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我國科學(xué)家技術(shù)突破 存儲芯片無限次擦寫引圍觀：TLC、QLC買誰 恐不再糾結(jié)

  • 7月1日消息，據(jù)國內(nèi)媒體報道稱，四川科學(xué)家借力AI 開發(fā)出"耐疲勞鐵電材料"，讓存儲芯片無限次擦寫。報道中提到，電子科技大學(xué)光電科學(xué)與工程學(xué)院劉富才教授團隊聯(lián)合復(fù)旦大學(xué)、中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所在國際知名學(xué)術(shù)期刊《Science》上發(fā)表最新研究成果，開發(fā)出"耐疲勞鐵電材料"，在全球范圍內(nèi)率先攻克困擾領(lǐng)域內(nèi)70多年的鐵電材料疲勞問題。鐵電材料在經(jīng)歷反復(fù)極化切換后，極化只能實現(xiàn)部分翻轉(zhuǎn)，導(dǎo)致鐵電材料失效，即鐵電疲勞。這一問題早在1953年就已被研究者發(fā)現(xiàn)報道，
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Omdia：2027 年 QLC 市場規(guī)模將占整體 NAND 閃存 46.4%，為去年 3.6 倍

  • IT之家 6 月 14 日消息，韓媒 Sedaily 轉(zhuǎn)述市場分析機構(gòu) Omdia 的話稱，2027 年 QLC 市場規(guī)模將占到整體 NAND 閃存的 46.4%，僅略低于 TLC 的 51%。作為對比，Omdia 認為 2023 年 QLC 閃存市場份額占比僅有 12.9%，今年這一比例將大幅增至 20.7%。換句話說，未來三年 QLC 在 NAND 市場整體中的占比將在今年的基礎(chǔ)上繼續(xù)提升 1.24 倍，達 2023 年的 3.6 倍。在 2023 年及以前，QLC 的市場滲透主要
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美光率先量產(chǎn)面向客戶端和數(shù)據(jù)中心的200+層QLC NAND產(chǎn)品

  • Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，美光232層QLC NAND現(xiàn)已量產(chǎn)，并在部分?Crucial?英睿達固態(tài)硬盤（SSD）中出貨。與此同時，美光?2500 NVMeTM?SSD?也已面向企業(yè)級存儲客戶量產(chǎn)，并向?PC OEM?廠商出樣。這些進展彰顯了美光在?NAND?技術(shù)領(lǐng)域的長期領(lǐng)導(dǎo)地位。美光?232?層?QLC NAND?可為移動
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西部數(shù)據(jù)推出針對OEM廠商的全新商用SSD，樹立下一代QLC產(chǎn)品性能標桿

  • 數(shù)字化時代的高速發(fā)展要求推動未來技術(shù)創(chuàng)新的數(shù)據(jù)存儲也持續(xù)迭代革新。為滿足用戶對于高性能、高可靠性、更大容量及更低成本的多樣化存儲需求，西部數(shù)據(jù)公司近日宣布推出搭載下一代高性能QLC（四級單元）的西部數(shù)據(jù)? PC SN5000S NVMe? SSD，從而為 PC OEM 廠商提供創(chuàng)新的PCIe Gen4x4 存儲解決方案，幫助用戶輕松應(yīng)對繁重的工作負載。據(jù)IDC[i]預(yù)測，到2026年，有超過50%的商用SSD將采用QLC NAND閃存?；诖耍钍苁袌鲂刨嚨母叨舜鎯ζ放莆鞑繑?shù)據(jù)推出了此次強大的存儲解決方案
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分區(qū)存儲助力QLC應(yīng)用到嵌入式存儲設(shè)備

  • 目前應(yīng)用在移動終端的嵌入式存儲設(shè)備（這里主要指UFS/eMMC等，以下統(tǒng)稱“嵌入式存儲設(shè)備”）中主流介質(zhì)還是TLC。但更高存儲密度的QLC也已經(jīng)產(chǎn)品化，比如一些數(shù)據(jù)中心（讀密集型應(yīng)用）已經(jīng)在部署QLC存儲設(shè)備。QLC可以給存儲設(shè)備帶來更低的成本，作為消費級產(chǎn)品的嵌入式存儲設(shè)備，未來引入QLC也是勢在必行。但和當前主流TLC相比，QLC在性能和壽命上都相差很大，從下面某原廠TLC和QLC在性能和壽命方面的一個對比可見一斑。（Table 1:某原廠TLC和QLC性能和壽命對比） 因此，QLC要應(yīng)用在
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Intel全球首發(fā)144層QLC SSD！最大30.72TB、壽命媲美TLC

