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rf-cmos 文章 進(jìn)入rf-cmos技術(shù)社區(qū)
Zarlink上市RF收發(fā)器SoC面向人體醫(yī)療器件
- 加拿大卓聯(lián)半導(dǎo)體(ZarlinkSemiconductorLimited)上市了面向植入人體的醫(yī)療器件的RF收發(fā)器SoC(系統(tǒng)芯片)“ZL70101”。主要用于心臟起搏器、心臟除顫器、藥泵和生理監(jiān)測(cè)儀。配備最高數(shù)據(jù)處理速度為800kbit/秒的MAC(MediaAccessController)。利用MICS(MedicalImplantCommunicationService)使用的402~405MHz頻帶工作。 新產(chǎn)品配備有“wake-up”信號(hào)接收器,將睡眠模式下的消耗電流控制
- 關(guān)鍵字: RF Zarlink 收發(fā)器 SoC ASIC 醫(yī)療電子芯片
一種高速低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路
- 在DC-DC電源管理芯片中,電壓的穩(wěn)定尤為重要,因此需要在芯片內(nèi)部集成欠壓鎖定電路來(lái)提高電源的可靠性和安全性。對(duì)于其它的集成電路,為提高電路的可靠性和穩(wěn)定性,欠壓鎖定電路同樣十分重要。 傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路要求簡(jiǎn)單、實(shí)用,但忽略了欠壓鎖定電路的功耗,使系統(tǒng)在正常工作時(shí),仍然有較大的靜態(tài)功耗,這樣就降低了電源的效率,并且無(wú)效的功耗增加了芯片散熱系統(tǒng)的負(fù)擔(dān),影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性。 基于傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路,本文提出一種CMOS工藝下的低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路,并通過HSPICE仿真。此電
- 關(guān)鍵字: CMOS 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 鎖定電路
CMOS在大范圍醫(yī)療及其他新型圖形傳感器應(yīng)用中贏得市場(chǎng)
- 目前,傳統(tǒng)的電荷耦合設(shè)備(CCD)圖像傳感器技術(shù)已不能滿足工業(yè)及專業(yè)圖像抓?。╥mage capture)應(yīng)用的需要?;跇?biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)的新型圖像傳感器技術(shù)以其高度靈活性、出色的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性以及在各種系統(tǒng)環(huán)境下表現(xiàn)出的易集成性在醫(yī)用電子產(chǎn)品行業(yè)中開創(chuàng)出了一個(gè)全新領(lǐng)域,為用戶提供了更多選擇。 從CCD到CMOS:大勢(shì)所趨 在過去三十年左右的時(shí)間里,CCD技術(shù)一直被用于圖像轉(zhuǎn)換。CCD是一種成熟的技術(shù),能夠在低噪聲的前提下提供優(yōu)質(zhì)圖像,作為電荷耦合器件在像素間完成圖像數(shù)據(jù)的串行傳輸。為
- 關(guān)鍵字: CMOS 單片機(jī) 嵌入式系統(tǒng) 圖形傳感器 醫(yī)療 醫(yī)療電子
嵌入式CMOS成像器速度全息數(shù)據(jù)檢索
- 過去,由于缺乏低成本系統(tǒng)部件,或因全息多路技術(shù)過于復(fù)雜以及找不到合適的記錄材料,使全息數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)品的開發(fā)受到限制?,F(xiàn)在,已經(jīng)進(jìn)入消費(fèi)類屏幕市場(chǎng)的數(shù)字微鏡設(shè)備以及用于高速機(jī)器視覺應(yīng)用、基于CMOS的有源像素探測(cè)器陣列將使這種狀況得以改觀。舉例來(lái)說(shuō),由于微鏡設(shè)備可被有效地用作空間光調(diào)制器(spatial light modulator),因此高速CMOS成像器可用來(lái)讀取全息媒體中包含的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。 在傳統(tǒng)光學(xué)存儲(chǔ)設(shè)備中,數(shù)
