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Power Integrations在馬來西亞設(shè)立生產(chǎn)支持與研發(fā)中心，

  • 　　致力于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司宣布在馬來西亞檳城設(shè)立新的分支機(jī)構(gòu)。新機(jī)構(gòu)將充當(dāng)生產(chǎn)支持與研發(fā)中心，以及公司管理亞洲供應(yīng)鏈的運(yùn)營樞紐。檳城分機(jī)機(jī)構(gòu)的設(shè)立可進(jìn)一步擴(kuò)大Power Integrations在全球的業(yè)務(wù)版圖，包括我們在美國硅谷(也是總部所在地)、加拿大、瑞士和英國的研發(fā)中心，以及在菲律賓和德國的設(shè)計(jì)支持中心，還有全球19個現(xiàn)場實(shí)驗(yàn)室。檳城分支機(jī)構(gòu)已于本月初正式開業(yè)，開業(yè)儀式由檳城首席部長林冠英主持?！　ower&nb
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格芯推出面向下一代移動和5G應(yīng)用的8SW RF-SOI技術(shù)

  • 　　格芯(GLOBALFOUNDRIES)今天宣布推出業(yè)內(nèi)首個基于300毫米晶圓的RF SOI代工解決方案。8SW SOI技術(shù)是格芯最先進(jìn)的RF SOI技術(shù)，可以為4G LTE以及6GHz以下5G移動和無線通信應(yīng)用的前端模塊(FEM)帶來顯著的性能、集成和面積優(yōu)勢?！　「裥救碌牡统杀尽⒌凸?、高度靈活8SW的解決方案可以在300毫米生產(chǎn)線上制造具有出色開關(guān)性能、低噪聲放大器(LNA)和邏輯處理能力的產(chǎn)品。與上一代產(chǎn)品相比，該技術(shù)可以將功耗降低至70%，實(shí)現(xiàn)更高的電
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格芯CEO：FD-SOI是中國需要的技術(shù)

  • 　　5G時代將對半導(dǎo)體的移動性與對物聯(lián)網(wǎng)時代的適應(yīng)性有著越來越高的要求。此時，F(xiàn)D-SOI與RF-SOI技術(shù)的優(yōu)勢日漸凸顯，人們對SOI技術(shù)的關(guān)注也與日俱增。　　9月26日，第五屆上海FD-SOI論壇成功舉辦。格芯CEO 桑杰·賈(Sanjay Jha)親臨現(xiàn)場，發(fā)表主題為「以SOI技術(shù)制勝(Winning with SOI)」的演講，闡述了格芯如何利用FDX?平臺推進(jìn)SOI技術(shù)的發(fā)展，介紹公司最新技術(shù)成果的同時也總結(jié)了SOI技術(shù)的現(xiàn)狀，并暢想了產(chǎn)業(yè)的未來。　　關(guān)于
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格芯發(fā)布基于領(lǐng)先的FDX? FD-SOI技術(shù)平臺的毫米波和射頻/模擬解決方案

  • 　　格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出面向下一代無線和物聯(lián)網(wǎng)芯片的射頻/模擬PDK(22FDX?-rfa)解決方案，以及面向5G、汽車?yán)走_(dá)、WiGig、衛(wèi)星通信以及無線回傳等新興高容量應(yīng)用的毫米波PDK(22FDX?-mmWave)解決方案。　　該兩種解決方案都基于格芯的22納米FD-SOI平臺，該平臺將高性能射頻、毫米波和高密度數(shù)字技術(shù)結(jié)合，為集成單芯片系統(tǒng)解決方案提供支持。該技術(shù)在低電流密度和高電流密度的應(yīng)用中都可以實(shí)現(xiàn)最高特征頻率和最高振蕩頻率，適用于對性能和功耗都有超高要求的應(yīng)用，
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格芯宣布推出基于行業(yè)領(lǐng)先的22FDX? FD-SOI 平臺的嵌入式磁性隨機(jī)存儲器

