power-soi 文章進(jìn)入power-soi技術(shù)社區(qū)

Globalfoundries正進(jìn)行下一代FD-SOI制程開(kāi)發(fā)

　　Globalfoundries技術(shù)長(zhǎng)GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開(kāi)發(fā)后續(xù)制程。　　晶圓代工業(yè)者Globalfoundries技術(shù)長(zhǎng)GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(fully-depletedsilicon-on-insulator，F(xiàn)D-SOI)制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開(kāi)發(fā)后續(xù)制程。　　Globalfoundries聲稱(chēng)其針對(duì)不同應(yīng)用最佳化的22FDX平臺(tái)四種制程，能提
關(guān)鍵字： Globalfoundries FD-SOI

RF-SOI技術(shù)：加強(qiáng)5G網(wǎng)絡(luò)和智能物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用

　　今天的智能手機(jī)和平板電腦內(nèi)均裝有射頻(RF)前端模塊(FEM)，一般包括功率放大器(PA)、開(kāi)關(guān)、可調(diào)諧電容器和過(guò)濾器。射頻絕緣體上硅(RF SOI)等技術(shù)可支持移動(dòng)設(shè)備調(diào)整和獲取蜂窩信號(hào)——在更廣泛的區(qū)域?yàn)闊o(wú)線設(shè)備提供持續(xù)強(qiáng)勁且清晰的網(wǎng)絡(luò)連接。　　移動(dòng)市場(chǎng)對(duì)RF SOI的追捧持續(xù)升溫，因?yàn)樗愿咝詢(xún)r(jià)比實(shí)現(xiàn)了低插入損耗，在廣泛的頻段內(nèi)實(shí)現(xiàn)低諧波和高線性度。RF SOI是一個(gè)雙贏的技術(shù)選擇，能夠提高智能手機(jī)和平板電腦的性能和數(shù)據(jù)傳輸速度，同時(shí)有望在物聯(lián)網(wǎng)中發(fā)揮關(guān)鍵作用?！　?/li>
關(guān)鍵字： RF-SOI 5G

Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC，將高可靠性的SCALE-2驅(qū)動(dòng)器技術(shù)引入到1200 V應(yīng)用中

　　中等電壓和高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5 A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門(mén)極驅(qū)動(dòng)器IC，8 A是目前業(yè)內(nèi)不采用外部推動(dòng)級(jí)的最大輸出電流。SCALE-iDriver? IC可同時(shí)為IGBT和MOSFET提供驅(qū)動(dòng)，也是首款將Power Integrations首創(chuàng)的FluxLink?磁感雙向通信技術(shù)引入1200 V驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的產(chǎn)品。Flux
關(guān)鍵字： Power Integrations IGBT

Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC，將高可靠性的SCALE-2驅(qū)動(dòng)器技術(shù)引入到1200 V應(yīng)用中

　　中等電壓和高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5 A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門(mén)極驅(qū)動(dòng)器IC，8 A是目前業(yè)內(nèi)不采用外部推動(dòng)級(jí)的最大輸出電流。SCALE-iDriver? IC可同時(shí)為IGBT和MOSFET提供驅(qū)動(dòng)，也是首款將Power Integrations首創(chuàng)的FluxLink?磁感雙向通信技術(shù)引入1200 V驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的產(chǎn)品。Flux
關(guān)鍵字： Power Integrations IGBT

FD-SOI會(huì)是顛覆性技術(shù)嗎？

　　全耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變，成為可望在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)與汽車(chē)市場(chǎng)取代鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)的理想替代方案了。對(duì)于許多人來(lái)說(shuō)，業(yè)界主導(dǎo)廠商代表出席一場(chǎng)相關(guān)領(lǐng)域的業(yè)界活動(dòng)，象征著為這項(xiàng)技術(shù)背書(shū)。　　“我認(rèn)為，F(xiàn)D-SOI正蓄勢(shì)待發(fā)。也許還得經(jīng)過(guò)幾年的時(shí)間，但它終將獲得新的動(dòng)能，并發(fā)展成為一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，”International Business Strategies (IBS)創(chuàng)
關(guān)鍵字： FD-SOI FinFET

