power-soi 文章進(jìn)入power-soi技術(shù)社區(qū)

IBM投入10億美元推動(dòng)Linux和Power平臺(tái)的開(kāi)源科技創(chuàng)

日前，IBM在2013年LinuxCon大會(huì)上宣布將投資10億美元開(kāi)發(fā)基于IBM Power Systems平臺(tái)的新一代Linux開(kāi)源技術(shù)，旨在幫助客戶構(gòu)建和部署更先進(jìn)的IT系統(tǒng)，以應(yīng)對(duì)后
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新型智能手表顯示FD-SOI正當(dāng)時(shí)？

　　在今年，業(yè)界對(duì)FD-SOI的討論終于從理論性的制程技術(shù)比較，轉(zhuǎn)移到由產(chǎn)品與應(yīng)用所決定的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)。　　因?yàn)闆](méi)有可見(jiàn)的終端產(chǎn)品能證明其號(hào)稱超低功耗的特色，全空乏絕緣上覆矽(fully Depleted Silicon On Insulator，F(xiàn)D-SOI)制程一直得努力克服半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界許多工程師的質(zhì)疑，例如：該技術(shù)的好處在哪?在商業(yè)市場(chǎng)上有實(shí)際產(chǎn)品嗎?它真正的優(yōu)勢(shì)何在? 　　終于，現(xiàn)在有實(shí)際產(chǎn)品可以做為FD-SOI制程的實(shí)證──是一只中國(guó)智慧型手機(jī)品牌業(yè)者小米(Xiaomi)副品牌華米(Huami
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Power Integrations推出全新SCALE-2即插即用型門極驅(qū)動(dòng)器，可支持多種IGBT模塊

　　中等電壓和高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integration今日推出1SP0350V SCALE?-2單通道+15/-10 V即插即用型門極驅(qū)動(dòng)器。1SP0350門極驅(qū)動(dòng)器非常適合要求高可靠性應(yīng)用的HVDC和軌道交通工業(yè)領(lǐng)域，并且可安全可靠地驅(qū)動(dòng)4500V Press-Pack IGBT和IEGT以及其他IGBT和IEGT產(chǎn)品。新驅(qū)動(dòng)器基于Power Integrations使用最廣的SCALE?-2芯片組，并且裝備了動(dòng)態(tài)高級(jí)有源鉗位(
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RF-SOI在中國(guó)已建立起完整的生態(tài)系統(tǒng)

　　日前在上海舉辦的“RF-SOI研討會(huì)”上，SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟稱，RF-SOI生態(tài)系統(tǒng)現(xiàn)已建立完善，并成為天線調(diào)諧器與射頻開(kāi)關(guān)的主流技術(shù)，占據(jù)了95%的市場(chǎng)份額，該系統(tǒng)有利于IoT連接和5G的發(fā)展，為了更深層地與射頻前端器件結(jié)合，RF-SOI這種突破型技術(shù)還需要更多的創(chuàng)新和突破性的方案。　　　　目前，RF-SOI技術(shù)主要應(yīng)用于智能手機(jī)、WiFi等無(wú)線通訊領(lǐng)域，具有性能高、成本低等優(yōu)勢(shì)。上海新傲科技股份有限公司總經(jīng)理王慶宇稱，國(guó)際上3G/4G手機(jī)用的射頻器件
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格羅方德推出12nm FD-SOI工藝并拓展FDX路線圖

　　格羅方德9月8日發(fā)布12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺(tái)12FDXTM，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個(gè)多節(jié)點(diǎn)FD-SOI路線圖。新一代12FDXTM平臺(tái)建立在其22FDXTM平臺(tái)的成功基礎(chǔ)之上，12FDXTM提供全節(jié)點(diǎn)縮放和超低功耗，并通過(guò)軟件控制實(shí)現(xiàn)按需定制性能，專為未來(lái)的移動(dòng)計(jì)算、5G連接、人工智能、無(wú)人駕駛汽車等各類應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。　　隨著數(shù)以百萬(wàn)計(jì)的互聯(lián)設(shè)備出現(xiàn)，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應(yīng)用也不斷要求著半導(dǎo)體的進(jìn)一步創(chuàng)新。用于實(shí)現(xiàn)這些應(yīng)用的芯片正逐漸演進(jìn)為微系統(tǒng)，集成包括無(wú)線連接、非易失性存
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采用Zynq SoC實(shí)現(xiàn)Power-Fingerprinting 網(wǎng)絡(luò)安全性

