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如何玩轉(zhuǎn)DDR？要先從這五大關(guān)鍵技術(shù)下手

差分時(shí)鐘是DDR的一個(gè)重要且必要的設(shè)計(jì)，但大家對CK#（CKN）的作用認(rèn)識很少，很多人理解為第二個(gè)觸發(fā)時(shí)鐘，其實(shí)它的真實(shí)作用是起到觸發(fā)時(shí)鐘校準(zhǔn)的作用。
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膝上型PC借助通用GPS RF前端實(shí)現(xiàn)軟件基帶處理

近來，通信和導(dǎo)航工程師越來越傾向在全球定位系統(tǒng)(GPS)中采用軟件技術(shù)。1,2 由于超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，性能強(qiáng)大的CPU和DSP能夠通過軟件對GPS信號進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測和解碼。這些基于軟件的GPS接收機(jī)具有相當(dāng)強(qiáng)的靈活性：只需修改設(shè)置參數(shù)即可適應(yīng)新的應(yīng)用，無需重新設(shè)計(jì)硬件，選擇一個(gè)IF，就可完成進(jìn)一步的系統(tǒng)升級。
關(guān)鍵字：膝上型 GPS PC 軟件基帶 RF前端信號取樣

高通正式進(jìn)軍PC市場！攜手三廠商推出Windows 10 PC

　　今天(5月31日)，高通實(shí)現(xiàn)了從單一芯片提供商到整合方案商的巨大轉(zhuǎn)變，驍龍835以及未來更多高階產(chǎn)品將全面支持 Windows 10。　　在2017年臺北國際電腦展(Computex 2017)上，高通宣布華碩、惠普和聯(lián)想成為首批采用驍龍™835移動 PC 平臺開發(fā)移動 PC 產(chǎn)品的 OEM 廠商，主打輕薄時(shí)尚、長續(xù)航能力且無風(fēng)扇的 Windows 10 PC 產(chǎn)品，該平臺集成了最領(lǐng)先的 X16 LTE 調(diào)制解調(diào)器，為用戶帶來始終連接的移動體驗(yàn)。　　目前在移動 PC 產(chǎn)品的實(shí)際體驗(yàn)
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存儲“芯”動態(tài)：美光擴(kuò)產(chǎn)廣島DRAM廠三星擬擴(kuò)充西安NAND Flash產(chǎn)能

　　多數(shù)手機(jī)以不同存儲規(guī)格來區(qū)別高配版、標(biāo)準(zhǔn)版，而不同版本之間的差價(jià)可達(dá)到幾百元，這讓我們看到了作為四大通用芯片之一的存儲器的重要性。　　　　半導(dǎo)體存儲器是一個(gè)高度壟斷的市場，其三大主流產(chǎn)品 DRAM，NAND Flash，NOR Flash 更是如此，尤其是前兩者，全球市場基本被前三大公司占據(jù)，且近年來壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲芯片為例，2016年第一季度，DRAM市場93%份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據(jù)，而NAND Flash市場幾乎全
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數(shù)據(jù)洪流于英特爾是下一個(gè)“PC”還是下一個(gè)“手機(jī)”？

英特爾看到了數(shù)據(jù)洪流時(shí)代的機(jī)會，這體現(xiàn)了它對未來所擁有的戰(zhàn)略眼光，但是它能否在這些領(lǐng)域占據(jù)優(yōu)勢搶到機(jī)會存在一定的疑問，正如它早就在移動市場布局但是最終它卻在該領(lǐng)域徹底失敗。
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聯(lián)想又逢關(guān)鍵時(shí)刻：高層不斷換血、PC業(yè)務(wù)被反超

這一次，聯(lián)想應(yīng)該是真的被逼急了。可以說，如果財(cái)務(wù)狀況繼續(xù)惡化，它就有可能錯(cuò)失最后的翻盤點(diǎn)。聯(lián)想到了關(guān)鍵時(shí)刻。這也是需要“老將”重新出馬的時(shí)刻。
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微軟與Rambus合作研發(fā)超低溫DRAM存儲系統(tǒng)