  • 今天舉辦的2020內(nèi)存存儲日活動上，Intel一口氣發(fā)布了六款全新的內(nèi)存、存儲新產(chǎn)品，首先來看面向數(shù)據(jù)中心市場的SSD D7-P5510、SSD D5-P5316，同時全球首發(fā)144層堆疊的QLC NAND閃存，都支持PCIe 4.0。Intel雖然已經(jīng)將NAND閃存業(yè)務(wù)和工廠賣給SK海力士，但是交易并未完成，Intel既有路線圖也會繼續(xù)執(zhí)行，同時交易也不涉及傲騰技術(shù)和產(chǎn)品，Intel會持續(xù)推進。2016年，Intel推出了第一代32層堆疊TLC閃存，次年翻番到64層并進化為TLC顆粒，存儲密度提高了13
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QLC SSD不好？只是價格還不夠理想而已！

  • 說到QLC SSD，就不得不提三星 860 QVO SSD。作為最早搭載QLC閃存顆粒的消費級SATA SSD，三星 860 QVO SSD剛發(fā)布的時候就因為其性能表現(xiàn)欠佳，而引發(fā)了不少用戶和媒體人的討論：QLC（4bit MLC）到底有沒有實際意義？它是不是大號U盤？等等。雖然剛開始大家都視QLC SSD為洪水猛獸，紛紛對三星 860 QVO SSD持保留態(tài)度，但是隨著其售價不斷的下探，主打的大容量和讀寫性能的強勁，還是有不少玩家無法逃脫“真香定律”選擇入手，相比一開始消費者的遲疑反應(yīng)而言，無論
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群聯(lián)發(fā)布最高容量的QLC閃存硬盤：15.36TB、掀翻HDD

  • HDD硬盤的出貨量不斷下滑，現(xiàn)在大容量方面也要遇到SSD的挑戰(zhàn)了——群聯(lián)今天宣布推出S12DC主控方案，搭配QLC閃存可以做到15.36TB容量，是QLC中最高記錄。群聯(lián)的S12DC方案不追求極致性能，基于此的SRE250硬盤使用的是SATA 6Gbpos接口，2.5寸、7mm厚度常規(guī)標準，容量可以做到1.92/3.84/7.68及最高的15.36TB。性能方面，連續(xù)讀取為530MB/s，連續(xù)寫入為220MB/s，4K隨機讀取90K IOPS，4K隨機寫入10K IOPS，功耗4.5W。這個QLC硬盤的性
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長江存儲128層QLC閃存首次公開亮相

  • Q3季度閃存價格又要跌10%，今年6大原廠將會把重點轉(zhuǎn)向128層堆棧的3D閃存生產(chǎn)上來。國產(chǎn)的長江存儲也趕上來了，4月份推出了128層QLC閃存，在中國電子信息博覽會首次亮相。長江存儲這次展示了64層、128層堆棧的閃存，其中64層TLC閃存是國內(nèi)首個自研量產(chǎn)的64層閃存，基于Xtacking堆疊架構(gòu)，單位面積的存儲密度是同類產(chǎn)品中最大的。目前長江存儲的量產(chǎn)主力就是64層TLC閃存，已經(jīng)隨光威、國科微、金泰克、七彩虹等廠商的SSD硬盤上市。長江存儲展示的另一個重點是128層QLC閃存，這是今年4月13日才
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第八屆中國電子信息博覽前瞻！這些亮點不容錯過！

  • 寂半年之后，無論是業(yè)內(nèi)人士還是廣大消費者，都渴望換換環(huán)境、出去走走，在深圳會展中心看一場科技盛宴再適合不過。8K智慧屏、5G芯片、機器人、新能源汽車，還有會跳舞的機器人，這些來自世界各地的炫酷黑科技和創(chuàng)新成果都將出現(xiàn)在CITE2020。相比以往，CITE2020不僅更側(cè)重世界科技創(chuàng)新合作，也更聚焦于時代風(fēng)口下的“科技”之爭，注重科技與生活的結(jié)合。對于即將到來的CITE2020，面對那些不勝枚舉的震撼現(xiàn)場，你準備好了嗎？搭建電子信息全產(chǎn)業(yè)鏈展示、交流平臺！作為中國電子信息產(chǎn)業(yè)的窗口和引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展風(fēng)向標,第八
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Microchip推出全新8通道Flashtec PCIe 第四代企業(yè)級NVMe?固態(tài)硬盤控制器