驅(qū)動(dòng)工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) (IIoT) 的“任意連接”實(shí)現(xiàn)了超高速增長(zhǎng)，這不僅僅只是連接眾多迥然不同的設(shè)備。這還與跨各種廣泛應(yīng)用收集、分析和操作的數(shù)
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格羅方德半導(dǎo)體推出12nm FD-SOI工藝，拓展FDX路線圖

　　格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺(tái)12FDXTM，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個(gè)多節(jié)點(diǎn)FD-SOI路線圖，從而延續(xù)了其領(lǐng)先地位。新一代12FDXTM平臺(tái)建立在其22FDXTM平臺(tái)的成功基礎(chǔ)之上，專為未來(lái)的移動(dòng)計(jì)算、5G連接、人工智能、無(wú)人駕駛汽車等各類應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。　　隨著數(shù)以百萬(wàn)計(jì)的互聯(lián)設(shè)備出現(xiàn)，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應(yīng)用也不斷要求著半導(dǎo)體的進(jìn)一步創(chuàng)新。用于實(shí)現(xiàn)這些應(yīng)用的芯片正逐漸演進(jìn)為微系統(tǒng)，集成包括無(wú)線連接、非易失性存儲(chǔ)器以及電源管理等在內(nèi)的越來(lái)越多的組件，
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格羅方德半導(dǎo)體推出生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴計(jì)劃以加快未來(lái)互聯(lián)系統(tǒng)創(chuàng)新

　　格羅方德半導(dǎo)體今日宣布一項(xiàng)全新合作伙伴計(jì)劃FDXcelerator™，該生態(tài)系統(tǒng)旨在為客戶加速基于22FDX™的片上系統(tǒng)設(shè)計(jì)，并縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。　　隨著公司新一代12FDX™的發(fā)布，格羅方德現(xiàn)提供業(yè)內(nèi)首個(gè)FD-SOI 路線圖，并隨之建立了FDXcelerator™合作伙伴計(jì)劃，為希望實(shí)現(xiàn)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)的客戶提供了一條低成本的遷移路徑。　　通過(guò)格羅方德半導(dǎo)體和FDXcelerator合作伙伴解決方案，客戶將能打造各類創(chuàng)新的22FDX 片上系統(tǒng)解決方
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Power 9將為IBM拉攏更多合作伙伴？

　　IBM于年度Hot Chips技術(shù)大會(huì)上介紹Power 9處理器的更多細(xì)節(jié)，它可望成為一款突破性的晶片，催生系統(tǒng)廠商與加速器供應(yīng)商建立新的夥伴關(guān)系，　　IBM首度于上周在美國(guó)矽谷舉行的年度Hot Chips技術(shù)大會(huì)上介紹Power 9處理器的更多細(xì)節(jié)，它可望成為一款突破性的晶片，催生系統(tǒng)廠商與加速器供應(yīng)商建立新的夥伴關(guān)系，并重新點(diǎn)燃IBM陣營(yíng)與對(duì)手Intel在高階伺服器市場(chǎng)的戰(zhàn)火。　　采用14奈米制程的Power 9是在今年3月首度被提及，在正熱門的加速器應(yīng)用領(lǐng)域采取了大膽、在某種程度上又有些
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工信部副部長(zhǎng)會(huì)見(jiàn)IBM副總裁加強(qiáng)Power技術(shù)領(lǐng)域合作

　　記者從8月26日工信部獲悉，8月25日，工業(yè)和信息化部副部長(zhǎng)懷進(jìn)鵬會(huì)見(jiàn)美國(guó)IBM公司全球高級(jí)副總裁羅思民，就進(jìn)一步加強(qiáng)Power技術(shù)領(lǐng)域合作交換意見(jiàn)。　　懷進(jìn)鵬對(duì)IBM公司與中國(guó)業(yè)界在Power芯片、服務(wù)器系統(tǒng)和軟件服務(wù)領(lǐng)域合作取得的積極進(jìn)展表示贊賞，希望IBM公司繼續(xù)秉持開(kāi)放合作的態(tài)度，深化與中國(guó)業(yè)界在技術(shù)和產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系建設(shè)方面的合作，服務(wù)經(jīng)濟(jì)社會(huì)信息化發(fā)展，實(shí)現(xiàn)雙方互利共贏。　　工業(yè)和信息化部電子信息司司長(zhǎng)刁石京、信息化和軟件服務(wù)業(yè)司司長(zhǎng)謝少鋒、國(guó)際合作司副司長(zhǎng)程建軍等參加會(huì)見(jiàn)。
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Power Integrations任命Thomas Simonis為大功率產(chǎn)品業(yè)務(wù)副總裁