Power Integrations推出InnoSwitch-CE開(kāi)關(guān)電源IC，可提高效率和待機(jī)功耗性能

　　致力于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日發(fā)布InnoSwitch?-CE IC，新器件是InnoSwitch系列恒壓/恒流離線反激式開(kāi)關(guān)IC的子系列。InnoSwitch-CE IC適用于TEC法規(guī)相關(guān)的消費(fèi)電子應(yīng)用(TEC法規(guī)是由政府認(rèn)定的重要總能耗法規(guī))?！　nnoSwitch IC采用了名為FluxLink?的磁感耦合技術(shù)，該技術(shù)由Power Integrations發(fā)明，可在省去不可靠的光耦器
關(guān)鍵字： Power Integrations InnoSwitch

Power Integrations推出InnoSwitch-CE開(kāi)關(guān)電源IC，可提高效率和待機(jī)功耗性能

　　致力于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power?Integrations公司今日發(fā)布InnoSwitch?-CE?IC，新器件是InnoSwitch系列恒壓/恒流離線反激式開(kāi)關(guān)IC的子系列。InnoSwitch-CE?IC適用于TEC法規(guī)相關(guān)的消費(fèi)電子應(yīng)用(TEC法規(guī)是由政府認(rèn)定的重要總能耗法規(guī))?！　nnoSwitch?IC采用了名為FluxLink?的磁感耦合技術(shù)，該技術(shù)由Power?Integrations發(fā)明，可在省去不可靠的光耦器
關(guān)鍵字： Power Integrations InnoSwitch

中國(guó)真的對(duì)FD-SOI制程技術(shù)有興趣？

　　身為一位記者，我發(fā)現(xiàn)撰寫(xiě)有關(guān)于“熱門(mén)”公司、技術(shù)與人物的報(bào)導(dǎo)，要比我通常負(fù)責(zé)的技術(shù)主題容易得多;一旦我寫(xiě)了那些“時(shí)髦”的標(biāo)題，我會(huì)確實(shí)感受到人氣飆漲。　　因為幾乎每家媒體都窮追不舍，我不需要向讀者解釋為何我要寫(xiě)那些，以及那些新聞為何對(duì)他們重要;我馬上想到的是美國(guó)總統(tǒng)候選人川普(Donald Trump)、蘋(píng)果(Apple)還有FinFET。而相反的，要寫(xiě)冷門(mén)題材、比較少人討論的話題，挑戰(zhàn)性就高得多;部分讀者會(huì)有先入為主的看法，認(rèn)為那些題目不關(guān)他們
關(guān)鍵字： FD-SOI FinFET

FD-SOI與FinFET互補(bǔ)，是中國(guó)芯片業(yè)彎道超車(chē)機(jī)會(huì)

本文介紹了Soitec半導(dǎo)體公司的全耗盡絕緣硅(FD-SOI)的特點(diǎn)、最新進(jìn)展及其生態(tài)系統(tǒng)，并將FD-SOI與FinFET作比較，分析了各自的優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域和應(yīng)用前景。
關(guān)鍵字： FD-SOI FinFET 制造 201604

Power Integrations推出全新900V InnoSwitch-EP IC，適用于工業(yè)及三相電源應(yīng)用

　　致力于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日發(fā)布900 V恒壓/恒流離線反激式開(kāi)關(guān)IC器件，為InnoSwitch?-EP產(chǎn)品系列再添新成員。新器件適用于由高壓直流或三相電供電的工業(yè)控制、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、儀表計(jì)量和可再生能源方面的應(yīng)用，同時(shí)也適用于在輸入浪涌和電壓驟升情況下要求電源仍能連續(xù)工作的標(biāo)準(zhǔn)電網(wǎng)電壓的應(yīng)用。900 V InnoSwitch-EP IC實(shí)現(xiàn)的電源效率非常高，在雙路輸出的18 W設(shè)計(jì)
關(guān)鍵字： Power Integrations InnoSwitch-EP

