Ramtron推出1兆位串行F-RAM存儲(chǔ)器

　　Ramtron International Corporation宣布推出新型F-RAM系列中的首款產(chǎn)品，具有高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM產(chǎn)品的首款器件FM25V10，是1兆位 (Mb)、2.0至3.6V、具有串行外設(shè)接口 (SPI) 的非易失性RAM，采用8腳SOIC封裝，其特點(diǎn)是快速訪問(wèn)、無(wú)延遲(NoDelay?) 寫入、1E14讀/寫次數(shù)和低功耗。FM25V10是工業(yè)控制、計(jì)量、醫(yī)療、汽車、軍事、游戲及計(jì)算機(jī)等應(yīng)用領(lǐng)域1Mb串行閃存和串行EEPROM存儲(chǔ)器的理想代替產(chǎn)品。此外，Ramtron已計(jì)劃在2008年陸續(xù)推出SPI、I2C及并行接口V系列F-RAM產(chǎn)品。

　　Ramtron市場(chǎng)拓展經(jīng)理Duncan Bennett解釋道：“我們的V系列F-RAM產(chǎn)品能夠滿足客戶對(duì)低工作電壓及集成功能的需求，比如說(shuō)減小板卡空間及降低裝配成本和器件成本。我們的高密度F-RAM生產(chǎn)工藝已經(jīng)擴(kuò)展了產(chǎn)品的性能特性，使到V系列F-RAM產(chǎn)品可在很寬泛的電壓范圍工作。”

　　與串行閃存或串行EEPROM不同，F(xiàn)M25V10以總線速度執(zhí)行寫操作，無(wú)寫入延遲，且數(shù)據(jù)能夠立即寫入存儲(chǔ)器陣列。無(wú)需進(jìn)行數(shù)據(jù)輪詢即可開(kāi)始下一個(gè)總線周期。相比串行閃存和串行EEPROM，F(xiàn)M25V10的耐用性高出8個(gè)數(shù)量級(jí)以上，所消耗的有效功率卻不到其十分之一。

　　FM25V10具有高性能F-RAM功能，適用于要求頻繁或快速數(shù)據(jù)寫入或低功耗操作的非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)用，應(yīng)用范圍從需要寫入次數(shù)多的高頻數(shù)據(jù)采集應(yīng)用，到嚴(yán)苛的工業(yè)控制應(yīng)用。而在這些應(yīng)用中，串行閃存或EEPROM因?yàn)闈撛诘臄?shù)據(jù)丟失風(fēng)險(xiǎn)，而并不適用。

　　FM25V10具有一個(gè)只讀器件ID，可以通過(guò)一個(gè)獨(dú)一無(wú)二的序列號(hào)和/或系統(tǒng)重置選項(xiàng)來(lái)命令它。器件ID提供有關(guān)制造商、產(chǎn)品密度和產(chǎn)品版本的信息。獨(dú)特的序列號(hào)使主機(jī)擁有一個(gè)ID，以區(qū)別于世界上任何其它主機(jī)。系統(tǒng)重置選項(xiàng)可省去對(duì)外部系統(tǒng)重置部件的需要。

　　FM25V10可在-40°C至+85°C的工業(yè)溫度范圍工作，以40MHz SPI時(shí)鐘速率運(yùn)行時(shí)耗電僅為3mA，待機(jī)模式耗電僅為90uA，睡眠模式耗電更低至5uA。FM25V10的有功功耗為每MHz 38uA，其電流較同類串行閃存或EEPROM產(chǎn)品低一個(gè)數(shù)量級(jí)。

　　關(guān)于F-RAM V系列

　　Ramtron的V系列F-RAM產(chǎn)品采用Ramtron和德州儀器共同開(kāi)發(fā)的公認(rèn)的130nm CMOS生產(chǎn)工藝制造，包括各種并行、串行I2C和SPI存儲(chǔ)器。先進(jìn)的制造工藝能夠提高產(chǎn)品的技術(shù)規(guī)格及擴(kuò)展其功能集。Ramtron計(jì)劃在2008年年底前推出的其它V系列產(chǎn)品將具有額外的SPI產(chǎn)品密度，以及I2C和并行接口。所有串行F-RAM V系列產(chǎn)品均具有可選器件的特性，包括獨(dú)特的序列號(hào)和系統(tǒng)重置選項(xiàng)。

　　價(jià)格和供貨

　　符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)及8腳SOIC封裝的FM25V10現(xiàn)已提供，查詢價(jià)格詳情，請(qǐng)與Ramtron 聯(lián)絡(luò)。