rf-cmos 文章進(jìn)入rf-cmos技術(shù)社區(qū)

IMEC、瑞薩、M4S聯(lián)手推出單芯片無線收發(fā)器

　　在2010年2月10日召開的國(guó)際固態(tài)電子電路大會(huì)上，IMEC、株式會(huì)社瑞薩科技(以下簡(jiǎn)稱瑞薩)、M4S聯(lián)手推出了利用40nm低功耗CMOS工藝制造而成、帶有RF、基帶和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器電路的完整收發(fā)器。這款完全可重配置的收發(fā)器符合各種無線標(biāo)準(zhǔn)和應(yīng)用要求，并且符合即將推出的移動(dòng)寬帶3GPP-LTE標(biāo)準(zhǔn)。　　可隨時(shí)隨地為用戶提供大量服務(wù)的無線通信終端發(fā)展趨勢(shì)，推動(dòng)了利用深亞微米CMOS工藝制造而成的可重配置無線電的發(fā)展。就3GPP-LTE標(biāo)準(zhǔn)自身非常靈活的特性而言，可重配置無線電就成為其最經(jīng)濟(jì)的實(shí)現(xiàn)方式。并
關(guān)鍵字：瑞薩 40nm CMOS 無線收發(fā)器

愛爾蘭科學(xué)家開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款非節(jié)型晶體管

　　愛爾蘭丁鐸爾國(guó)家研究院的科學(xué)家最近宣稱他們成功制出了業(yè)內(nèi)首款非節(jié)型晶體管，并稱此項(xiàng)發(fā)明對(duì)10nm級(jí)別制程意義重大，可大大簡(jiǎn)化晶體管的制造工藝復(fù)雜程度。這種晶體管采用類似Finfet的結(jié)構(gòu)，將晶體管的柵極制成婚戒型的結(jié)構(gòu)，并在柵極中心制出硅質(zhì)溝道，溝道的尺寸僅有數(shù)十個(gè)原子的直徑加起來那么大。　　該研發(fā)團(tuán)隊(duì)是由Jean-Pierre Colinge教授領(lǐng)導(dǎo)的，這種晶體管的亞閥值斜率接近理想狀態(tài)，而且還具備漏電電流小，門限電壓低以及耐溫性好的優(yōu)點(diǎn)，而且還可以兼容于CMOS工藝。　　硅溝道中的電
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用ADS實(shí)現(xiàn)一個(gè)2.38 GHz全集成化低噪聲放大器

關(guān)鍵字： ADS CMOS 低噪聲放大器全集成化放大器功率增益噪聲系數(shù)

格科微CMOS 圖像傳感器產(chǎn)品于中芯國(guó)際出貨達(dá)10萬片

　　作為中國(guó)大陸第一大CMOS圖像傳感器設(shè)計(jì)公司的格科微電子于日前宣布該公司在其晶圓伙伴中芯國(guó)際集成電路制造有限公司量產(chǎn)的CMOS圖像傳感器8吋晶圓產(chǎn)品出貨達(dá)到10萬片的新里程碑。　　牋牋作為大陸地區(qū)首家涉足CMOS圖像傳感器領(lǐng)域并取得成功的專業(yè)CMOS圖像傳感器設(shè)計(jì)公司，格科微擁有創(chuàng)新的CMOS圖像傳感器核心技術(shù)。格科微的CMOS圖像傳感器產(chǎn)品具有尺寸小，功耗低，成本低，產(chǎn)品圖像品質(zhì)好等特點(diǎn)。除此之外具有色彩校正，噪音消除，圖像大小調(diào)整等功能。其晶圓伙伴中芯國(guó)際生產(chǎn)格科微圖像傳感器產(chǎn)品采用的0.15
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再度出手三星擬再新增CMOS 8寸廠

　　三星電子(Samsung Electronics)再度出手，繼2009年下半首度大幅擴(kuò)充產(chǎn)能外，2010年將首度啟動(dòng)擴(kuò)充產(chǎn)能機(jī)制，預(yù)計(jì)將再新增1座8寸晶圓廠，全數(shù)用于投產(chǎn)CMOS影像傳感器。　　據(jù)了解，三星原本已在韓國(guó)共有2座8寸廠、1座12寸廠用于投產(chǎn)CMOS影像傳感器，2座8寸晶圓廠月產(chǎn)能共4萬~4.5萬片，12寸廠月產(chǎn)能2萬~2.5 萬片，2009年下半為滿足客戶龐大需求，已先行在2座8寸晶圓廠內(nèi)每月再新增1.2萬~2萬片產(chǎn)能，不過即便如此，似乎仍無法滿足客戶需求。　　據(jù)了解，新的8寸晶
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超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)

　隨著筆記本電腦、手機(jī)、PDA 等移動(dòng)設(shè)備的普及,對(duì)應(yīng)各種電池電源使用的集成電路的開發(fā)越來越活躍,高性能、低成本、超小型封裝產(chǎn)品正在加速形成商品化。LDO(低壓差)型線性穩(wěn)壓器由于具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低廉、低噪聲、
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適用于SAR ADC的CMOS比較器的設(shè)計(jì)

