ram-x24c45器件文章進(jìn)入ram-x24c45器件技術(shù)社區(qū)

混合動(dòng)力是新能源汽車切入點(diǎn) IGBT成驅(qū)動(dòng)核心

　　目前，混合動(dòng)力汽車是大規(guī)模應(yīng)用新能源汽車的切入點(diǎn)。功率半導(dǎo)體器件與模塊在混合動(dòng)力汽車中起著不可替代的作用。除降低成本之外，混合動(dòng)力汽車還需要在電池、電動(dòng)、傳動(dòng)及電氣系統(tǒng)等方面得到改善。　　節(jié)能和環(huán)保的雙重需求使得新能源汽車在全球范圍內(nèi)日益引起業(yè)界的重視，在最近的國(guó)際汽車展上，多家汽車企業(yè)推出了電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車，這預(yù)示著新能源汽車即將進(jìn)入真正的商用階段。如今，中國(guó)對(duì)于新能源汽車的推廣也進(jìn)入了一個(gè)關(guān)鍵時(shí)期，今年2月，財(cái)政部、科技部發(fā)出《關(guān)于開展節(jié)能與新能源汽車示范推廣試點(diǎn)工作的通知》，推廣節(jié)能與
關(guān)鍵字：新能源 IGBT F-RAM 混合動(dòng)力

雙口RAM在組合導(dǎo)航系統(tǒng)中的應(yīng)用

雙口RAM在組合導(dǎo)航系統(tǒng)中的應(yīng)用,導(dǎo)航系統(tǒng)是負(fù)責(zé)將載體從起始點(diǎn)引導(dǎo)到目的地的系統(tǒng)裝置。近年來，隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)和衛(wèi)星通信技術(shù)的發(fā)展和實(shí)際應(yīng)用，使得導(dǎo)航系統(tǒng)的精確性和可靠性達(dá)到了更高的要求，促使導(dǎo)航系統(tǒng)向綜合化和容錯(cuò)化方向發(fā)展，進(jìn)而發(fā)展了
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 應(yīng)用導(dǎo)航組合 RAM 雙口雙口RAM TMS320VC33 TMS320F240 組合導(dǎo)航系統(tǒng) CY7C028

RAMTRON 宣布與 IBM 達(dá)成代工協(xié)議

　　世界頂尖的非易失性鐵電存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商 Ramtron International Corporation宣布已與 IBM 達(dá)成代工服務(wù)協(xié)議，兩家企業(yè)計(jì)劃在 IBM 位于美國(guó) 佛蒙特州伯靈頓市的先進(jìn)晶圓制造設(shè)施內(nèi)增設(shè) Ramtron 的 F-RAM 半導(dǎo)體工藝技術(shù)，一旦安裝完畢，這一新代工服務(wù)將成為 Ramtron 推出高成本效益的新型高性能 F-RAM 半導(dǎo)體產(chǎn)品的基礎(chǔ)。　　Ramtron首席運(yùn)營(yíng)官 Bob Djokovich 稱：“我們期
關(guān)鍵字： Ramtron F-RAM IBM

RAMTRON 宣布與 IBM 達(dá)成代工協(xié)議

世界頂尖的非易失性鐵電存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商 Ramtron International Corporation宣布已與 IBM 達(dá)成代工服務(wù)協(xié)議，兩家企業(yè)計(jì)劃在 IBM 位于美國(guó) 佛蒙特州伯靈頓市的先進(jìn)晶圓制造設(shè)施內(nèi)增設(shè) Ramtron 的 F-RAM 半導(dǎo)體工藝技術(shù)，一旦安裝完畢，這一新代工服務(wù)將成為 Ramtron 推出高成本效益的新型高性能 F-RAM 半導(dǎo)體產(chǎn)品的基
關(guān)鍵字： Ramtron F-RAM 半導(dǎo)體

RAMTRON 4兆位并口F-RAM存儲(chǔ)器提供FBGA封裝選擇

　　全球領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布提供采用最新FBGA 封裝的4兆位 (Mb) F-RAM存儲(chǔ)器。FM22LD16 是采用48腳FBGA 封裝的3V、4Mb 并口非易失性FRAM，具有高訪問速度、幾乎無限的讀/寫次數(shù)以及低功耗等優(yōu)點(diǎn)。FM22LD16 與異步靜態(tài) RAM (SRAM) 在管腳上兼容，并適用于工業(yè)控制系統(tǒng)如機(jī)器人、網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用、多功能打印機(jī)、自動(dòng)導(dǎo)航系統(tǒng)，以及許多
關(guān)鍵字： Ramtron F-RAM FBGA 封裝

