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TI推出支持廣泛開(kāi)發(fā)商社群的 CC430 MCU 平臺(tái)

　　日前，德州儀器 (TI) 宣布推出支持廣泛開(kāi)發(fā)商社群、可提供完整可擴(kuò)展軟硬件的 CC430F513x 微處理器 (MCU)，進(jìn)一步推動(dòng)了單芯片射頻 (RF) 解決方案的發(fā)展。該 CC430F513x MCU 將業(yè)界領(lǐng)先的超低功耗 MSP430™ MCU 與 1GHz 以下的高性能 CC1101 RF 收發(fā)器進(jìn)行了完美結(jié)合，并采用 7 毫米 x 7 毫米小型封裝，不但可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 20 MIPS 的性能，而且還可支持如集成型 AES 硬件模塊等安全選項(xiàng)。此外，TI 還推出 CC430F61xx
關(guān)鍵字： TI MCU RF

全球最大容量爾必達(dá)4Gb DDR3顆粒開(kāi)發(fā)完成

　　日本DRAM大廠爾必達(dá)今天宣布，已經(jīng)成功開(kāi)發(fā)出4Gbit容量DDR3內(nèi)存顆粒。這是目前市場(chǎng)上DDR3顆粒的最大容量，只需單面8顆即可組成 4GB容量?jī)?nèi)存條，雙面16顆即可構(gòu)成單條8GB內(nèi)存。該顆粒使用40nm CMOS工藝制造，相比同工藝的2Gb顆粒可節(jié)能30%。支持x4、x8、x16 bit位寬，其中x4/x8位寬版本采用78-ball FBGA封裝，x16bit產(chǎn)品采用96-ball FBGA封裝。除DDR3標(biāo)準(zhǔn)的1.5V電壓外，還可支持1.35V低壓標(biāo)準(zhǔn)。　　爾必達(dá)計(jì)劃將該顆粒使用在單條32
關(guān)鍵字：爾必達(dá) 40nm CMOS DDR3

利用低成本四運(yùn)放驅(qū)動(dòng)RF調(diào)制器

本文介紹的視頻電路組合了音頻副載波陷波器、群延遲均衡器和幅度調(diào)節(jié)電路，在NTSC應(yīng)用中用于驅(qū)動(dòng)RF視頻調(diào)制器。
圖1所示視頻電路組合了ITU-470標(biāo)準(zhǔn)所要求的音頻副載波陷波器和群延遲均衡器。電路還包括一個(gè)幅度調(diào)節(jié)
關(guān)鍵字：調(diào)制器 RF 驅(qū)動(dòng) 成本利用

低成本CMOS圖像傳感器對(duì)醫(yī)學(xué)技術(shù)的推動(dòng)作用

低成本CMOS圖像傳感器對(duì)醫(yī)學(xué)技術(shù)的推動(dòng)作用, 醫(yī)學(xué)技術(shù)一直是CCD(電荷耦合設(shè)備)圖像傳感器的重要應(yīng)用領(lǐng)域之一?，F(xiàn)在，CMOS傳感器已進(jìn)入高速發(fā)展時(shí)期。究其原因，首先，CMOS圖像質(zhì)量可與CCS圖像相媲美。其次，利用標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體制造工藝，CMOS傳感器在價(jià)格方面占據(jù)很
關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器動(dòng)作

臺(tái)積電讓大家感到驚奇的7件事

　　象過(guò)去多年來(lái)一樣, 在今年的會(huì)上臺(tái)積電也爆出讓人感到驚奇的新工藝技術(shù)。它的新工藝路線圖, 包括CMOS,Analog,MEMS,RF等領(lǐng)域。以下是在一天的會(huì)中對(duì)于會(huì)議的觀察及感受; 　　1,Morris張去年79歲高令重新執(zhí)掌臺(tái)積電, 那時(shí)正值全球IC業(yè)混亂時(shí)代, 它又重新?lián)P帆啟航。但是在此次會(huì)上見(jiàn)到張時(shí)仍是如1990年首次見(jiàn)到它時(shí)那樣精力充沛而健談。更重要的是在公司經(jīng)歷40nm的風(fēng)波后,它似乎為客戶重塑了信心及在它的掌舵下公司又重新采取積極的投資, 研發(fā)與招工策略, 張認(rèn)為至今年底公司將從今日的2
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 CMOS Analog MEMS RF

三星宣布新型CMOS傳感器量產(chǎn)技術(shù)

韓國(guó)三星電子宣布提高CMOS傳感器靈敏度的背面照射技術(shù)達(dá)到了實(shí)用化水平，2010年將批量生產(chǎn)產(chǎn)品。至此，三家大型...
關(guān)鍵字： CMOS 傳感器

利用電波暗室測(cè)試電路的RF噪聲抑制

GSM手機(jī)的隨處可見(jiàn)正導(dǎo)致不需要的RF信號(hào)的持續(xù)增加，如果電子電路沒(méi)有足夠的RF抑制能力，這些RF信號(hào)會(huì)導(dǎo)致電路產(chǎn)生的結(jié)果失真。為了確保電子電路可靠工作，對(duì)于電子電路RF抑制能力的測(cè)量已經(jīng)成為產(chǎn)品設(shè)計(jì)必不可少的一
關(guān)鍵字： RF 噪聲抑制電路測(cè)試電波暗室利用