  • 　　格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22納米 FD-SOI (22FDX?)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機(jī)存儲器(eMRAM)技術(shù)。作為業(yè)界最先進(jìn)的嵌入式內(nèi)存解決方案，格芯22FDX eMRAM，為消費(fèi)領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車等廣泛應(yīng)用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性?！　≌缃谠诿绹故镜模裥?2FDX eMRAM具有業(yè)界領(lǐng)先的存儲單元尺寸，擁有在260°C回流焊中保留數(shù)據(jù)的能力，同時能使數(shù)據(jù)在125°C環(huán)境下保留10年以上。
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Power Integrations與Casambi Technologies聯(lián)合推出調(diào)光調(diào)色智能照明參考設(shè)計(jì)

  • 　　高效率、高可靠性LED驅(qū)動器IC領(lǐng)域的世界領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司(納斯達(dá)克股票代號：POWI)與Casambi Technologies OY今日聯(lián)合發(fā)布一款全新的參考設(shè)計(jì)(DER-612)。這是一款適用于智能照明應(yīng)用的具備功率因數(shù)校正的恒壓(CV)、恒流(CC) 12 W隔離反激式電源。該設(shè)計(jì)中的3.3 V電源可為Casambi CBM-001 Bluetooth?無線模塊供電，該模塊可為0&nb
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Power一級代理：Power芯片

  • 　　Power Integrations, Inc.創(chuàng)立于1988年，是用于功率轉(zhuǎn)換的高壓模擬集成電路(IC)業(yè)界的領(lǐng)先供應(yīng)商。采用Power Integrations IC可以實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)緊湊且更加輕便的電源，不僅設(shè)計(jì)和制造過程更簡單、性能更可靠，而且與采用同類技術(shù)的電源相比更節(jié)能?！　ower公司的創(chuàng)新技術(shù)可在廣泛電子應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)緊湊型、高能效電源，應(yīng)用包括 LED 照明、手機(jī)充電器、計(jì)算機(jī)、LCD 電視、DVD 播放機(jī)、電視
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Power Integrations推出緊湊、高效的SCALE-iDriver? IC產(chǎn)品系列，可支持1700 V IGBT

  • 　　中高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者今天推出SCALE-iDriver?系列電磁隔離的單通道門極驅(qū)動IC的擴(kuò)展產(chǎn)品。新器件支持耐壓為1700 V以內(nèi)的IGBT，通常適用于400 VAC至690 VAC的應(yīng)用。它們也適用于最新的三電平拓?fù)涔夥孀兤鳎约安捎?500 V新直流母線標(biāo)準(zhǔn)的光伏陣列。擴(kuò)展后的1700 V SCALE-iDriver產(chǎn)品系列允許OEM廠商在各類解決方案中使用相同的高度集成、安全可靠的驅(qū)動器方案。
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Power Integrations與偉詮電子聯(lián)合推出適合智能移動設(shè)備的18 W USB PD快速充電器參考設(shè)計(jì)

  • 　　致力于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power?Integrations公司與USB?Type-CTM功率傳輸(PD)控制器領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者偉詮電子(Weltrend?Semiconductor?Inc.)今日聯(lián)合推出一款適合智能移動設(shè)備的18?W?USB?PD交流-直流電源變換器參考設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)(參考設(shè)計(jì)DER-567)同時采用了偉詮電子的WT6630P?USB?Type-C?PD控制器與Pow
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Power VR的敵手 Mali系列GPU詳解

  • 　　GPU作為圖形處理器，被稱為顯卡的大腦，決定著芯片處理圖形的性能和檔次，我相信大家都能理解它在手機(jī)芯片中的重要地位。 　　事實(shí)上， GPU 的市場的確和 CPU 一樣，充斥著斗爭和較量，并且主角依然是那幾個芯片大廠。在利益面前，人人都想分一杯羹，當(dāng)市場逐漸飽和，利益驅(qū)動著優(yōu)勝劣汰，整個行業(yè)才顯得規(guī)范和有序。而殘酷的淘汰制背后，形成了今天 GPU 生產(chǎn)商的三足鼎立。而霸占市場的產(chǎn)品分別是ARM公司的公版架構(gòu) Mali 、Imagination 公司的 Power VR 和高通的Ardeno系列。 　
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Power Integrations推出HiperPFS-4功率因數(shù)校正IC，可使550 W以內(nèi)PFC設(shè)計(jì)的效率達(dá)到98%