　　高壓IGBT及SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations今天宣布任命Thomas Simonis為公司大功率產(chǎn)品業(yè)務(wù)副總裁，負(fù)責(zé)產(chǎn)品管理、研發(fā)和營(yíng)銷。Simonis先生在高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)器及半導(dǎo)體領(lǐng)域從業(yè)超過(guò)25年，加入Power Integrations之前，他先后在ATB、CPM和Infineon等數(shù)家知名公司擔(dān)任技術(shù)及業(yè)務(wù)管理職務(wù)，是一名業(yè)內(nèi)資深人士。Simonis先生是從退休的Wolfgang Ademmer手中接任該職的，Wolfgang Ademmer于20
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28納米FD-SOI制程嵌入式存儲(chǔ)器即將問(wèn)世

　　Samsung Foundry準(zhǔn)備開(kāi)始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項(xiàng)。　　三星晶圓代工業(yè)務(wù)(Samsung Foundry)準(zhǔn)備開(kāi)始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項(xiàng)??。　　Samsung Foundry行銷暨業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)負(fù)責(zé)人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問(wèn)時(shí)表示，該
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Power Integrations推出可控硅調(diào)光LYTSwitch-7 LED驅(qū)動(dòng)器IC，可將BOM元件數(shù)減少40%

　　高效率、高可靠性LED驅(qū)動(dòng)器IC領(lǐng)域的業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日推出適合于單級(jí)非隔離降壓式可調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的LYTSwitch™-7 IC產(chǎn)品系列。這些器件采用超薄SO-8封裝，在無(wú)需散熱片的情況下可提供22 W輸出功率，并且效率極高，適合于燈泡、燈管及其它照明裝置的應(yīng)用。在LYTSwitch-7的設(shè)計(jì)中只需采用一個(gè)簡(jiǎn)單的無(wú)源衰減電路而無(wú)需泄放電路即可滿足可控硅調(diào)光器的要求。另外，設(shè)計(jì)中的電感可采用現(xiàn)成的只有單一繞組的市售標(biāo)準(zhǔn)電感。LYTSwitch-7的
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中晟宏芯拿到Power 8架構(gòu)和指令集永久授權(quán)

　　中國(guó)政府日漸寬松的安全政策，令I(lǐng)BM可以通過(guò)將專利授權(quán)給中國(guó)廠商的方式，間接進(jìn)入對(duì)外資IT企業(yè)來(lái)說(shuō)門檻頗高的政府部門和工業(yè)核心領(lǐng)域的服務(wù)器市場(chǎng) 　　6月22日，蘇州中晟宏芯信息科技有限公司(下稱“中晟宏芯”)對(duì)外公布，該公司已拿到IBM服務(wù)器處理器芯片Power 8芯片架構(gòu)和指令系統(tǒng)的永久授權(quán)，并可以基于該芯片進(jìn)行自主創(chuàng)新。所謂“指令系統(tǒng)”，是指用來(lái)計(jì)算和控制計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的一套指令的集合。　　中晟宏芯成立于2013年，其員工主要來(lái)自中科院計(jì)算所和IB
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FD-SOI制程決勝點(diǎn)在14nm！

　　產(chǎn)業(yè)資深顧問(wèn)Handel Jones認(rèn)為，半導(dǎo)體業(yè)者應(yīng)該盡速轉(zhuǎn)移14奈米FD-SOI (depleted silicon-on-insulator)制程，利用該技術(shù)的眾多優(yōu)勢(shì)… 　　半導(dǎo)體與電子產(chǎn)業(yè)正努力適應(yīng)制程節(jié)點(diǎn)微縮至28奈米以下之后的閘成本(gate cost)上揚(yáng);如下圖所示，在制程微縮同時(shí)，每單位面積的邏輯閘或電晶體數(shù)量持續(xù)增加，其速率高于晶圓片成本增加的速率。在另一方面，當(dāng)制程特征尺寸縮減時(shí)，晶片系統(tǒng)性與參數(shù)性良率會(huì)降低，帶來(lái)較高的閘成本。　　
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