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基于積累型MOS變容管的射頻壓控振蕩器設計
- 引言 隨著移動通信技術的發(fā)展,射頻(RF)電路的研究引起了廣泛的重視。采用標準CMOS工藝實現(xiàn)壓控振蕩器(VCO),是實現(xiàn)RF CMOS集成收發(fā)機的關鍵。過去的VCO電路大多采用反向偏壓的變容二極管作為壓控器件,然而在用實際工藝實現(xiàn)電路時,會發(fā)現(xiàn)變容二極管的品質因數(shù)通常都很小,這將影響到電路的性能。于是,人們便嘗試采用其它可以用CMOS工藝實現(xiàn)的器件來代替一般的變容二極管,MOS變容管便應運而生了。 MOS變容管 將MOS晶體管的漏,源和襯底短接便可成為一個簡單的MOS電容,其電容值隨柵極與襯底之間
- 關鍵字: CMOS RF專題 電源技術 模擬技術 射頻 振蕩器
集成多路模擬開關的應用技巧
- 集成多路模擬開關(以下簡稱多路開關)是自動數(shù)據(jù)采集、程控增益放大等重要技術領域的常用器件,其實際使用性能的優(yōu)劣對系統(tǒng)的嚴謹和可靠性重要影響。 關于多路開關的應用技術,些文獻上介紹有兩點不足:一是對器件自身介紹較多,而對器件與相關電路的合理搭配與協(xié)調介紹較少;二是原則性的東西介紹較多,而操作性的東西介紹較少。研究表明:只有正確選擇多路開關的種類,注意多路開關與相關電路的合理搭配與協(xié)調,保證各電路單元有合適的工作狀態(tài),才能充分發(fā)揮多路開關的性能,甚至彌補某性能指標的欠缺,收到預期的效果。本文從應用
- 關鍵字: CMOS 電源技術 放大器 模擬技術 模擬開關
手機多頻帶切換力推RF MEMS 開關發(fā)展
- 手機的發(fā)展要求在以低插入損耗進行多頻帶和多模頻帶切換的同時仍保持優(yōu)良的線性特性,這推動了RF MEMS開關的應用和發(fā)展。隨著新的復雜波形如WiMAX添加到混合信號上,多頻帶的切換問題變得更加突出。目前在全球大規(guī)模興建的3G網絡可提供包括數(shù)據(jù)和點播視頻在內的多種業(yè)務,網絡的發(fā)展對手機設計師提出了新的挑戰(zhàn)。無線技術的發(fā)展已經使得手機可以使用7種不同的無線標準(頻帶),包括DCS、PCS、GSM、EGSM、CDMA、WCDMA、GPS 和 Wi-Fi(見表1)。每種標準自身均具有獨特的特性和限制,并因此產生了自
- 關鍵字: 0609_A MEMS RF RF專題 消費電子 雜志_專題 消費電子
ADI發(fā)布具有亞吉赫茲窄帶CMOS收發(fā)器IC
- ——全新高性能ADF7021可滿足AMR、無線家庭自動化和多種無線連接應用要求, 提供比同類產品提高7dB靈敏度,最低發(fā)射器功耗電流和最少外部元件。 美國模擬器件公司在馬薩諸塞州諾伍德市(Norwood, Mass.)發(fā)布推出ADF7021窄帶收發(fā)器集成電路(IC)擴展了其業(yè)界領先的射頻(RF)IC產品種類。ADF7021適合于工作在80 MHz~650 MHz和862 MHz~940 MHz多個頻帶。ADF7021完全符合歐洲ETSI-300
- 關鍵字: ADI CMOS IC 單片機 電源技術 工業(yè)控制 接收器 靈敏度 模擬技術 嵌入式系統(tǒng) 收發(fā)器 亞吉赫茲窄帶 工業(yè)控制
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