　　量子計(jì)算機(jī)如今已經(jīng)成為科技巨頭們爭奪的新高地，IBM、谷歌都涉獵其中。　　現(xiàn)在，微軟也要在量子計(jì)算領(lǐng)域發(fā)揮能量了。　　半導(dǎo)體技術(shù)公司Rambus最新宣布已經(jīng)與微軟達(dá)成合作，雙方將研發(fā)一種能夠在零下180攝氏度環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行的DRAM系統(tǒng)，為未來的量子計(jì)算機(jī)服務(wù)。　　Rambus研究所副總裁GaryBronner介紹稱，與微軟的合作旨在零下180攝氏度環(huán)境下提升DRAM系統(tǒng)的容量和運(yùn)算效率，并且降低功耗。　　同時(shí)，高速串行/并行鏈路也能夠在低溫和超導(dǎo)環(huán)境中有效運(yùn)行，從而確保整個(gè)存儲系統(tǒng)在
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第一季PC DRAM合約價(jià)格上漲約三成

　　集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)表示，2017年第一季度的DRAM產(chǎn)業(yè)營收表現(xiàn)再度創(chuàng)下新高。從價(jià)格方面來看，由于去年第四季嚴(yán)重供不應(yīng)求，多數(shù)PC-OEM廠商選擇提早在去年12月洽談第一季的合約價(jià)以確保供貨穩(wěn)定，使得第一季合約價(jià)再度上漲超過三成，亦帶動其他內(nèi)存類別同步上揚(yáng)，如服務(wù)器內(nèi)存在第一季的價(jià)格上揚(yáng)也相當(dāng)可觀，移動式內(nèi)存價(jià)格也有近一成的漲幅。　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，第一季DRAM總體營收較上季大幅成長約13.4%。從市場面來觀察，原廠產(chǎn)能增加的效應(yīng)最快在
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楊元慶內(nèi)部信：聯(lián)想重組中國區(qū) 劉軍回歸任總裁

　　5月16日上午消息,聯(lián)想集團(tuán)董事長兼CEO楊元慶今天在聯(lián)想內(nèi)部信中表示,聯(lián)想中國區(qū)將重組為個(gè)人電腦及智能設(shè)備集團(tuán)(PCSD)和數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)集團(tuán)(DCG)。劉軍將回歸聯(lián)想,擔(dān)任集團(tuán)執(zhí)行副總裁兼中國區(qū)總裁,領(lǐng)導(dǎo)中國平臺及中國區(qū)PCSD業(yè)務(wù)。童夫堯?qū)?dān)任集團(tuán)高級副總裁兼中國區(qū)總裁,負(fù)責(zé)DCG中國的端到端業(yè)務(wù),以及全球超大規(guī)模數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)中心。　　以下為楊元慶內(nèi)部信原文: 　　各位同仁: 　　中國區(qū)在公司整體業(yè)務(wù)中承擔(dān)著舉足輕重的角色,既是聯(lián)想全球化的大本營,公司的現(xiàn)金牛,又是新業(yè)務(wù)的孵化器,新模式探
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麥格理分析師：DRAM和Flash價(jià)格會持續(xù)漲到年底

　　據(jù)外媒報(bào)道，存儲芯片市場上周出現(xiàn)降溫雜音，麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。　　他認(rèn)為下半年DRAM和NAND價(jià)格仍會續(xù)漲，有利美光、西部數(shù)據(jù)、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價(jià)。　　據(jù)巴隆周刊(Barron's)報(bào)導(dǎo)，Daniel Kim發(fā)布報(bào)告說：「所有數(shù)據(jù)和消息都表明存儲芯片市場今年下半年會比預(yù)期更強(qiáng)。」他看好存儲芯片價(jià)格會持續(xù)漲到今年底。　　整體來說，Daniel Kim認(rèn)為芯片價(jià)格上漲，即暴露看空論點(diǎn)的瑕疵。　　他指出，建構(gòu)數(shù)據(jù)中心的廠商「重視的是系統(tǒng)的表現(xiàn)而
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傳日本硅晶圓廠下砍大陸訂單優(yōu)先供貨臺/美/日半導(dǎo)體大廠