  • 隨著數(shù)據(jù)中心支持的人工智能（AI）和機器學(xué)習(xí)（ML）工作負載越來越多，市場需要具備更寬存儲帶寬和更高單機架存儲密度的云級別基礎(chǔ)設(shè)施。因此，市場的趨勢是按照如M.2和全球網(wǎng)絡(luò)存儲工業(yè)協(xié)會（SINA）新推出的企業(yè)和數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤外形尺寸（EDSFF） E1.S等行業(yè)標準，采用體積更小、且支持第四代PCIeò的非易失性存儲器高速（NVMe?）固態(tài)硬盤。這些固態(tài)硬盤要求控制器具備體積小和低功耗的特點，能驅(qū)動NAND閃存發(fā)揮最大潛力，同時保持這種企業(yè)級NVMe固態(tài)硬盤所需的豐富功能集和可靠性。Microchip
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國產(chǎn)128層QLC閃存問世 武漢基地二期開工

  • 4年前的2016年，國家在武漢建設(shè)了國家存儲器基地項目一期，不僅量產(chǎn)了64層閃存，今年初還研發(fā)成功128層QLC閃存。昨天國家存儲器基地項目二期也在武漢東湖高新區(qū)未來科技城正式啟動，整個項目投資高達240億美元，約合1697億元。在開工儀式上，紫光集團、長江存儲董事長趙偉國介紹了項目有關(guān)情況。他表示，國家存儲器基地項目一期開工建設(shè)以來，從一片荒蕪之地變成了一座世界領(lǐng)先的存儲器芯片工廠，實現(xiàn)了技術(shù)水平從跟跑到并跑的跨越。趙偉國表示，國家存儲器基地項目于2016年12月30日開工，計劃分兩期建設(shè)3D NAND
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美光推出性能型和經(jīng)濟型客戶端 NVMe? SSD 新品， 搭載業(yè)界領(lǐng)先的容量和 QLC NAND 技術(shù)

  • 新聞要點●? ?全新的性能型和經(jīng)濟型 SSD 的靈活選擇滿足了從輕薄筆記本到高性能工作站客戶端PC系統(tǒng)的存儲需求；●? ?M.2 外形規(guī)格的美光 2300 SSD 采用美光創(chuàng)新的 96 層 3D NAND 技術(shù)，具備行業(yè)領(lǐng)先的 2TB 容量[1]；●? ?美光 2210 SSD 兼具SSD 的性能和性價比；與機械硬盤相比，采用了美光 QLC 架構(gòu)的 2210 SSD的功耗降低了 15 倍之多。內(nèi)存和存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Techn
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Intel SSD將全面轉(zhuǎn)向144層3D QLC閃存：PLC研發(fā)中

  • 在QLC閃存的商用上，Intel和曾經(jīng)的親密戰(zhàn)友美光（英睿達）步子最靠前，660p、P1系列都在渠道開賣了很長一段時間。日前，Intel非易失性存儲解決方案負責(zé)人Rob Crooke透露，Intel的QLC SSD出貨量超1000萬。她同時公布，基于144層3D QLC閃存（內(nèi)部命名為Arbordale Plus技術(shù)，家族第四代閃存）的SSD（代號Keystone Harbor）會在今年底出貨，Intel準備在2021年內(nèi)將整個SSD產(chǎn)品線都遷移到144層閃存芯片上。不僅如此，Intel確認，容量密度更高
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中國剛突破128層QLC閃存 三星將首發(fā)160層閃存

  • 上周中國的長江存儲公司宣布攻克128層3D閃存技術(shù),QLC類型容量做到了1.33Tb容量,創(chuàng)造了三個世界第一。國產(chǎn)閃存突飛猛進,三星等公司也沒閑著,三星正在開發(fā)160堆棧的3D閃存。對3D閃存來說,堆棧層數(shù)越多,容量就越大,存儲密度就越高,這是3D閃存的核心競爭力,2020年全球?qū)⒋笠?guī)模量產(chǎn)100+層的3D閃存。不過每家的技術(shù)方案不同,東芝、西數(shù)的BiCS 5代3D閃存是112層的,美光、SK海力士有128層的,Intel的是144層,而且是浮柵極技術(shù)的,三星去年推出的第六代V-NAND閃存做到了136層
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