  • 　　致力于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者今日推出HiperPFSTM-4系列功率因數(shù)校正(PFC) IC。新器件系列適合要求在滿載及輕載下均提供優(yōu)異效率及功率因數(shù)性能的應(yīng)用。HiperPFS-4器件采用緊湊型電氣隔離的可散熱封裝，內(nèi)部同時集成了一個適合305 VAC輸入的600 V MOSFET和一個高效率變頻CCM PFC控制器。該IC系列不僅能提供高功率因數(shù)和低THD，而且還可在非常寬的輸出負(fù)載范圍內(nèi)始終實(shí)現(xiàn)高效率，使OEM廠商符合嚴(yán)格的80
  • 關(guān)鍵字： Power Integrations  HiperPFS-4  

大容量的全新市場正在推動半導(dǎo)體商機(jī)的涌現(xiàn)

  • 預(yù)計(jì)半導(dǎo)體和代工市場將在2016-2020年出現(xiàn)強(qiáng)勁成長，半導(dǎo)體年復(fù)合增長率達(dá)4.4%，代工業(yè)年復(fù)合增長率達(dá)7.1%，而且中國代工廠的年復(fù)合增長率更高，達(dá)20%。2017年2月10日，格芯公司CEO Sanjay Jha博士在格芯成都工廠奠基典禮之后，向部分國內(nèi)媒體介紹了格芯對全球半導(dǎo)體市場的看法及其業(yè)務(wù)擴(kuò)展計(jì)劃。
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體市場  FD-SOI  22FDX  12FDX  代工  20170203  

莫大康冷靜看待成都的“格芯”

  • 　　全球代工巨頭格羅方德(GF)在成都落子，與成都市政府合資建12英寸生產(chǎn)線，GF占51%，并引入中國半導(dǎo)體業(yè)非常有興趣的22FDX(FD-SOI)技術(shù)。 　　“格芯”之所以引起業(yè)界關(guān)注有兩點(diǎn)： 　　1)與廈門的”聯(lián)芯”一樣是合資企業(yè)，它不同于之前英特爾、海力士、三星及臺積電的獨(dú)資模式; 　　2)導(dǎo)入SOI技術(shù)，目前計(jì)劃是2018年開始成熟制程量產(chǎn)，以及2019年是22納米的FD-SOI技術(shù)量產(chǎn)。 　　為什么SOI技術(shù)對于中國是個亮點(diǎn)? 　　在摩爾
  • 關(guān)鍵字： SOI  格芯  

胡正明續(xù)寫摩爾傳奇 FinFET/FD-SOI廠商如何押寶？

  • 　　近日格羅方德12英寸晶圓廠落戶中國成都引起業(yè)界關(guān)注，為何?因?yàn)镕D-SOI技術(shù)。 　　眾所周知，當(dāng)柵極長度逼近20nm大關(guān)時，對電流控制能力急劇下降，漏電率相應(yīng)提高。FinFET與FD-SOI恰是半導(dǎo)體微縮時代續(xù)命的高招。 　　盡管FinFET與FD-SOI師出同門，但是，兩者卻被“陣營化”，F(xiàn)inFET陣營占據(jù)絕對優(yōu)勢。格羅方德是為數(shù)不多的FD-SOI技術(shù)堅(jiān)守與推動者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格羅方德12英寸晶圓廠能給出答案。 　　今天我們就來談?wù)凢i
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SOI與finFET工藝對比 中國需要發(fā)展誰才正確

  • 中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展可能關(guān)鍵不在于方向在那里?而是確定方向之后，如何踏實(shí)去干，去解決一個一個難題。任何進(jìn)步?jīng)]有捷徑，其中骨干企業(yè)的責(zé)任尤為重要。
  • 關(guān)鍵字： SOI  finFET  
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