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CEA、Soitec、格芯、意法半導(dǎo)體攜手推動下一代FD-SOI技術(shù)發(fā)展規(guī)劃
- CEA、Soitec、格芯(GlobalFoundries)和意法半導(dǎo)體宣布一項新合作協(xié)議,四家公司計劃聯(lián)合制定產(chǎn)業(yè)之下一代FD-SOI技術(shù)發(fā)展規(guī)劃。半導(dǎo)體組件和FD-SOI技術(shù)創(chuàng)新對法國和歐盟以及全球客戶具有策略價值。FD-SOI能夠為設(shè)計人員和客戶系統(tǒng)帶來巨大益處,包括更低功耗以及易于整合更多功能,例如,通訊聯(lián)機(jī)和安全保護(hù),這對汽車、物聯(lián)網(wǎng)和行動應(yīng)用而言,其優(yōu)勢是FD-SOI技術(shù)的一個重要特質(zhì)。CEA主席Francois Jacq表示,二十多年來,在Grenoble-Crolles生態(tài)系統(tǒng)中,CEA一
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使用PI方案進(jìn)行800V牽引逆變器的應(yīng)急電源設(shè)計
- 在電動汽車的牽引逆變器中,供電分為12V低壓電源和400/800V高壓供電。其中高壓供電送至牽引逆變器,進(jìn)行DC-AC逆變,產(chǎn)生三相交流電,驅(qū)動電機(jī)旋轉(zhuǎn)。逆變器通常提供90-250KW的輸出功率。其中400V電壓的電池組,主要在過去的電動汽車中使用,受電流限制,充電速率和輸出功率較低。
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多措并舉,Power Integrations讓牽引逆變器更安全可靠
- 2020年11月30日,在中國國際汽車電子高峰論壇上,Power Integrations大功率FAE經(jīng)理王強(qiáng)作主題演講——《提高牽引逆變器安全可靠性的IC解決方案》,重點介紹了如何借助Power Integrations的IC解決方案打造更安全可靠的電動汽車牽引逆變器。
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Nexperia將于2021年9月21日-23日舉辦“Power Live”
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia,今日宣布將于9月21日至23日舉辦‘Power Live’,這是其第二次舉辦此年度虛擬會議。鑒于去年首屆活動取得圓滿成功,本屆為期三天的活動將擴(kuò)大規(guī)模,涵蓋與功率電子元件相關(guān)的眾多主題,包括面向汽車和工業(yè)應(yīng)用的GaN、MOSFET、功率二極管和雙極性晶體管。 會議重點將包括:l MOSFET全電熱模型Nexperia新款MOSFET電熱模型的詳細(xì)預(yù)覽,該模型可以在仿真中準(zhǔn)確呈現(xiàn)器件的靜態(tài)和動態(tài)特性,并降低在設(shè)計過程后期發(fā)現(xiàn)EMC問題的風(fēng)險。 l
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Power Integrations推出新款A(yù)EC-Q100級900V InnoSwitch3-AQ反激式開關(guān)IC
- InnoSwitch3-AQ IC的效率高達(dá)90%,空載功耗低至15mW,并且可為400V和800V電池提供更大的電壓裕量 2021年5月14日訊–深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號:POWI)今日宣布,其汽車級InnoSwitch?3-AQ反激式開關(guān)IC系列又增一款新品,它可提供900V額定開關(guān),為400V和800V電動汽車逆變器、電池管理和恒溫控制應(yīng)用提供充足裕量。InnoSwitch3-AQ產(chǎn)品系列將初級和次級控制器以及符合安全
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Power Integrations面向軌道交通推出新款SCALE-2即插即用型門極驅(qū)動器
- 2021年5月14日訊–深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司(納斯達(dá)克股票代號:POWI)今日宣布推出一款新型支持130x140mm單通道IGBT大功率(IHM)模塊的新款SCALE-2門極驅(qū)動器,可廣泛用于軌道交通和其他長期應(yīng)用。新型SCALE-2即插即用型門極驅(qū)動器包含1SP0630V2M1R主驅(qū)動器、1SP0635D2S1R外圍驅(qū)動器和ISO6125R-33電源,它不僅能簡化系統(tǒng)開發(fā)和安裝過程,還可在需要多模塊并聯(lián)的大功率應(yīng)用系統(tǒng)中極大地提高電氣和機(jī)械設(shè)計簡便性和靈活性?! ow
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田字形單質(zhì)量塊三軸電容式微加速度計的設(shè)計與仿真
- 介紹了一種田字形單質(zhì)量塊三軸電容式微加速度計的設(shè)計與仿真。該加速度計以SOI晶圓作為基片,經(jīng)過氧化、光刻、干法刻蝕和濕法刻蝕等工藝步驟得到。通過支撐梁和3個軸的敏感結(jié)構(gòu)的巧妙設(shè)計,有效避免了平面內(nèi)和垂直方向的交叉軸干擾的影響,并提高了Z軸的靈敏度。通過差分電容的設(shè)計,理論上消除了交叉軸干擾。通過仿真得到了該加速度計在3個軸向上的靈敏度及抗沖擊能力。結(jié)合理論分析和ANSYS仿真結(jié)果,可以得出結(jié)論:所設(shè)計的加速度計擁有較低的交叉軸干擾、較高的靈敏度以及較強(qiáng)的抗沖擊能力,在慣性傳感器領(lǐng)域有一定的應(yīng)用前景。
