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解讀“后摩爾定律” 探索IC發(fā)展方向

　　摩爾定律在自1965年發(fā)明以來(lái)的45年中，一直引領(lǐng)著世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向?qū)崿F(xiàn)更低的成本、更大的市場(chǎng)、更高的經(jīng)濟(jì)效益前進(jìn)。然而，隨著半導(dǎo)體技術(shù)逐漸逼近硅工藝尺寸極限，摩爾定律原導(dǎo)出的“IC的集成度約每隔18個(gè)月翻一倍，而性能也將提升一倍”的規(guī)律將不再適用。為此，國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖組織(ITRS)在2005年的技術(shù)路線圖中，即提出了“后摩爾定律”的概念。近年的技術(shù)路線圖更清晰地展現(xiàn)了這種摩爾定律與“后摩爾定律”相結(jié)合的發(fā)展趨勢(shì)，并認(rèn)為&
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賽普拉斯推出流水線式全域曝光快門的CMOS圖像傳感器

　　賽普拉斯公司日前宣布，推出一款用于高端機(jī)器視覺(jué)市場(chǎng)的高敏感度、高速CMOS圖像傳感器。全新的250萬(wàn)像素VITA25K傳感器擁有市場(chǎng)上單器件最大的數(shù)據(jù)吞吐能力，并帶有流水線和觸發(fā)式全域快門。該傳感器具有32個(gè)10-bit數(shù)字低壓差分信號(hào)(LVDS)輸出，可以允許圖像數(shù)據(jù)通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)協(xié)議進(jìn)行低功耗、低噪聲傳輸。每個(gè)通道以620Mbps的速率運(yùn)行，從而實(shí)現(xiàn)53幀每秒(fps)的無(wú)畸變高幀頻和快速讀出。VITA25K是高端機(jī)器視覺(jué)應(yīng)用的理想選擇，適用于檢驗(yàn)機(jī)、生物檢測(cè)(如下一代掌紋讀取儀)以及智能交通系統(tǒng)
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基于RF電路設(shè)計(jì)中的常見(jiàn)問(wèn)題及解決方案

基于RF電路設(shè)計(jì)中的常見(jiàn)問(wèn)題及解決方案,　單片射頻器件大大方便了一定范圍內(nèi)無(wú)線通信領(lǐng)域的應(yīng)用,采用合適的微控制器和天線并結(jié)合此收發(fā)器件即可構(gòu)成完整的無(wú)線通信鏈路。它們可以集成在一塊很小的電路板上,應(yīng)用于無(wú)線數(shù)字音頻、數(shù)字視頻數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng),無(wú)線遙
關(guān)鍵字：解決方案常見(jiàn)問(wèn)題電路設(shè)計(jì) RF 基于

美國(guó)欲掌控智能電網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)關(guān)聯(lián)半導(dǎo)體市場(chǎng)

　　向低碳社會(huì)挺進(jìn)的美國(guó)打算控制智能電網(wǎng)領(lǐng)域的主導(dǎo)權(quán)，并聲稱將為此竭力取得智能電網(wǎng)的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。目前，NIST(美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究所)已開(kāi)始與日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省展開(kāi)標(biāo)準(zhǔn)化討論，而且IEC(國(guó)際電工委員會(huì))也在美國(guó)主導(dǎo)下展開(kāi)了研究。包括政府保證的額度在內(nèi)，美國(guó)準(zhǔn)備向可再生能源等綠色產(chǎn)業(yè)投入 1000億美元的資金，力爭(zhēng)在2020年之前將溫室氣體比2005年削減14%。這一目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)要依靠節(jié)能、可再生能源及環(huán)保汽車(插電混合動(dòng)力車)為主力軍，而作為可為此提供依托的基礎(chǔ)設(shè)施，智能電網(wǎng)被寄予了厚望。　　對(duì)標(biāo)準(zhǔn)的掌控
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 MCU RF

