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SK 海力士計(jì)劃明年第二季量產(chǎn)10 納米DRAM

　　繼三星之后，SK 海力士計(jì)劃明年開(kāi)始量產(chǎn) 10 納米 DRAM，在 1x DRAM 開(kāi)發(fā)完成后，SK 海力士將繼續(xù)研發(fā) 1y DRAM，并為發(fā)展 1z DRAM 鋪路。　　來(lái)自產(chǎn)業(yè)界的消息指出，SK 海力士 1x DRAM 開(kāi)發(fā)代號(hào)設(shè)為 Alius，已準(zhǔn)備進(jìn)入量產(chǎn)前置作業(yè)。SK 海力士目前已經(jīng)完成晶圓制樣，正要在進(jìn)行可靠度認(rèn)證。　　半導(dǎo)體認(rèn)證通常需將過(guò)工程試樣(Engineering sample)與客戶端式樣(Customer sample)兩道程序，在通過(guò)客戶測(cè)試后，產(chǎn)品開(kāi)發(fā)才算完成。據(jù)報(bào)
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美光重心押注臺(tái)灣 3D DRAM封測(cè)廠和華亞科擴(kuò)建案投資達(dá)千億

　　美光全數(shù)收購(gòu)華亞科股權(quán)，華亞科并于6日下市，美光定于12日舉行華亞科加入美光典儀，并將宣布在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)擴(kuò)大投資案，包括3D DRAM封測(cè)廠和華亞科擴(kuò)建案，估計(jì)總投資金額上看千億元新臺(tái)幣。　　美光已網(wǎng)羅前艾克爾總經(jīng)理梁明成出任負(fù)責(zé)美光存儲(chǔ)器后段封測(cè)廠投資案，12日華亞科加入美光的慶祝典禮，美光執(zhí)行長(zhǎng)鄧肯(Mark Durcan)將親自主持，預(yù)料將同步宣布相關(guān)人事及擴(kuò)大在臺(tái)投資布局。　　這也是美光繼在大陸西安廠之后，在海外最大手筆的封測(cè)投資計(jì)劃，美光也借由邀請(qǐng)包括臺(tái)灣桃園市長(zhǎng)鄭文燦及經(jīng)濟(jì)部長(zhǎng)等相
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美光計(jì)劃擴(kuò)大3D DRAM封測(cè)廠和華亞科擴(kuò)建案

　　繼以一千三百億元新臺(tái)幣收購(gòu)華亞科股權(quán)后，美光決定擴(kuò)大在臺(tái)投資，計(jì)劃在中科興建美光在海外首座3D架構(gòu)的存儲(chǔ)器封測(cè)廠，并網(wǎng)羅前艾克爾(Amkor)總經(jīng)理梁明成出任這項(xiàng)業(yè)務(wù)臺(tái)灣區(qū)總經(jīng)理，新投資計(jì)劃預(yù)定十二日宣布。　　梁明成四日證實(shí)已于十月底離開(kāi)艾克爾，但因美光還未正式對(duì)布發(fā)布人事，他低調(diào)表示還在休息，詳細(xì)職務(wù)等美光宣布。　　據(jù)了解，美光收購(gòu)華亞科股權(quán)案已進(jìn)入尾聲，華亞科已于十一月卅日停止交易，美光預(yù)定十二日舉辦華亞科加入美光的慶祝典禮，美光執(zhí)行長(zhǎng)鄧肯(Mark Duncan)將再度親自抵臺(tái)主持，預(yù)料
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一文看盡最新最全的大陸晶圓廠產(chǎn)能數(shù)據(jù)

無(wú)論如何，產(chǎn)業(yè)要想發(fā)展、進(jìn)步，就必須要有投資，而投資必然會(huì)伴隨著風(fēng)險(xiǎn)，大量資金和資源投入，都打了水漂的情況以前也曾頻頻出現(xiàn)過(guò)，只希望在國(guó)家大力扶持下的IC產(chǎn)業(yè)，能盡量少走彎路，早日實(shí)現(xiàn)中國(guó)“芯”，強(qiáng)國(guó)夢(mèng)。
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三星內(nèi)存霸占手機(jī)：市場(chǎng)份額創(chuàng)紀(jì)錄