張忠謀談半導(dǎo)體業(yè) 需要加強(qiáng)合作

　　臺(tái)積電總裁張忠謀認(rèn)為,雖然近期IC業(yè)的形勢(shì)越來(lái)越好, 但是產(chǎn)業(yè)還是面臨諸多挑戰(zhàn)。　　在近期舉行的臺(tái)積電技術(shù)會(huì)上張忠謀表示,摩爾定律正在減緩和芯片制造成本越來(lái)越高，因此臺(tái)積電將比過(guò)去在芯片制造商與代工之間更加加強(qiáng)緊密合作。　　它對(duì)于大家說(shuō),此種合作關(guān)系要從芯片設(shè)計(jì)開(kāi)始, 并相信未來(lái)臺(tái)積電會(huì)做得更好。　　它同時(shí)指出，加強(qiáng)合作要依技術(shù)為先。從技術(shù)層面, 那些老的，包括新的代工競(jìng)爭(zhēng)者, 如GlobalFoundries,Samsung及UMC,對(duì)于臺(tái)積電都能構(gòu)成大的威脅。　　非常幸運(yùn), 大部分
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 20nm CMOS

低功耗高轉(zhuǎn)換速率CMOS模擬緩沖器

提出了減小輸入電容的軌到軌電壓緩沖器。軌到軌操作不僅在電路的輸出端，同樣在電路的輸入端實(shí)現(xiàn)。所介紹電路的AB特性導(dǎo)致了低功耗和高的轉(zhuǎn)換速率，使它很適合驅(qū)動(dòng)大的電容負(fù)載。仿真結(jié)果已經(jīng)提供了該電路的操作。
關(guān)鍵字： CMOS 低功耗轉(zhuǎn)換速率模擬

針對(duì)下一代LTE基站發(fā)射機(jī)的RF IC集成設(shè)計(jì)策略

從3G升級(jí)到LTE-Advance，對(duì)下一代移動(dòng)通信基礎(chǔ)設(shè)施的設(shè)備和器件供應(yīng)商提出了諸多挑戰(zhàn)。下一代無(wú)線設(shè)備要求支持更寬的信號(hào)帶寬、更復(fù)雜的調(diào)制方式，以便在全球范圍內(nèi)部署的各種運(yùn)行頻段上都能獲得更高的數(shù)據(jù)速率。因此
關(guān)鍵字： IC 集成設(shè)計(jì) 策略 RF 發(fā)射機(jī) 下一代 LTE 基站針對(duì)

CMOS集成CD4013觸摸開(kāi)關(guān)

這個(gè)電路是使用，CMOS集成電路CD4013雙D正反器，分別接成一個(gè)單穩(wěn)態(tài)電路和一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)電路。單穩(wěn)態(tài)電路的作用是對(duì)觸摸信號(hào)進(jìn)行脈波寬度整形，保證每次觸摸動(dòng)作都可靠。雙穩(wěn)態(tài)電路用來(lái)驅(qū)動(dòng)晶體管Q1的開(kāi)通或關(guān)閉，進(jìn)而控
關(guān)鍵字：開(kāi)關(guān) 觸摸 CD4013 集成 CMOS

基于3GHz CMOS低噪聲放大器優(yōu)化設(shè)計(jì)

　摘要：基于0.18 μm CMOS工藝，采用共源共柵源極負(fù)反饋結(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)了一種3 GHz低噪聲放大器電路。從阻抗匹配及噪聲優(yōu)化的角度分析了電路的性能，提出了相應(yīng)的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法。仿真結(jié)果表明，該放大器具有良好的性能
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5.6GHz CMOS低噪聲放大器設(shè)計(jì)

摘要：分析了一種射頻COMS共源-共柵低噪聲放大器的設(shè)計(jì)電路，采用TSMC 90nm低功耗工藝實(shí)現(xiàn)。仿真結(jié)果表明：在5．6GHz工作頻率，電壓增益約為18．5dB；噪聲系數(shù)為1．78dB；增益1dB壓縮點(diǎn)為-21．72dBm；輸入?yún)⒖既A交
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CMOS探測(cè)器在射線檢測(cè)中的設(shè)計(jì)應(yīng)用

概述：以CMOS探測(cè)器為記錄介質(zhì)的數(shù)字化射線檢測(cè)技術(shù)，檢測(cè)精度高、溫度適應(yīng)性好、結(jié)構(gòu)適應(yīng)性強(qiáng)。CMOS射線掃描探測(cè)器探測(cè)單元排成線陣列，需要在檢測(cè)時(shí)進(jìn)行相對(duì)掃描運(yùn)動(dòng)，逐線采集并拼成完整的透照投影圖像。介紹了檢
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 應(yīng)用檢測(cè) 射線探測(cè)器 CMOS

基于單晶片CMOS語(yǔ)音合成的ASIC設(shè)計(jì)

引言　　近年語(yǔ)音集成電路獲得迅速發(fā)展，其應(yīng)范圍越越廣，自動(dòng)售貨機(jī)、ATM柜員機(jī)，部直通電話機(jī)以及玩具等方面應(yīng)量語(yǔ)音合成芯片。該芯片部采脈寬調(diào)制，數(shù)字信號(hào)確還原成模擬信號(hào)，從而使得電路輸出端不需接D/A轉(zhuǎn)換；
關(guān)鍵字： ASIC 設(shè)計(jì) 合成語(yǔ)音晶片 CMOS 基于