要性，業(yè)界分析臺(tái)廠未來(lái)勢(shì)必成為大陸首要爭(zhēng)取合作的對(duì)象。　　大陸的內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，目前形成紫光集團(tuán)、合肥睿力及福建晉華等三大勢(shì)力，但在美光發(fā)動(dòng)司法調(diào)查，緊盯三大廠竊取專利和營(yíng)業(yè)秘密行為后，日前紫光已表態(tài)未來(lái)將朝自主研發(fā)前進(jìn)。　　另合肥睿力由前華亞科副總劉大維主導(dǎo)的團(tuán)隊(duì)，仍如火如荼進(jìn)行，并宣示明年要切入19nm生產(chǎn)DRAM;福建晉華則和聯(lián)電合作，委托聯(lián)電開(kāi)發(fā)DRAM相關(guān)制程技
關(guān)鍵字： DRAM 聯(lián)電

三大內(nèi)存創(chuàng)最缺且漲勢(shì)最久紀(jì)錄，手機(jī)品牌包產(chǎn)能

　　DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大內(nèi)存會(huì)一直缺貨到明年，許多客戶搶貨，已包下南亞科、旺宏和華邦電全部產(chǎn)能。業(yè)界指出，未簽訂長(zhǎng)約的客戶，內(nèi)存供貨將短缺，沖擊產(chǎn)品上市或出貨時(shí)程。　　集邦、IC Insight等研究機(jī)構(gòu)最近紛紛出具報(bào)告，強(qiáng)調(diào)DRAM、NAND Flash到年底都處于缺貨狀態(tài);NOR Flash更因美系二大供貨商淡出效應(yīng)在下半年顯現(xiàn)，缺貨問(wèn)題更嚴(yán)重。　　業(yè)界表示，三大內(nèi)存應(yīng)用范圍廣，尤其NOR Flash幾乎是各電子產(chǎn)品儲(chǔ)存程序代碼關(guān)鍵組件，雖然單價(jià)遠(yuǎn)比DRAM
關(guān)鍵字： NAND DRAM

臺(tái)媒:大陸DRAM突破技術(shù)障礙還得靠臺(tái)灣

　　據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，大陸積極發(fā)展內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，但由于仍難突破三DRAM大廠的技術(shù)防線，在政策與時(shí)間壓力下，反而凸顯臺(tái)廠扮演關(guān)鍵少數(shù)的重要性，業(yè)界分析臺(tái)廠未來(lái)勢(shì)必成為大陸首要爭(zhēng)取合作的對(duì)象。　　大陸的內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，目前形成紫光集團(tuán)、合肥睿力及福建晉華等三大勢(shì)力，但在美光發(fā)動(dòng)司法調(diào)查，緊盯三大廠竊取專利和營(yíng)業(yè)秘密行為后，日前紫光已表態(tài)未來(lái)將朝自主研發(fā)前進(jìn)。　　另合肥睿力由前華亞科副總劉大維主導(dǎo)的團(tuán)隊(duì)，仍如火如荼進(jìn)行，并宣示明年要切入19nm生產(chǎn)DRAM;福建晉華則和聯(lián)電合作，委托聯(lián)電開(kāi)發(fā)DRAM相關(guān)制程技
關(guān)鍵字： DRAM SK海力士

聯(lián)想發(fā)財(cái)報(bào) 是哪條軟肋導(dǎo)致了虧損？

現(xiàn)在的聯(lián)想丟了筆記本老大位置，而手機(jī)業(yè)務(wù)還在持續(xù)虧損，真是沒(méi)法不著急啊。
關(guān)鍵字：聯(lián)想 PC

第二季PC DRAM合約價(jià)漲逾一成，全球DRAM營(yíng)收季增16.9%

　　集邦咨詢內(nèi)存儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，2017年第二季的DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收表現(xiàn)再度創(chuàng)下新高。從價(jià)格方面來(lái)看，由于客戶端已經(jīng)將庫(kù)存水位逐步往上提升，第二季供不應(yīng)求狀況雖不至于像第一季度嚴(yán)重，但整體仍處于供貨吃緊的狀況。標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存與服務(wù)器用內(nèi)存第二季價(jià)格上漲逾一成，行動(dòng)式內(nèi)存則因中國(guó)品牌手機(jī)廠下修出貨數(shù)量，價(jià)格僅小幅上漲5%內(nèi)。　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，觀察市場(chǎng)面，受惠于平均銷售單價(jià)的上揚(yáng)與新制程的持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)，大規(guī)模的擴(kuò)張產(chǎn)能至今年年底仍未見(jiàn)，全球DRAM市場(chǎng)第二
關(guān)鍵字： DRAM NOR

并購(gòu)路不易走中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)如何實(shí)現(xiàn)自主替代？

在海外并購(gòu)道路障礙重重的情況下，我們通過(guò)培養(yǎng)積蓄人才來(lái)為中國(guó)創(chuàng)“芯”積攢力量，向2020年實(shí)現(xiàn)芯片自給率40%、2025年自給率70%的目標(biāo)前進(jìn)，是更為有效地打破“缺芯”現(xiàn)狀實(shí)現(xiàn)自主替代的路徑。
關(guān)鍵字：芯片 DRAM