　　市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange的最新數(shù)據(jù)顯示，2016年第三季度的全球移動(dòng)DRAM內(nèi)存市場(chǎng)上，三星電子的份額已經(jīng)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的64.5%，比此前季度提高了3.0個(gè)百分點(diǎn)。　　當(dāng)季，三星移動(dòng)內(nèi)存業(yè)務(wù)收入達(dá)29.6億美元(約合人民幣205億元)，環(huán)比大漲22.4%。　　作為三星的頭號(hào)對(duì)手，SK海力士的份額從25.1%下降到了22.8%，基本上只有三星1/3的規(guī)模，不過(guò)兩家合計(jì)已經(jīng)占到了87.3%。　　美光位列第三，但形勢(shì)也不太好，跌落到10.6%。臺(tái)灣南亞有所上升，但也不過(guò)1.3%。　　上
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第三季移動(dòng)DRAM內(nèi)存產(chǎn)值季增16.8%

　　TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新調(diào)查顯示，受惠于全球智能手機(jī)進(jìn)入傳統(tǒng)備貨旺季，加上各DRAM產(chǎn)品價(jià)格同步上揚(yáng)，第三季行動(dòng)式內(nèi)存總產(chǎn)值達(dá)45.88億美元，季成長(zhǎng)約16.8%。　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季有蘋(píng)果iPhone 7與三星Note 7旗艦機(jī)型發(fā)布，讓全球行動(dòng)式內(nèi)存出貨大增，縱使Note 7受爆炸影響于第四季宣布停產(chǎn)，先前的備料動(dòng)作已為第三季行動(dòng)式內(nèi)存的營(yíng)收做出貢獻(xiàn)。　　以三大DRAM廠行動(dòng)式內(nèi)存營(yíng)收市占來(lái)
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兆易創(chuàng)新即將與ISSI整并成國(guó)產(chǎn)DRAM新?lián)?dāng)？

　　中國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體在存儲(chǔ)始終無(wú)法取得突破性進(jìn)展，現(xiàn)在有關(guān)廠商團(tuán)隊(duì)都積極動(dòng)起來(lái)，近來(lái)相關(guān)整并、建廠消息一樁接一樁。早前曾報(bào)導(dǎo)過(guò)，中國(guó)NOR Flash廠商兆易創(chuàng)新(Gigadevice)可能與武岳峰等中國(guó)基金所收購(gòu)的美國(guó)DRAM廠ISSI合并，從9月中停牌迄今的兆易創(chuàng)新19日再發(fā)出持續(xù)停牌公告，并正式揭露了即將與ISSI整并的消息! 　　19 日上海交易所上市的兆易創(chuàng)新再發(fā)停牌公告，以正在籌劃重大事項(xiàng)為由，即日起將持續(xù)停牌，今年9 月中開(kāi)始兆易創(chuàng)新即以重大資產(chǎn)重組為由停牌多時(shí)，此次，兆易創(chuàng)新也正式揭露了原
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TrendForce：價(jià)格漲勢(shì)不停，第三季DRAM總營(yíng)收大幅季成長(zhǎng)15.8%

　　TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示，受惠于全球智能手機(jī)出貨成長(zhǎng)，及內(nèi)存搭載量不斷攀升，第二季開(kāi)始DRAM原廠逐步降低標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存的產(chǎn)出，轉(zhuǎn)為行動(dòng)式內(nèi)存與服務(wù)器用內(nèi)存。在供應(yīng)逐漸吃緊下，第三季開(kāi)始標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存價(jià)格呈上漲走勢(shì)，同時(shí)帶動(dòng)其他類別內(nèi)存的價(jià)格上揚(yáng)。使得第三季全球DRAM總體營(yíng)收較上季大幅成長(zhǎng)約15.8%。　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季適逢蘋(píng)果iPhone 7與三星Note7二大旗艦機(jī)備貨潮，雖然Note 7后來(lái)于第四
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價(jià)格漲勢(shì)不停，第三季DRAM總營(yíng)收大幅季成長(zhǎng)15.8%

　　TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示，受惠于全球智能手機(jī)出貨成長(zhǎng)，及內(nèi)存搭載量不斷攀升，第二季開(kāi)始DRAM原廠逐步降低標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存的產(chǎn)出，轉(zhuǎn)為行動(dòng)式內(nèi)存與服務(wù)器用內(nèi)存。在供應(yīng)逐漸吃緊下，第三季開(kāi)始標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存價(jià)格呈上漲走勢(shì)，同時(shí)帶動(dòng)其他類別內(nèi)存的價(jià)格上揚(yáng)。使得第三季全球DRAM總體營(yíng)收較上季大幅成長(zhǎng)約15.8%。　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季適逢蘋(píng)果iPhone 7與三星Note7二大旗艦機(jī)備貨潮，雖然Note 7后來(lái)于第四
關(guān)鍵字： DRAM 南亞科

