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EEPW首頁 >> 主題列表 >> rf-cmos

利用PCB布局技術(shù)實現(xiàn)音頻放大器的RF噪聲抑制

  • 摘要：PCB布局技術(shù)可用于優(yōu)化音頻放大器IC的RF噪聲抑制能力。在此我們將利用Maxim推出的MAX9750 IC進行實例分 ...
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雙通道/四通道CMOS 運算放大器LTC6084/LTC60

  • 描述　　LTC?6084/LTC6085 是雙通道/四通道、低成本、低失調(diào)、軌至軌輸入/輸出、單位增益穩(wěn)定的 CMOS 運 ...
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RF放大器,RF放大器主要參數(shù)有哪些

  • RF放大器,RF放大器主要參數(shù)有哪些?RF放大器的主要參數(shù)說明工作頻率范圍（F）：指放大器滿足各級指標(biāo)的工作頻率 ...
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MAX44265低功耗關(guān)斷模式CMOS運算放大器

ADI推出面向射頻（RF）信號器件的超低噪聲LDO（低壓差）穩(wěn)壓器

  • Analog Devices, Inc.(NASDAQ：ADI)，全球領(lǐng)先的高性能信號處理解決方案供應(yīng)商，近日宣布推出面向射頻(RF)信號器件的超低噪聲LDO(低壓差)穩(wěn)壓器。ADM7150/1的工作電壓為4.5 V至16 V，最多可提供800 mA輸出電流，輸出電壓范圍為1.5至5.0 V。
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ROHM(羅姆)集團產(chǎn)品解決方案展示

  • ROHM(羅姆)旗下的LAPIS Semiconductor憑借面向ZigBee?產(chǎn)品等長年開發(fā)的RF電路設(shè)計技術(shù)，開發(fā)出無線通信LSI“ML7105”，達成了收發(fā)數(shù)據(jù)時的電路電流目標(biāo)。最大限度地發(fā)揮以往的技術(shù)積累，實現(xiàn)細(xì)致的電路電流的優(yōu)化和RF電路結(jié)構(gòu)的大幅變更。
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Vishay發(fā)布采用新工藝的高性能CMOS模擬開關(guān)

  • 2013 年 11 月5 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出具有1.5?低導(dǎo)通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開關(guān)--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模擬工藝，導(dǎo)通電阻只有1.5?
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美國半導(dǎo)體聯(lián)盟啟動“半導(dǎo)體合成生物技術(shù)”

  • 　　新計劃的第1階段將在3個相關(guān)又有所區(qū)別的領(lǐng)域支持6個探索性的項目：第1個領(lǐng)域是細(xì)胞形態(tài)-半導(dǎo)體電路設(shè)計領(lǐng)域，將從細(xì)胞生物學(xué)獲得的經(jīng)驗應(yīng)用到新型芯片體系結(jié)構(gòu)中，反之亦然;第2個領(lǐng)域是生物電子傳感器、執(zhí)行器和能源領(lǐng)域，專門支持半導(dǎo)體生物混合系統(tǒng);第3個領(lǐng)域是分子級精確增材制造領(lǐng)域，將在受生物啟發(fā)的數(shù)納米級尺度上開發(fā)制造工藝。該研究計劃第1階段的研究成果將用于指導(dǎo)未來多代半導(dǎo)體合成生物技術(shù)研究。半導(dǎo)體研究聯(lián)盟的全球研究合作計劃將為第1階段研究投資225萬美元。- 　　麻省理工學(xué)院的RahulSarpe
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改進RGC結(jié)構(gòu)的光互連CMOS前置放大器設(shè)計

  • 該前置放大器采用了改良后的RGC結(jié)構(gòu)作為輸入端。Cadence Virtuoso 仿真軟件的仿真結(jié)果表明：在光探測器結(jié)電容 ...
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帶有增益提高技術(shù)的高速CMOS運算放大器設(shè)計

  • 設(shè)計了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運算放大器。主運放采用帶開關(guān)電容共模反饋的折疊式共源 ...
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CMOS型單片機時鐘電路圖

  • MCS-51內(nèi)部都有一個反相放大器，XTAL1、XTAL2分別為反相放大器輸入和輸出端，外接定時反饋元件以后就組成振蕩器 ...
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新日本無線推出超低功耗CMOS運放NJU77806

  • 新日本無線推出的這款單電路軌至軌輸出的CMOS運放 NJU77806 的獨特之處是同時具有業(yè)界最低噪聲 (5.5nV/√Hz typ. at f=1kHz) 和低功耗 (1.8V,500uA) 兩種特性，還備有良好的寬帶特性 (GBP=4.4MHz) 和強RF噪聲抑制能力，是一款兩全其美外加實用的好產(chǎn)品。
  • 關(guān)鍵字： 新日本  CMOS  無線網(wǎng)絡(luò)  

技術(shù)：CMOS集成電路電阻的應(yīng)用分析

  • 　　目前，在設(shè)計中使用的主要有3種電阻器：多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設(shè)計中，要根據(jù)需要靈活運用這3種電阻，使芯片的設(shè)計達到最優(yōu)。 　　1CMOS集成電路的性能及特點 　　1.1功耗低CMOS集成電路采用場效應(yīng)管，且都是互補結(jié)構(gòu)，工作時兩個串聯(lián)的場效應(yīng)管總是處于一個管導(dǎo)通，另一個管截止的狀態(tài)，電路靜態(tài)功耗理論上為零。實際上，由于存在漏電流，CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個門電路的功耗典型值僅為20mW，動態(tài)功耗(在1MHz工作頻率時)也僅為幾mW。 　　1.2工作電壓范圍寬CMOS集成電路供電
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安立的RF/RRM一致性測試和協(xié)議一致性測試已取得領(lǐng)先地位

  • 安立公司(董事長Hirokazu Hashimoto)宣布其RF/RRM一致性測試系統(tǒng)和協(xié)議一致性測試系統(tǒng)在LTE Advanced載波聚合的GCF認(rèn)證中已經(jīng)取得了領(lǐng)先地位。
  • 關(guān)鍵字： 安立  測試系統(tǒng)  RF/RRM  

RF無線技術(shù)：工業(yè)用無線傳感器網(wǎng)絡(luò)

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