IC Insights:今年全球IC分類增長(zhǎng)排行,DRAM達(dá)55%

　　根據(jù)市場(chǎng)研究調(diào)查機(jī)構(gòu) IC Insights 的預(yù)估，2017 年全球 IC 市場(chǎng)可望成長(zhǎng)約 16%。其中，在DRAM將成長(zhǎng)更將達(dá) 55%，將是 2017 年中成長(zhǎng)幅度最大的 IC 產(chǎn)品。　　 ? 　　IC Insights 表示，DRAM 市場(chǎng) 2013 年與 2014 年分別成長(zhǎng) 32% 及 34%，也都是當(dāng)年成長(zhǎng)最大的 IC 產(chǎn)品領(lǐng)域。統(tǒng)計(jì)過(guò)去 5 年，DRAM 市場(chǎng)經(jīng)常是成長(zhǎng)最大，或者衰退最大的 IC 產(chǎn)品項(xiàng)目，顯示 DRAM 市場(chǎng)變化極端的特性。不過(guò)，DRAM 市
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背靠聯(lián)電的技術(shù)，晉華存儲(chǔ)DRAM實(shí)力能否殺出重圍？

　　在2016年7月16日，投資370億元人民幣、月產(chǎn)6萬(wàn)片12吋內(nèi)存晶圓、年產(chǎn)值達(dá)12億美元的晉華存儲(chǔ)器集成電路生產(chǎn)線一期項(xiàng)目開(kāi)工儀式。　　　　據(jù)資料顯示，晉華存儲(chǔ)器集成電路生產(chǎn)項(xiàng)目由福建省電子信息集團(tuán)和泉州、晉江兩級(jí)政府共同投建，總規(guī)劃面積594畝，預(yù)計(jì)于2018年9月達(dá)產(chǎn)。作為國(guó)家重點(diǎn)支持的DRAM存儲(chǔ)器生產(chǎn)項(xiàng)目，晉華項(xiàng)目已納入國(guó)家“十三五”集成電路重大生產(chǎn)力布局規(guī)劃重大項(xiàng)目清單，并獲得首筆30億元國(guó)家專項(xiàng)建設(shè)基金支持。　　此項(xiàng)目堪稱晉江所有重
關(guān)鍵字：晉華存儲(chǔ) DRAM

全球半導(dǎo)體2017年增速將達(dá)16%，其中10種產(chǎn)品增速可達(dá)兩位數(shù)

,世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)將半導(dǎo)體分為33個(gè)大類。近日，市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights給出了這33類產(chǎn)品在2017年市場(chǎng)狀況的預(yù)期。　　33種IC產(chǎn)品2017年增速排名(預(yù)計(jì))如下圖所示。增速最快的是DRAM，這并不意外，2017年上半年DRAM價(jià)格異常出色，IC Insights預(yù)計(jì)2017年DRAM總銷售額同比增長(zhǎng)55%，從而成為半導(dǎo)體細(xì)分市場(chǎng)增長(zhǎng)率冠軍。問(wèn)鼎增長(zhǎng)率冠軍對(duì)DRAM市場(chǎng)而言并不是新鮮事，2013年和2014年DRAM同樣引領(lǐng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)。在過(guò)去5年，DRAM要么是增長(zhǎng)率
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三星計(jì)劃調(diào)整Q4Mobile DRAM合約價(jià) 漲幅約10%

　　全球DRAM龍頭韓國(guó)三星電子近期通知相關(guān)電子委托制造廠，計(jì)劃調(diào)漲第4季行動(dòng)式存儲(chǔ)器(Mobile DRAM)合約價(jià)，漲幅近一成，反映DRAM供貨短缺仍未紓解，漲勢(shì)可望延續(xù)至今年第4季，南亞科和華邦電等同步受惠。　　存儲(chǔ)器業(yè)者強(qiáng)調(diào)，DRAM從去年起漲，主要受惠資料中心的服務(wù)器用DRAM需求強(qiáng)勁，加上網(wǎng)通類產(chǎn)品的需求隨導(dǎo)入嵌入式多芯片封裝存儲(chǔ)器的整合架構(gòu)，帶動(dòng)DRAM需求增加，但供給端因DRAM產(chǎn)業(yè)制程已接近極限，前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠，造成供貨緊縮，使平均銷售單價(jià)居高不下，
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三大內(nèi)存罕見(jiàn)同時(shí)缺貨,三星DRAM再漲10%

　　DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大內(nèi)存持續(xù)供貨短缺，創(chuàng)下史上罕見(jiàn)同缺記錄。其中DRAM和NAND內(nèi)存，更寫下史上最長(zhǎng)漲勢(shì)。　　內(nèi)存業(yè)界表示，2008及2015年都出現(xiàn)過(guò)DRAM大漲，但多是因跌深或供貨商發(fā)生爆炸意外所造成的供需失衡，且DRAM和NAND Flash產(chǎn)能會(huì)排擠，很少看到兩大內(nèi)存同漲。　　這次DRAM和NAND內(nèi)存兩大內(nèi)存缺貨超乎預(yù)期且價(jià)格上漲，主要來(lái)自數(shù)據(jù)中心、移動(dòng)設(shè)備及計(jì)算機(jī)三大領(lǐng)域應(yīng)用需求強(qiáng)，前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠，造成供貨緊縮
關(guān)鍵字：三星 DRAM