系統(tǒng)斷電時(shí)FPGA數(shù)據(jù)保護(hù)方法

從消費(fèi)電子設(shè)備到工業(yè)控制設(shè)備，越來越多的系統(tǒng)都在使用FPGA。這些應(yīng)用通常需要設(shè)備在斷電時(shí)存儲(chǔ)一些數(shù)據(jù)，比如...
關(guān)鍵字：斷電存儲(chǔ) FPGA RAM TAG FLASH

Ramtron在V系列品線中增添串行512-Kb F-RAM

　　全球領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出全新F-RAM系列產(chǎn)品中的第二款串行器件FM25V05，提供高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件特性。FM25V05是512Kb、2.0V至3.6V及具有串行外設(shè)接口 (SPI) 的非易失性RAM，采用8腳SOIC封裝，特點(diǎn)包括快速訪問、無延遲 (NoDelay™) 寫入、1E14讀/寫次數(shù)和低功耗。FM25V05是工業(yè)控制、儀表、醫(yī)
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 RAM Ramtron FM25V10

Ramtron推出1兆位串行F-RAM存儲(chǔ)器

　　Ramtron International Corporation宣布推出新型F-RAM系列中的首款產(chǎn)品，具有高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM產(chǎn)品的首款器件FM25V10，是1兆位 (Mb)、2.0至3.6V、具有串行外設(shè)接口 (SPI) 的非易失性RAM，采用8腳SOIC封裝，其特點(diǎn)是快速訪問、無延遲(NoDelay?) 寫入、1E14讀/寫次數(shù)和低功耗。FM25V10是工業(yè)控制、計(jì)量、醫(yī)療、汽車、軍事、游戲及計(jì)算機(jī)等應(yīng)用領(lǐng)域1Mb串行閃存和串行EEPRO
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 F-RAM Ramtron 閃存

其陽科技選擇Ramtron的4兆位F-RAM存儲(chǔ)器用于游戲機(jī)解決方案

　　Ramtron International Corporation宣布應(yīng)用工業(yè)計(jì)算平臺(tái)制造商其陽科技 (Aewin Technologies) 已在其以Intel為基礎(chǔ)的 GA-2000 及以AMD 為基礎(chǔ)的GA-3000游戲和高分辨率多媒體PC電路板中，設(shè)計(jì)使用Ramtron的FM22L16 4兆位 (Mb) F-RAM非易失性存儲(chǔ)器。4Mb F-RAM具有快速寫入、高耐用性和低功耗特點(diǎn)，可在其陽科技的游戲機(jī)解決方案中替代電池供電的SRAM (BBSRAM)，以確保數(shù)據(jù)的完整性，并能同時(shí)
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 Ramtron F-RAM Aewin

恒憶推出低價(jià)低功耗DDR接口非揮發(fā)性RAM產(chǎn)品

　　恒憶 (Numonyx) 今日宣布推出 Velocity LPTM NV-RAM 產(chǎn)品系列，此系列是業(yè)界最快速的低功耗雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率 (LPDDR) 非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，不但可以給手機(jī)和消費(fèi)性電子產(chǎn)品廠商提供更高的存儲(chǔ)性能，而且比目前其他解決方案價(jià)格更低。這些裝置在提供高動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）內(nèi)容平臺(tái)低成本解決方案的同時(shí)，還可達(dá)到比傳統(tǒng)NOR Flash存儲(chǔ)器快兩到三倍讀取頻寬的性能。恒憶 Velocity LP NV-RAM 系列的推出為該公司未來相變存儲(chǔ)器 (PCM) 產(chǎn)品提供了無縫的絕佳架構(gòu)途
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器恒憶 Numonyx RAM

