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新型存儲器技術(shù)未來將主導(dǎo)存儲器市場

　　存儲器主導(dǎo)著許多SoC，我們很少聽說某個(gè)設(shè)計(jì)包含太多的存儲器。然而，存儲器消耗了大部分的系統(tǒng)功耗，雖然這對于許多系統(tǒng)可能不是關(guān)鍵問題，但是對于物聯(lián)網(wǎng)(IoT)邊緣設(shè)備而言，總功耗是非常重要的。　　幾乎所有系統(tǒng)的存儲需求都在變化。雖然新的存儲器和存儲器架構(gòu)已經(jīng)籌劃了很長時(shí)間，但仍未被廣泛采用。然而，許多業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為臨界點(diǎn)已然將近。　　過去50年中，SRAM和DRAM已經(jīng)成為存儲器層次結(jié)構(gòu)的主力，F(xiàn)LASH最近幾年也在加入了“戰(zhàn)場”。所有這些存儲結(jié)構(gòu)在往較小的幾何結(jié)構(gòu)縮放的
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并購ISSI獲DRAM技術(shù) 兆易創(chuàng)新前路何在？

兆易創(chuàng)新借助ISSI在DRAM方面的技術(shù)是有可能實(shí)現(xiàn)一定程度的進(jìn)口替代，如果進(jìn)一步出臺政策支持存儲芯片的生產(chǎn)與銷售，在國內(nèi)的DRAM市場分到一杯羹。
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從四個(gè)方面看中國存儲芯片崛起的艱難

考慮到中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的現(xiàn)狀，如果我們不持續(xù)投入，那又怎樣才能實(shí)現(xiàn)電子產(chǎn)業(yè)的自主可控呢?
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臺媒：大陸2025年IC自主目標(biāo)恐難達(dá)成海外技術(shù)取得成關(guān)鍵

　　中國大陸擁有龐大IC產(chǎn)品需求市場，但自給自足率卻明顯偏低，必須高度仰賴海外IC產(chǎn)品進(jìn)口。為此中國國務(wù)院于2015年3月發(fā)起“2025年中國制造”(MIC 2025)計(jì)劃，目標(biāo)到了2020年達(dá)到4成的IC產(chǎn)品自給自足率目標(biāo)，到了2025年更要達(dá)到7成水準(zhǔn)。不過市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights分析認(rèn)為，這項(xiàng)目標(biāo)恐難達(dá)成，而技術(shù)落差也成為現(xiàn)階段大陸IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的最主要困境。　　國家層級IC產(chǎn)業(yè)供需自給自足的迷思　　根據(jù)IC Insights報(bào)導(dǎo)指出，現(xiàn)實(shí)情況下在整體IC產(chǎn)業(yè)
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國內(nèi)存儲器項(xiàng)目建設(shè)火熱亟需制定預(yù)警機(jī)制

　　存儲器產(chǎn)品主要包括DRAM內(nèi)存和FLASH閃存。從歷史發(fā)展經(jīng)驗(yàn)來看，存儲器產(chǎn)業(yè)是一個(gè)周期波動(dòng)的產(chǎn)業(yè)，同時(shí)也是一個(gè)高度壟斷和高風(fēng)險(xiǎn)的產(chǎn)業(yè)。2016年12月底總投資240億美元的長江存儲國家存儲器基地正式開工建設(shè)，同時(shí)福建晉華和合肥長芯等存儲器項(xiàng)目也正在積極籌備和建設(shè)當(dāng)中。在我國將發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)作為國家戰(zhàn)略的大背景下，考慮到存儲器產(chǎn)業(yè)本身的周期波動(dòng)和不確定性，以及長期大投入、高風(fēng)險(xiǎn)特性，研究認(rèn)為，盡快建立并完善行業(yè)定期監(jiān)測分析和預(yù)警機(jī)制，無論從國家層面還是從產(chǎn)業(yè)層面，都是一件非常有意義的事情。　　存儲
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DRAM內(nèi)存價(jià)格猛漲停不下來，下半年才能穩(wěn)定？

從去年下半年開始DDR3和DDR4內(nèi)存的價(jià)格都在瘋漲，這個(gè)漲勢什么時(shí)候會停呢?放心吧紅市會一直持續(xù)到今年第二季度，到了第三季度可能會穩(wěn)定下來，然而這不代表價(jià)格會降低。
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DRAM強(qiáng)漲金士頓：將缺貨一整年