　　全球硅晶圓缺貨嚴(yán)重，已成為半導(dǎo)體廠營運(yùn)成長瓶頸，后續(xù)恐將演變成國家級的戰(zhàn)火，半導(dǎo)體業(yè)者透露，日本硅晶圓大廠Sumco決定出手下砍大陸NOR Flash廠武漢新芯的硅晶圓訂單，優(yōu)先供貨給臺積電、英特爾(Intel)、美光(Micron)等大廠，不僅加重NOR Flash短缺情況，日系供應(yīng)商供貨明顯偏向臺、美、日廠，恐讓大陸半導(dǎo)體發(fā)展陷入硅晶圓不足困境。　　硅晶圓已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵物資，過去10年來硅晶圓產(chǎn)能都是處于供過于求狀態(tài)，如今硅晶圓卻面臨缺貨，且已缺到影響半導(dǎo)體廠生產(chǎn)線運(yùn)作，尤其是12吋規(guī)
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一文看懂3D Xpoint！它估將在未來引爆內(nèi)存市場革命

隨著挑戰(zhàn) 3D Xpoint 的非易失性存儲技術(shù)逐漸出現(xiàn)，傳統(tǒng)的 NAND Flash 依然有很長的路要走，直到 2025 年，這個(gè)技術(shù)都是安然無憂的。因此，NAND Flash 暫時(shí)不會被 3D Xpoint 技術(shù)取代。
關(guān)鍵字：內(nèi)存 DRAM

高盛:DRAM漲勢將趨冷明年轉(zhuǎn)跌

　　據(jù)外電報(bào)道，高盛判斷，DRAM價(jià)格漲勢可能在未來幾季降溫， 2018年價(jià)格也許會轉(zhuǎn)跌，決定調(diào)降內(nèi)存大廠美光評等。　　巴倫周刊8日報(bào)導(dǎo)，高盛的Mark Delaney報(bào)告表示，過去四個(gè)季度以來，DRAM毛利不斷提高。過往經(jīng)驗(yàn)顯示，DRAM榮景通常持續(xù)四到九季，此一趨勢代表DRAM多頭循環(huán)已經(jīng)來到中后段。業(yè)界整合使得本次價(jià)格高點(diǎn)，比以往更高。　　Delaney強(qiáng)調(diào)，和DRAM業(yè)界人士談話發(fā)現(xiàn)，DRAM現(xiàn)貨價(jià)的成長動能放緩，價(jià)格似乎觸頂或略為下滑。 NAND情況較不嚴(yán)重;產(chǎn)業(yè)人士表示，NAND價(jià)
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后PC時(shí)代移動型DRAM成市場主力

　　三星挾帶存儲器產(chǎn)業(yè)龍頭優(yōu)勢，本季營收可望超越英特爾而榮登半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)王座，證明了后PC時(shí)代的到來，隨著移動產(chǎn)業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)及智能汽車產(chǎn)業(yè)興起，讓原先并未擴(kuò)產(chǎn)的存儲器產(chǎn)業(yè)成為炙手可熱的領(lǐng)域，也使得三星更加壯大。　　三星本次挾帶自家DRAM及NANDFlash報(bào)價(jià)急速攀升的氣勢，半導(dǎo)體制造事業(yè)可望躍居產(chǎn)業(yè)龍頭，原因正是DRAM及NANDFlash都受惠于智能手機(jī)搭載需求倍增，在制程轉(zhuǎn)換及產(chǎn)能已數(shù)年未擴(kuò)充等因素作用下，帶動存儲器報(bào)價(jià)上漲。　　從DRAM角度來看，存儲器原廠中，有能力大量產(chǎn)出晶圓的僅有三星、
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三星投26億擴(kuò)展Line 17工廠10nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)能

　　三星上月底發(fā)布了2017年Q1季度財(cái)報(bào),營收只增加1.5%的情況下凈利潤大增46%,其中貢獻(xiàn)最多的就是閃存芯片部門,也就是DRAM內(nèi)存和NAND閃存。時(shí)至今日,DRAM、NAND閃存缺貨、漲價(jià)的情況都沒有緩解,現(xiàn)在還是供不應(yīng)求,好在三星、SK Hynix、美光等公司也加大了投資力度提升產(chǎn)能,其中三星也要斥資26.4億美元擴(kuò)產(chǎn)Line 17工廠,下半年加速10nm級DRAM內(nèi)存生產(chǎn)。　　三星前不久才宣布了全球最大的半導(dǎo)體工廠平澤工廠竣工,那個(gè)是針對NAND閃存的,主力產(chǎn)品將是64層堆棧的3D NAN
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