日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程解讀

目前世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入到寡頭時(shí)代，競(jìng)爭(zhēng)格局相對(duì)穩(wěn)定。盡管日本企業(yè)在半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)份額日益減少，但在半導(dǎo)體的一些其他細(xì)分行業(yè)以及半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，日本企業(yè)仍保持著優(yōu)勢(shì)地位。
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 DRAM

DRAM戰(zhàn)國(guó)時(shí)代長(zhǎng)江存儲(chǔ)、聯(lián)電、合肥長(zhǎng)芯三大勢(shì)力將對(duì)決

　　近期大陸三股勢(shì)力正如火如荼點(diǎn)燃DRAM主導(dǎo)權(quán)大戰(zhàn)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)傳已評(píng)估到南京設(shè)立12寸廠，聯(lián)電大陸DRAM廠福建晉華計(jì)劃2018年量產(chǎn)，并在南科廠同步研發(fā)25、30nm制程，至于合肥市與北京兆易創(chuàng)新(GigaDevice)合作的合肥長(zhǎng)芯，由前中芯國(guó)際執(zhí)行長(zhǎng)王寧國(guó)操刀，大陸這三股DRAM勢(shì)力將決戰(zhàn)2018年，搶當(dāng)大陸DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭。　　盡管大陸布局自制3D NAND Flash雛形漸現(xiàn)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將與已并購(gòu)飛索(Spansion)的賽普拉斯(Cypress)合作，切入32層和64層3D NAND技術(shù)，由
關(guān)鍵字： DRAM 長(zhǎng)江存儲(chǔ)

SK海力士：10納米級(jí)DRAM估2017年上半投產(chǎn)

　　據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品，2016年底生產(chǎn)比重將達(dá)全部DRAM的40%;10納米級(jí)DRAM規(guī)劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領(lǐng)域?qū)⒛繕?biāo)訂在2017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash，持續(xù)擴(kuò)大3D NAND的生產(chǎn)比重。　　SK海力士DRAM技術(shù)本部長(zhǎng)金進(jìn)國(guó)(音譯)表示，IT產(chǎn)業(yè)對(duì)大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來(lái)市場(chǎng)需求開(kāi)始由DDR3、LPDDR3轉(zhuǎn)移到DDR4、LPDDR4，公司
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SK海力士：10納米級(jí)DRAM估2017年上半投產(chǎn)

　　據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品，2016年底生產(chǎn)比重將達(dá)全部DRAM的40%;10納米級(jí)DRAM規(guī)劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領(lǐng)域?qū)⒛繕?biāo)訂在2017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash，持續(xù)擴(kuò)大3D NAND的生產(chǎn)比重。　　SK海力士DRAM技術(shù)本部長(zhǎng)金進(jìn)國(guó)(音譯)表示，IT產(chǎn)業(yè)對(duì)大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來(lái)市場(chǎng)需求開(kāi)始由DDR3、LPDDR3轉(zhuǎn)移到DDR4、LPDDR4，公司
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串行12位ADC(MAX187)與PC(電腦)之間的接口電路

串行12位ADC(MAX187)與PC(電腦)之間的接口電路近幾年來(lái)，IC制造商設(shè)計(jì)了實(shí)現(xiàn)接口的各種方法，并且特別重視減少I(mǎi)C接口I/O引腳的數(shù)量。MAX187就是這樣一個(gè)器件，它是一個(gè)12位模/數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）。你可以利用串行數(shù)據(jù)通信技術(shù)產(chǎn)...
關(guān)鍵字：串行 12位ADC PC(電腦)

賽普拉斯率先推出采用低引腳數(shù)MCP封裝的串行存儲(chǔ)器解決方案，實(shí)現(xiàn)汽車、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的瞬時(shí)啟動(dòng)

　　賽普拉斯半導(dǎo)體公司今日宣布其一款用于支持瞬時(shí)啟動(dòng)應(yīng)用的全新小尺寸存儲(chǔ)器解決方案已驗(yàn)證成功。賽普拉斯 HyperFlash和HyperRAM 多芯片封裝(MCP)解決方案在8mm x 6mm的空間內(nèi)集成了賽普拉斯的3V 512M HyperFlash™和64M HyperRAM™存儲(chǔ)器。該方案在一個(gè)低引腳數(shù)封裝內(nèi)結(jié)合了用于實(shí)現(xiàn)快速啟動(dòng)和隨開(kāi)隨用高速NOR閃存，和用于擴(kuò)展便箋式存儲(chǔ)器的自刷新DRAM ，特別適合空間受限和成本優(yōu)化的嵌入式設(shè)計(jì)。該解決方案可用于廣泛的應(yīng)用類別，包括
關(guān)鍵字：賽普拉斯 DRAM