　　內(nèi)存市況今年持續(xù)看好，據(jù)SEMI半導(dǎo)體協(xié)會預(yù)估，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將成長17.8%，成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)恢復(fù)強(qiáng)勁成長的主要推手，不少相關(guān)業(yè)者表示，缺貨情況將再延續(xù)半年，第2季有機(jī)會呈現(xiàn)小漲走勢。　　DRAM報(bào)價(jià)從2016年第4季成功終止連續(xù)下跌8季的低潮，開始展開強(qiáng)勁的反彈，迄今至少大漲40~50%之多。 DRAM供貨商南亞科(2408)總經(jīng)理李培瑛、封測大廠力成(6239)董事長蔡篤恭口徑一致指出，至少還要再缺貨半年，內(nèi)存模塊大廠金士頓更直說，DRAM將缺貨一整年。　　應(yīng)用多元需求走強(qiáng) 　　臺灣金士頓
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DRAM市場所向披靡三星穩(wěn)坐存儲霸主寶座

　　雖然現(xiàn)在三星被業(yè)界貶低，但是我們不得不承認(rèn)，其地位依然很強(qiáng)勢。強(qiáng)大的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)仍是三星的后盾，這些年來三星憑借該業(yè)務(wù)獲益匪淺。三星去年遭遇手機(jī)品牌危機(jī)，雖然導(dǎo)致其智能手機(jī)業(yè)務(wù)遭遇滑坡，但是元件業(yè)務(wù)的完全可以彌補(bǔ)，直到現(xiàn)在三星依然是DRAM和NAND和SSD市場的老大，依然有價(jià)格主導(dǎo)權(quán)利。　　不管是PC業(yè)務(wù)還是手機(jī)業(yè)務(wù)未來日子不好過的情況下，唯獨(dú)DRAM內(nèi)存、NAND閃存活的很滋潤。我們看到在2016年下半年DRAM內(nèi)存開始缺貨，甚至漲價(jià)，據(jù)了解，DRAM漲價(jià)的主要推手是三星公司。眾所周知，
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NOR Flash也要漲價(jià) 元器件供應(yīng)鏈為何進(jìn)入缺貨周期？

從2016年下半年開始，包括CPU、內(nèi)存、屏幕、CMOS Sensor在內(nèi)的眾多電子元器件都進(jìn)入了缺貨周期，這樣就給終端制造商帶來了成本壓力，最終這個(gè)壓力就轉(zhuǎn)移到了消費(fèi)者身上，引起蝴蝶效應(yīng)。
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DRAM市場所向披靡三星穩(wěn)坐存儲霸主寶座

　　雖然現(xiàn)在三星被業(yè)界貶低，但是我們不得不承認(rèn)，其地位依然很強(qiáng)勢。強(qiáng)大的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)仍是三星的后盾，這些年來三星憑借該業(yè)務(wù)獲益匪淺。三星去年遭遇手機(jī)品牌危機(jī)，雖然導(dǎo)致其智能手機(jī)業(yè)務(wù)遭遇滑坡，但是元件業(yè)務(wù)的完全可以彌補(bǔ)，直到現(xiàn)在三星依然是DRAM和NAND和SSD市場的老大，依然有價(jià)格主導(dǎo)權(quán)利。　　不管是PC業(yè)務(wù)還是手機(jī)業(yè)務(wù)未來日子不好過的情況下，唯獨(dú)DRAM內(nèi)存、NAND閃存活的很滋潤。我們看到在2016年下半年DRAM內(nèi)存開始缺貨，甚至漲價(jià)，據(jù)了解，DRAM漲價(jià)的主要推手是三星公司。眾所周知，由于
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2020年63%智能手機(jī)采用8GB RAM

　　智能手機(jī)屏幕放大、分辨率提高，推升高效能移動(dòng)DRAM的需求，讓三星、海力士等韓國兩大存儲器廠錢景一片看好。　　TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange周日發(fā)布報(bào)告預(yù)測，第一季DDR雙通道存儲器芯片報(bào)價(jià)今年第一季有望成長10-15%，為前一季3-7%的兩倍多，反映市場供給吃緊的程度。　　智能手機(jī)功能越來越多元，高分辨率的大屏幕手機(jī)更有賴于高密度DRAM模組驅(qū)動(dòng)，如此才能實(shí)現(xiàn)類似PC的“多線程工作”。據(jù)傳，三星今年推出的Galaxy S8手機(jī)其中一款
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美光預(yù)投1,300億未來規(guī)劃中科擴(kuò)廠計(jì)劃

