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EEPW首頁 >> 主題列表 >> ram-x24c45器件

揚長補短發(fā)展FeRAM

  • 　　存儲器在半導(dǎo)體行業(yè)就是一塊萬能膏藥，或者嵌入到SoC里或者當(dāng)做單獨的存儲元件，有數(shù)據(jù)計算和程序存儲的要求就有它的用武之地。當(dāng)前的主流半導(dǎo)體存儲器可以簡單的分成易失性和非易失性兩部分，它們各有所長，應(yīng)用領(lǐng)域也因這一特性而是涇渭分明。 　　易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM，SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù)，但是RAM 類型的存儲器易于使用、性能好。非易失性存儲器在掉電的情況下并不會丟失所存儲的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于ROM（只讀存儲器）技術(shù)，包
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采用FPGA IP實現(xiàn)DDR的讀寫控制的設(shè)計與驗證

  • 摘要： 本文采用LatticeXP系列FPGA結(jié)合IP解決DDR RAM的讀寫控制。并且在硬件上面進行了實際測試。關(guān)鍵詞： 嵌入式系統(tǒng)；DDR RAM；FPGA；IP；LattcieXP 前言隨著高速處理器的不斷發(fā)展，嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用的領(lǐng)域越來越廣泛，數(shù)字信號處理的規(guī)模也越來越大，系統(tǒng)中RAM規(guī)模不斷增加，比如視頻監(jiān)控、圖像數(shù)據(jù)采集等領(lǐng)域，圖像處理的實時性對RAM帶寬的要求不斷增加，傳統(tǒng)的SDRAM在帶寬上已經(jīng)逐漸無法滿足應(yīng)用要求，DDR SDRAM(雙倍速率SDRAM)采用在時鐘CL
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linux內(nèi)核編譯步驟

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： 內(nèi)核  RAM  

Windows CE 進程、線程和內(nèi)存管理（三）

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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微處理器實時時鐘芯片MM58167B原理與應(yīng)用

  • 本文詳細(xì)介紹了MM58167B的各功能模塊、性能及其應(yīng)用。
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雙口RAM在自動化系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • 對雙口RAM操作中共享沖突的幾種方式進行了討論和分析。給出了防止這些共享沖突的基本方法，同時結(jié)合其在自動化系統(tǒng)中的應(yīng)用給出了雙口RAM和現(xiàn)場總線、工業(yè)以太網(wǎng)的接口應(yīng)用方案。
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雙口RAM通訊在電機控制中的應(yīng)用

  • 在冶金行業(yè)中，絕大部分控制信息的傳遞基本上都是依靠總線進行的，通過總線還可以實現(xiàn)對各個生產(chǎn)加工環(huán)節(jié)的實時監(jiān)控，所以總線技術(shù)無處不在，其中VME計算機因其支持多個CPU，64位的尋址和數(shù)據(jù)傳輸能力，IEC 297 歐卡標(biāo)準(zhǔn)，機械性能可靠和穩(wěn)定，并具有可靠的接插件，帶電熱插拔，多廠商支持等優(yōu)點得到廣泛應(yīng)用。
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用FPGA技術(shù)實現(xiàn)某新型通信設(shè)備中PCM碼流處理

  • 摘    要：本文根據(jù)FPGA器件的特點，介紹了應(yīng)用FPGA設(shè)計某通信設(shè)備中PCM碼流處理模塊的一種方案。并就設(shè)計中遇到的問題進行了分析。關(guān)鍵詞：FPGA；RAM引言由于FPGA器件可實現(xiàn)所有數(shù)字電路功能 ，具有結(jié)構(gòu)靈活、設(shè)計周期短、硬件密度高和性能好等優(yōu)點，在高速信號處理領(lǐng)域顯示出愈來愈重要的作用。本文研究了基于FPGA技術(shù)對PCM碼流進行處理的實現(xiàn)方法。變換后的數(shù)據(jù)寫入RAM，與DSP配合可完成復(fù)雜的信號處理功能。設(shè)計方案某新型通信設(shè)備中，在完成調(diào)度功能的板子上，需要進行
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在MPC555中實現(xiàn)從RAM的快速引導(dǎo)

  • 介紹了PowerPC系列微處理器的異常和中斷。同時以MPC555為例對嵌入式系統(tǒng)從ROM和RAM中的引導(dǎo)特點及技術(shù)實現(xiàn)方法進行了比較，給出了MPC555從RAM快速引導(dǎo)的實現(xiàn)方法。
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用塊RAM實現(xiàn)卷積交織解交織

  • 摘 要： 本文詳細(xì)介紹了用塊RAM來實現(xiàn)卷積交織－解交織的原理和設(shè)計，以J.83標(biāo)準(zhǔn)中的卷積交織器例進行了說明。在此基礎(chǔ)上找到了用塊RAM實現(xiàn)卷積交織－解交織器的一般規(guī)律。關(guān)鍵詞： 卷積交織－解交織；FIFO移位寄存器；RAM為了糾正數(shù)據(jù)在信道中傳輸時由于受到突發(fā)干擾而產(chǎn)生的突發(fā)錯誤，常用的方法是采用交織－解交織措施，也就是通過在發(fā)射端將所要發(fā)射的數(shù)據(jù)通過交織將其順序打亂，接收后解調(diào)的時隙輸出經(jīng)過一次解交織的反向處理重新組合，使其變?yōu)樵瓉眄樞虻男蛄?，這樣就可以將相鄰的突發(fā)錯誤分散到糾錯解碼可以糾錯的范
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英特爾將推出1GB手持式記憶體

  • 英特爾在今年臺北舉辦的英特爾科技論壇（IDF）中宣布，將生產(chǎn)最高可達到1GB容量的手持式裝置專用記憶系統(tǒng)。英特爾資深??總裁Ron Smith表示，此產(chǎn)品的技術(shù)架構(gòu)采最新的高階堆疊式封裝，可將英特爾的StataFlash記憶體和動態(tài)記憶體（RAM）堆疊在一起，做成大小只有8x11公厘的記憶體模組
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  嵌入式  RAM  
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