- 關(guān)鍵字: CMOS 成像器 單片機(jī) 嵌入式系統(tǒng) 數(shù)據(jù)檢索
用于通用X射線應(yīng)用的晶圓級(jí)有源像素CMOS圖像傳感器
- 摘要: 本文以使用標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)和有源像素架構(gòu)的CMOS有源像素傳感器為研究對(duì)象。該傳感器專為X射線成像系統(tǒng)而設(shè)計(jì),具有噪聲低和感光度高等特點(diǎn)。這種傳感器已使用標(biāo)準(zhǔn)0.35μm技術(shù)和8″晶圓得到生產(chǎn)。傳感器分辨率為每40 x 40μm2 面積3360 x 3348像素。其對(duì)角長(zhǎng)度略大于190mm。本文對(duì)傳感器的圖紙?jiān)O(shè)計(jì)、拼接圖和已得到開發(fā)的電子光學(xué)性能進(jìn)行了論述。 &nbs
- 關(guān)鍵字: CMOS X射線 電源技術(shù) 晶圓級(jí) 模擬技術(shù) 圖像傳感器 有源像素 其他IC 制程 設(shè)備診斷類
OKI新型UV傳感器ML8511采用SI-CMOS制程
- 沖電氣(OKI)推出內(nèi)建運(yùn)算放大器的紫外線(UV)傳感器IC——ML8511。該產(chǎn)品運(yùn)用絕緣上覆硅(SOI)-CMOS,為該公司首款模擬電壓輸出、無(wú)濾光器的UV傳感器。OKI將從6月份開始陸續(xù)針對(duì)可攜式等用途產(chǎn)品,提供新款UV傳感器樣品。 OKI的UV傳感器IC由于采用了容易高整合度的SOI-CMOS技術(shù),適合于數(shù)字及模擬電路。OKI表示,該公司未來(lái)將靈活運(yùn)用這一特長(zhǎng),加強(qiáng)與連接微處理器的數(shù)字輸出電路,進(jìn)而與感測(cè)式亮度控制傳感器(AmbientLightSensor)構(gòu)成單一芯片的商品陣容;未來(lái)
- 關(guān)鍵字: OKI SI-CMOS 傳感器 電源技術(shù) 模擬技術(shù) IC 制造制程
常用CMOS模擬開關(guān)功能和原理
- 開關(guān)在電路中起接通信號(hào)或斷開信號(hào)的作用。最常見的可控開關(guān)是繼電器,當(dāng)給驅(qū)動(dòng)繼電器的驅(qū)動(dòng)電路加高電平或低電平時(shí),繼電器就吸合或釋放,其觸點(diǎn)接通或斷開電路。CMOS模擬開關(guān)是一種可控開關(guān),它不象繼電器那樣可以用在大電流、高電壓場(chǎng)合,只適于處理幅度不超過其工作電壓、電流較小的模擬或數(shù)字信號(hào)。 一、常用CMOS模擬開關(guān)引腳功能和工作原理 1.四雙向模擬開關(guān)CD4066 CD4066的引腳功能如圖1所示。每個(gè)封裝內(nèi)部有4個(gè)獨(dú)立的模擬開關(guān),每個(gè)模擬開關(guān)有輸入、輸出、控制三個(gè)端子,其中輸入端和輸出端可互換。當(dāng)控
- 關(guān)鍵字: CMOS 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 模擬開關(guān) 數(shù)控電阻 電阻 電位器
ROHM開發(fā)CMOS運(yùn)算放大器和比較器
- ROHM株式會(huì)社針對(duì)力求省電的筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)、游戲機(jī)等便攜數(shù)碼產(chǎn)品,推出高可靠性CMOS運(yùn)算放大器、比較器。共發(fā)布24種1ch、2ch的高速型、低功耗型CMOS運(yùn)算放大器、比較器。首先是從需求量大的1ch產(chǎn)品的樣品出貨、量產(chǎn)開始。3月份開始推出高速型「BU7261G」、「BU7261SG」和低功耗型「BU7241G」、「BU7241SG」運(yùn)算放大器樣品,并將于2007年6月開始量產(chǎn)。 而CMOS比較器則從2007年4月開始推出高速型「BU7251G」、「BU7251SG」,與低功耗型「BU7231G
- 關(guān)鍵字: CMOS ROHM 比較器 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 運(yùn)算放大器 模擬IC 電源