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該如何避免軌到軌CMOS放大器的不穩(wěn)定性

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巧焊場(chǎng)效應(yīng)管和CMOS集成電路

焊接絕緣柵（或雙柵）場(chǎng)效應(yīng)管以及CMOS集成塊時(shí)，因其輸入阻抗很高、極間電容小，少量的靜電荷即會(huì)感應(yīng)靜電高壓，導(dǎo)致器件擊穿損壞。筆者通過長(zhǎng)期實(shí)踐摸索出下述焊接方法，取得令人滿意的效果。1.焊絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。
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利用單個(gè)功率放大器實(shí)現(xiàn)GSM/DCS雙頻段RF前端模塊設(shè)計(jì)

本文提出一種新穎的射頻功率放大器電路結(jié)構(gòu)，使用一個(gè)射頻功率放大器實(shí)現(xiàn)GSM/DCS雙頻段功率放大功能。同時(shí)將此結(jié)構(gòu)射頻功率放大器及輸出匹配網(wǎng)絡(luò)與CMOS控制器、射頻開關(guān)集成至一個(gè)芯片模塊，組成GSM/DCS雙頻段射頻前端模塊，其中射頻開關(guān)采用高隔離開關(guān)設(shè)計(jì)，使得諧波滿足通信系統(tǒng)要求。本文設(shè)計(jì)的GSM/DCS雙頻段射頻前端模塊，在GSM發(fā)射模式下，模塊天線端輸出功率為33dBm，效率38%，諧波抑制-33dBm以下；DCS發(fā)射模式下，模塊天線端輸出功率為30dBm,效率30%，諧波抑制-33dBm以下。
關(guān)鍵字： RF 前端模塊設(shè)計(jì) 頻段 GSM/DCS 單個(gè) 功率放大器實(shí)現(xiàn)

IME/China 2009 第四屆上海國(guó)際微波技術(shù)交流展覽會(huì)展后報(bào)告

　　4000平方米，136家國(guó)內(nèi)外展商，22場(chǎng)高質(zhì)量研討會(huì)，超過3,600位專業(yè)觀眾及買家　　由中國(guó)電子學(xué)會(huì)主辦，《現(xiàn)代雷達(dá)》雜志鼎力支持的第四屆上海國(guó)際微波技術(shù)交流展覽會(huì)于2009年11月18至20日在上海光大會(huì)展中心隆重舉辦。作為中國(guó)微波技術(shù)領(lǐng)域最具代表性的國(guó)際盛會(huì)，IME/China每年11月固定在上海舉行，至今已成功舉辦了四屆，本屆展會(huì)匯聚了來自美國(guó)、德國(guó)、瑞士、加拿大、法國(guó)、意大利、愛爾蘭、日本、韓國(guó)、英國(guó)、比利時(shí)、新國(guó)坡、中國(guó)及香港和臺(tái)灣地區(qū)的微波行業(yè)知名廠商參加;同期舉辦的微波技術(shù)研討會(huì)
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監(jiān)控用CMOS與CCD圖像傳感器對(duì)比

CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡(jiǎn)稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡(jiǎn)稱CIS）的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后，以電荷的方
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監(jiān)控用CMOS與CCD圖像傳感器技術(shù)對(duì)比

CCD（ChargeCoupledDevice）圖像傳感器（以下簡(jiǎn)稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOSImageSensor以下簡(jiǎn)稱CIS）的主要...
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威盛發(fā)布首款USB3.0集群控制器

　　威盛電子在1月4日推出VIA VL810 SuperSpeed集群控制器，這是USB3.0技術(shù)時(shí)代業(yè)內(nèi)首款支持更高傳輸速度的整合單芯片解決方案。　　USB3.0(即超速USB)的最大數(shù)據(jù)傳輸速度可達(dá)5Gbps，是現(xiàn)有USB2.0設(shè)備傳輸速度的10倍;此外，該技術(shù)還能提高外部設(shè)備與主機(jī)控制器之間的互動(dòng)功能，包括能耗管理上的重要改進(jìn)。　　VIA VL810由威盛集團(tuán)全資子公司VIA Labs研發(fā)，它實(shí)現(xiàn)在一個(gè)USB接口上連接多個(gè)設(shè)備從而擴(kuò)展了計(jì)算機(jī)的USB性能。一個(gè)輸出接口及四個(gè)輸入接口不僅支持高
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基于0.13微米CMOS工藝下平臺(tái)式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計(jì)方法

基于0.13微米CMOS工藝下平臺(tái)式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計(jì)方法,1. 引言

對(duì)于需要大的片上存儲(chǔ)器的各種不同的應(yīng)用，F(xiàn)PGA 需要提供可重構(gòu)且可串聯(lián)的存儲(chǔ)器陣列。通過不同的配置選擇，嵌入式存儲(chǔ)器陣列可以被合并從而達(dá)到位寬或字深的擴(kuò)展并且可以作為單端口，雙端口
關(guān)鍵字： RAM 重構(gòu) 模塊設(shè)計(jì) 方法 FPGA 平臺(tái) 0.13 微米 CMOS 工藝