IDT推出針對(duì)工控、醫(yī)療成像和通信應(yīng)用的下一代雙口RAM

　　IDT® 公司（Integrated Device Technology, Inc.）日前宣布，其不斷擴(kuò)大的多口RAM系列又添兩個(gè)新型雙口RAM器件。從工業(yè)控制到醫(yī)療成像和通信，新的 9Mb 和 4Mb 雙端口器件可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 200MHz 的性能，以滿足苛刻的存儲(chǔ)器緩沖要求。這兩款器件采用 1.8V 內(nèi)核電壓，比現(xiàn)有解決方案的功耗更低。　　雙端口器件集成了存儲(chǔ)器和控制邏輯，可以通過獨(dú)立端口實(shí)現(xiàn)對(duì)通用中央存儲(chǔ)器的同時(shí)存取。該IDT 解決方案有助于客戶通過解決芯片間連接問題，增加帶寬并降低設(shè)計(jì)
關(guān)鍵字： IDT RAM 雙端口低功耗

Ramtron升級(jí)FM31x Processor Companion系列

　　非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布升級(jí)其FM31x Processor Companion (處理器伴侶) 系列。升級(jí)產(chǎn)品融入了更高效的涓流充電器和標(biāo)準(zhǔn)12.5pF外部晶振實(shí)時(shí)時(shí)鐘 (RTC)。新型 FM3127x/L27x Processor Companion具有4、16、64或256Kb非易失性F-RAM存儲(chǔ)器、高速雙線接口及高度集成的支持與外設(shè)功能，適用于基于處理器的先進(jìn)系統(tǒng)。　　
關(guān)鍵字： Ramtron F-RAM 存儲(chǔ)器處理器伴侶

Ramtron推出帶有集成F-RAM存儲(chǔ)器的事件數(shù)據(jù)記錄儀

　　非易失性鐵電存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出基于F-RAM的事件數(shù)據(jù)記錄儀 (EDR) -- FM6124，這是集成式的事件監(jiān)控解決方案，能夠連續(xù)監(jiān)控狀態(tài)的變化，將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在F-RAM中并向系統(tǒng)提出有關(guān)變化的報(bào)警。FM6124與可編程邏輯控制器 (PLC) 類似，具有簡(jiǎn)單的器件設(shè)置和資料檢索功能，便于系統(tǒng)集成和縮短設(shè)計(jì)周期。　　FM6124是針對(duì)工業(yè)控制、醫(yī)療和計(jì)量等廣泛的工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。EDR能夠?qū)崿F(xiàn)
關(guān)鍵字： Ramtron F-RAM 存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)記錄儀 EDR

Flash外部配置器件在SOPC中的應(yīng)用

　　1 Flash在SOPC中的作用　　Flash在SOPC中的作用主要表現(xiàn)在兩方面：一方面，可用Flash來保存FPGA的配置文件，從而可以省去EPCS芯片或解決EPCS芯片容量不夠的問題。當(dāng)系統(tǒng)上電后，從Flash中讀取配置文件，對(duì)FPGA進(jìn)行配置。另一方面，可用Flash來保存用戶程序。對(duì)于較為復(fù)雜的SOPC系統(tǒng)，用戶程序一般較大，用EPCS來存儲(chǔ)是不現(xiàn)實(shí)的。系統(tǒng)完成配置后，將Flash中的用戶程序轉(zhuǎn)移到外接RAM或片內(nèi)配置生成的RAM中，然后系統(tǒng)開始運(yùn)行。　　2 Flash編程的實(shí)現(xiàn) 　
關(guān)鍵字： FPGA SOPC Flash RAM NiosII

80C51原始IP核內(nèi)部RAM的擴(kuò)展方案

　　引言　　80C51系列單片機(jī)是一類經(jīng)典的8位微處理器，其設(shè)計(jì)方法和體系結(jié)構(gòu)一直是其他各類單片機(jī)設(shè)計(jì)的參考典范，自從20世紀(jì)80年代面世以后,得到了極大的發(fā)展與應(yīng)用。直到今天,市場(chǎng)上還有一大部分單片機(jī)應(yīng)用成品將其作為處理核心?；?0C51系列單片機(jī)無知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)、市場(chǎng)應(yīng)用廣泛等優(yōu)點(diǎn)，對(duì)其進(jìn)行功能拓展,既有利于經(jīng)濟(jì)上節(jié)約成本,也有利于成果的推廣使用。而隨著單片機(jī)應(yīng)用日趨復(fù)雜化,傳統(tǒng)的51系列單片機(jī)在設(shè)計(jì)上的不足逐漸顯現(xiàn)出來。如在現(xiàn)有128字節(jié)內(nèi)部RAM基礎(chǔ)上，處理一些比較復(fù)雜的算法就顯不足。鑒于此,
關(guān)鍵字： IP核 RAM 80C51 寄存器