NI發(fā)布11款基于PXI的RF開關(guān)模塊
- 美國(guó)國(guó)家儀器有限公司(National Instruments,簡(jiǎn)稱NI)發(fā)布了11款新的RF開關(guān),將50 和75 Ohm 應(yīng)用的PXI RF開關(guān)模塊的選擇增多了一倍。這些模塊包括4x1、4x1匹配、4x1雙向、8x1雙向多路復(fù)用器以及四重SPDT和雙匹配SPDT通用配置。有了這些產(chǎn)品,工程師們可以基于性價(jià)比和改善信號(hào)完整性的考慮,自主選擇優(yōu)化他們的RF開關(guān)網(wǎng)絡(luò)。6款新的2.5 GHz 75 ohm模塊是NI為高頻率視頻應(yīng)用(例如置頂盒測(cè)試等)推出的第一批產(chǎn)品。5款2.7 GHz 50 ohm模塊是NI現(xiàn)
- 關(guān)鍵字: NI RF 電源技術(shù) 開關(guān)模塊 模擬技術(shù) 模塊
帶有MSP430與Chipcon RF模塊的開發(fā)工具
- 編號(hào)為MSP-EXP430FG4618的MSP430實(shí)驗(yàn)板可幫助設(shè)計(jì)人員利用高集成度片上信號(hào)鏈(SCoC)MSP430FG4618 或 14 引腳小型F2013 微控制器快速開發(fā)超低功耗醫(yī)療、工業(yè)與消費(fèi)類嵌入式系統(tǒng)。該電路板除集成兩個(gè) 16 位 MSP430 器件外,還包含一個(gè) TI(Chipcon 產(chǎn)品線)射頻 (RF) 模塊連接器,以用于開發(fā)低功耗無(wú)線網(wǎng)絡(luò)。另外,它還支持多種輸入輸出選項(xiàng),其中包括擴(kuò)音器、蜂鳴器、液晶顯示屏 (LCD)、電容觸摸板、按鈕以及引腳板原型空間等。 利用兩款 MSP430
- 關(guān)鍵字: Chipcon MSP430 RF 單片機(jī) 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 嵌入式系統(tǒng) 模塊
加拿大Lyrtech推出四通道雙波段射頻接收機(jī)Quad Dual-Band RF Transceiver
- 加拿大Lyrtech公司推出新產(chǎn)品:四通道雙波段射頻接收機(jī)“Quad Dual-Band RF Transceiver”。近幾年,Lyrtech公司一直致力于MIMO技術(shù)的開發(fā)和優(yōu)化設(shè)計(jì)工作,該產(chǎn)品成為L(zhǎng)yrtech MIMO系統(tǒng)集成解決方案的重要組成部分。 Quad Dual-Band RF Transceiver 是由Lyrtech和COMLAB 公司聯(lián)合開發(fā)的。該接收機(jī)是一個(gè)四通道MIMO射頻模擬前端,
- 關(guān)鍵字: Dual-Band Quad RF Transceiver 電源技術(shù) 加拿大Lyrtech 模擬技術(shù) 四通道雙波段射頻接收機(jī) 通訊 網(wǎng)絡(luò) 無(wú)線
RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開發(fā)
- 摘 要:本文簡(jiǎn)述了RF 功率 MOSFET器件的應(yīng)用,分析了以LDMOSFET工藝為基礎(chǔ)的RF 功率 MOSFET的功能特性、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和制造工藝特點(diǎn)。文中結(jié)合6寸芯片生產(chǎn)線,設(shè)計(jì)了產(chǎn)品的制造工藝流程,分析了制造工藝的難點(diǎn),并提出了解決方案。關(guān)鍵詞:RF 功率 MOSFET;LDMOSFET;器件結(jié)構(gòu);制造工藝 引言RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無(wú)線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀(jì)90年代中期,RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET
- 關(guān)鍵字: LDMOSFET MOSFET RF RF專題 電源技術(shù) 功率 模擬技術(shù) 器件結(jié)構(gòu) 制造工藝
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