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Power Integrations推出全新MinE-CAP IC
- Power Integrations推出全新MinE-CAP IC,可將AC-DC變換器的體積最多縮小40% 全新的MinE-CAP器件可大幅縮小輸入大容量電容的尺寸,減小高達(dá)95%的浪涌電流,無需NTC熱敏電阻并且避免相關(guān)損耗
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Soitec以新技術(shù)為自動駕駛發(fā)展保駕護(hù)航
- 作為一家設(shè)計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)企業(yè),來自于法國的Soitec以提供高性能超薄半導(dǎo)體晶圓襯底材料來助力整個信息產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新,通過不斷革新更優(yōu)化的制造材料,確保半導(dǎo)體芯片能夠以更高性能和更好的穩(wěn)定性提供服務(wù)。特別是伴隨著5G技術(shù)的不斷推進(jìn),基于RF-SOI的襯底在確保5G智能手機(jī)用芯片的性能方面起到了至關(guān)重要的作用,可以說Soitec的技術(shù)是促進(jìn)5G智能手機(jī)快速普及的幕后英雄之一。 當(dāng)然,“幕后英雄”也因為其先進(jìn)的技術(shù)獲得企業(yè)的飛速發(fā)展,Soitec全球戰(zhàn)略執(zhí)行副總裁Thomas PILISZCZ
- 關(guān)鍵字: Soitec RF-SOI FD-SOI
Power Integrations推出高度集成的InnoSwitch3反激式開關(guān)IC
- 適合純電動汽車和插電式混合動力汽車應(yīng)用的InnoSwitch3-AQ已通過Q100認(rèn)證;可在30 V至550 V直流輸入下高效工作。深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations今天宣布InnoSwitch?3-AQ已經(jīng)開始量產(chǎn),這是一款已通過AEC-Q100認(rèn)證的反激式開關(guān)IC,并且集成了750 V MOSFET和次級側(cè)檢測功能。新獲得認(rèn)證的器件系列適用于電動汽車應(yīng)用,如牽引逆變器、OBC(車載充電機(jī))、EMS(能源管理DC/DC母線變換器)和BMS(電池管理系統(tǒng))。
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格芯與環(huán)球晶圓簽署合作備忘錄,未來將長期供應(yīng)12英寸SOI晶圓
- 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體晶圓代工廠格芯(GLOBALFOUNDRIES)于2月24日宣布已和全球前三大硅晶圓制造商環(huán)球晶圓(Globalwafers.Co.,Ltd)簽訂合作備忘錄(MOU),協(xié)議表明環(huán)球晶圓將負(fù)責(zé)對格芯12英寸晶圓的長期供應(yīng)。 環(huán)球晶圓是全球領(lǐng)先的8英寸SOI制造者之一,也是格芯8英寸SOI晶圓的長期供應(yīng)商,雙方長期保持著良好的合作關(guān)系。環(huán)球晶圓也是12英寸晶圓制造商,基于雙方未來發(fā)展與穩(wěn)定供應(yīng)需求,環(huán)球晶圓與格芯有望緊密協(xié)作,有力擴(kuò)大環(huán)球晶圓12英寸SOI晶圓生產(chǎn)產(chǎn)能。 格
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谷歌宣布與IBM達(dá)成合作,在谷歌云上推出IBM Power Systems
- 近日,谷歌宣布與IBM達(dá)成合作,在谷歌云上推出IBM Power Systems,希望能說服更多企業(yè)向云端遷移。
- 關(guān)鍵字: 谷歌 IBM Power Systems
XP Power推出新款高壓DC-DC電源模塊,適合科研和半導(dǎo)體應(yīng)用
- 近日,XP Power正式宣布推出新款30W DC-DC電源模塊,可以從一個24VDC單輸入產(chǎn)生高達(dá)6kVDC。HRL30系列提供了一個精確的高壓輸出,可廣泛的適用于包括科研和半導(dǎo)體應(yīng)用。該系列共有22個電壓模塊可選,從0-200VDC到0-6KVDC的全可控輸出在正負(fù)極都有。22至30V的寬輸入范圍允許產(chǎn)品由工業(yè)設(shè)備中常見的24V導(dǎo)軌供電,而內(nèi)置的精度+5VDC基準(zhǔn)提供穩(wěn)定的電源來控制高壓輸出。良好的線/負(fù)載調(diào)節(jié)(0.01%)和低紋波/噪聲(<0.05%)確保穩(wěn)定的輸出電壓。輸出電流和電壓在整個范
- 關(guān)鍵字: XP Power DC-DC
硬核技術(shù)創(chuàng)新加持,華虹宏力“8+12”特色工藝平臺為智能時代添飛翼
- 中國信通院數(shù)據(jù)顯示,2019年1-10月中國5G手機(jī)出貨量328.1萬部,發(fā)展速度遠(yuǎn)超業(yè)界預(yù)期。5G商用的加速推進(jìn),讓更廣泛的智能時代提前到來,隨之而來的是海量的芯片需求。然而,先進(jìn)芯片制造工藝雖有巨資投入,卻僅能滿足CPU、DRAM等一部分芯片市場應(yīng)用需求;像嵌入式閃存、電源、功率芯片等廣泛存在的需求,則主要由華虹集團(tuán)旗下上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司(“華虹宏力”)為首的特色工藝芯片制造企業(yè),基于成熟工藝設(shè)備不斷創(chuàng)新以提升芯片性能和成本優(yōu)勢來滿足。近日,在中國集成電路設(shè)計業(yè)2019年會(ICCAD 2
- 關(guān)鍵字: RF-SOI BCD
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