　　中國臺灣地區(qū)經(jīng)濟(jì)部工業(yè)局昨(17)日首度證實(shí)，全球DRAM大廠美光預(yù)計(jì)在臺投資新臺幣1，300億元，未來將落腳中部科學(xué)園區(qū)進(jìn)行擴(kuò)廠計(jì)劃，預(yù)計(jì)將增加逾2千個(gè)就業(yè)機(jī)會。據(jù)悉，美光鎖定中科進(jìn)行新的3D封測制程，預(yù)估2-3年可量產(chǎn)，要打造成為亞太區(qū)營運(yùn)中心。　　工業(yè)局表示，去年協(xié)助美光在臺擴(kuò)大投資，總投資金額高達(dá)新臺幣1，300億元，也就美光擴(kuò)大投資所需土地、廠房、資金等提供協(xié)助，未來規(guī)劃中科擴(kuò)廠計(jì)劃，將可增加2，000個(gè)以上就業(yè)機(jī)會，將臺灣塑造為高效完整的DRAM全球生產(chǎn)基地。　
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工序失衡！2017 DRAM內(nèi)存缺貨/漲價(jià)繼續(xù)蔓延

　　從2016年下半年開始，內(nèi)存、閃存的缺貨漲價(jià)勢頭開始上揚(yáng)，2017年這一局面將繼續(xù)擴(kuò)散蔓延，而且一整年都未必會有改觀。　　據(jù)臺灣經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)道，內(nèi)存大廠金士頓近日表態(tài)，今年因?yàn)橹饕腄RAM內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計(jì)劃，全年DRAM內(nèi)存都面臨缺貨窘境。此外，群聯(lián)公司董事長潘建成也強(qiáng)調(diào)，NAND閃存因?yàn)檫M(jìn)入3D世代，制程良率無法提升，預(yù)計(jì)將缺貨一整年。　　日前，金士頓董事長陳建華出席群聯(lián)竹南三廠上梁典禮時(shí)，針對DRAM內(nèi)存市場進(jìn)行了分析，他表示，目前主要DRAM內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計(jì)劃
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為什么說中國必須建設(shè)本土存儲產(chǎn)業(yè)

　　在長江存儲，晉華項(xiàng)目和合肥長鑫這三大存儲國產(chǎn)存儲基地開建之際，有很多人曾經(jīng)質(zhì)疑過中國為什么要投入那么多錢去做這個(gè)建設(shè)?，F(xiàn)在我通過一個(gè)事實(shí)告訴你原因。現(xiàn)在在存儲產(chǎn)業(yè)，基本是韓國廠商的天下，而隨著設(shè)動(dòng)設(shè)備的火熱，各種設(shè)備的爆發(fā)，市場對存儲的需求日增，于是帶來了存儲產(chǎn)品的缺貨問題，進(jìn)而導(dǎo)致了漲價(jià)。　　拜DRAM價(jià)格因供給短缺而以高角度上揚(yáng)之賜，部分分析師預(yù)測南韓兩大存儲廠三星與SK海力士，今年半導(dǎo)體營業(yè)利潤可能年增5成，來到史無前例的25兆韓圓。　　存儲市況從2016年6月觸底反彈后，從最低每單位1
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大陸存儲器的戰(zhàn)略布局

　　長江存儲成立后，大陸在這個(gè)階段于半導(dǎo)體的宏觀布局重新成形。但是為什么挑由存儲器入手?這是個(gè)關(guān)鍵選擇。尤其是在臺灣的 DRAM 產(chǎn)業(yè)甫因規(guī)模經(jīng)濟(jì)不足導(dǎo)致研發(fā)無法完全自主而緩緩淡出之際，這樣的選擇需要一番辯證。進(jìn)口替代當(dāng)然是原因之一，但不是全部。　　回歸基本面來看。半導(dǎo)體之所以為高科技是因?yàn)橛心柖?，容許其不斷的制程微縮，而其經(jīng)濟(jì)效益也高度依賴摩爾定律。DRAM 在很長的一段時(shí)間里是半導(dǎo)體業(yè)的驅(qū)策技術(shù)(driving technology)，也就是說DRAM的制程領(lǐng)導(dǎo)其它的半導(dǎo)體制程前進(jìn)。半導(dǎo)體的先
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