Power Integrations推出全新900V InnoSwitch-EP IC，適用于工業(yè)及三相電源應(yīng)用

　　致力于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日發(fā)布900 V恒壓/恒流離線反激式開(kāi)關(guān)IC器件，為InnoSwitch?-EP產(chǎn)品系列再添新成員。新器件適用于由高壓直流或三相電供電的工業(yè)控制、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、儀表計(jì)量和可再生能源方面的應(yīng)用，同時(shí)也適用于在輸入浪涌和電壓驟升情況下要求電源仍能連續(xù)工作的標(biāo)準(zhǔn)電網(wǎng)電壓的應(yīng)用。900 V InnoSwitch-EP IC實(shí)現(xiàn)的電源效率非常高，在雙路輸出的18 W設(shè)計(jì)
關(guān)鍵字： Power Integrations InnoSwitch-EP

“中國(guó)芯”入資法國(guó)半導(dǎo)體公司

中國(guó)芯片企業(yè)起步較晚，在發(fā)展中屢屢遭受?chē)?guó)際巨頭的“專(zhuān)利圍剿”，通過(guò)支持重點(diǎn)企業(yè)的兼并重組及海外收購(gòu)，培育具有核心競(jìng)爭(zhēng)力的大型企業(yè)，無(wú)疑是明智的手段，也是最有效的手段。
關(guān)鍵字： Soitec FD-SOI

Soitec半導(dǎo)體公司和FD-SOI技術(shù)：選擇理想的企業(yè)和技術(shù)，助力中國(guó)創(chuàng)新藍(lán)圖

　　全球領(lǐng)先的絕緣硅(SOI)晶圓制造商法國(guó)Soitec半導(dǎo)體公司今日在北京舉辦的新聞發(fā)布會(huì)中介紹了該公司在中國(guó)市場(chǎng)的發(fā)展歷史、全耗盡絕緣硅(FD-SOI)基板的成熟性和生產(chǎn)及準(zhǔn)備狀態(tài)、FD-SOI的最新進(jìn)展及其生態(tài)系統(tǒng)。與會(huì)發(fā)言人包括Soitec公司市場(chǎng)和業(yè)務(wù)拓展部高級(jí)副總裁Thomas Piliszczuk，以及Soitec公司數(shù)字電子商務(wù)部高級(jí)副總裁Christophe Maleville。會(huì)上主要討論的問(wèn)題包括該技術(shù)是否適合各代工廠及應(yīng)用設(shè)計(jì)師廣泛使用，更重要的是，該技術(shù)如何解決中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)及
關(guān)鍵字： Soitec FD-SOI

中晟宏芯股權(quán)頻頻變更國(guó)產(chǎn)POWER何時(shí)才能抗衡x86/ARM？

　　近日，成立剛滿兩年，被寄予厚望的國(guó)產(chǎn)CPU新秀——蘇州中晟宏芯因?yàn)?ldquo;欠薪”卷入輿論漩渦。兩年前，在工信部電子司和蘇州政府的扶持下，中晟宏芯獲得IBM的核心技術(shù)——POWER CPU授權(quán)，并且得到了IBM、中科院計(jì)算所提供的技術(shù)支持。按照計(jì)劃，中晟宏芯可以在2019年完全實(shí)現(xiàn)POWER芯片的消化吸收再創(chuàng)新，并制成完全國(guó)產(chǎn)化的POWER系列CPU。　　然而，這家肩負(fù)使命的企業(yè)，卻在新春復(fù)工之時(shí)被員工集體討薪，數(shù)十名員工甚至在公司門(mén)
關(guān)鍵字： POWER ARM