恩智浦射頻產(chǎn)品技術(shù)中心落戶上海人才招聘進(jìn)行中

　　恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)近日宣布，公司增加在射頻研發(fā)的投資，2010年上半年先后在中國(guó)上海以及美國(guó)馬塞諸塞州比爾里卡市開(kāi)設(shè)兩家恩智浦高性能射頻(RF)產(chǎn)品技術(shù)中心。中心主要從事射頻/微波集成電路(IC)設(shè)計(jì)，涉及領(lǐng)域包括國(guó)防航空、工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)學(xué)衛(wèi)星接收器及寬帶通信中等。其中，于年內(nèi)第一季度成立的上海恩智浦高性能射頻產(chǎn)品技術(shù)中心主要關(guān)注從射頻前端到末級(jí)放大器的射頻器件設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)、技術(shù)支持、售后服務(wù)等一條龍全方位射頻解決方案。目前上海公司市場(chǎng)部、技術(shù)部人才招聘正在進(jìn)行。　　
關(guān)鍵字： NXP RF

iMouse多功能空中鼠標(biāo)

本文設(shè)計(jì)并實(shí)施了一款基于最新MEMS(微電子機(jī)械系統(tǒng))技術(shù)的可以空中使用的鼠標(biāo)產(chǎn)品，以滿足當(dāng)前計(jì)算機(jī)快速家電化、娛樂(lè)化的需求。本設(shè)計(jì)集成了先進(jìn)的微電子機(jī)械系統(tǒng)技術(shù)(MEMS)、2.4G低功耗無(wú)線射頻通信技術(shù)(2.4G/RF)、USB接口技術(shù)以及實(shí)時(shí)多任務(wù)操作系統(tǒng)uC/OS技術(shù)。本產(chǎn)品可以讓鼠標(biāo)脫離桌面環(huán)境，方便易用，讓用戶獲得家電化的計(jì)算機(jī)操作體驗(yàn)，是一款真正“可以飛的鼠標(biāo)”。同時(shí)，其所用的技術(shù)還可以滲透到其他傳統(tǒng)的遙控器中，以大幅提升用戶體驗(yàn)。
關(guān)鍵字：時(shí)代民芯 MEMS 空中鼠標(biāo) 2.4G RF

瑞薩開(kāi)發(fā)出40nm高密度新型SRAM電路技術(shù)

　　瑞薩電子開(kāi)發(fā)出了一種新型SRAM電路技術(shù)，可克服因微細(xì)化而增加的CMOS元件特性不均現(xiàn)象，還能在維持速度的同時(shí)，以更小的面積實(shí)現(xiàn)合適的工作裕度。以上內(nèi)容是在半導(dǎo)體電路技術(shù)相關(guān)國(guó)際會(huì)議“2010 Symposium on VLSI Circuits”上發(fā)布的(論文序號(hào)：10.2)。作為40nm工藝的產(chǎn)品，該公司試制出了bit密度達(dá)到業(yè)界最高水平的SRAM，并確認(rèn)了其工作性能。主要用于實(shí)現(xiàn)40nm工藝以后SoC(system on a chip)的低成本化及低功耗化。　　在So
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Qualcomm與SEMATECH簽署合作協(xié)議共同開(kāi)拓新技術(shù)

　　全球領(lǐng)先的芯片制造協(xié)會(huì)SEMATECH和先進(jìn)無(wú)線芯片供應(yīng)商Qualcomm宣布Qualcomm已與SEMATECH簽署了合作協(xié)議，共同推進(jìn)CMOS技術(shù)進(jìn)一步發(fā)展。Qualcomm是第一家進(jìn)入SEMATECH的芯片設(shè)計(jì)公司，Qualcomm將深入?yún)⑴c和SEMATECH的研發(fā)項(xiàng)目，共同探索延續(xù)摩爾定律的新技術(shù)。
關(guān)鍵字： Qualcomm CMOS 芯片設(shè)計(jì)

0.5um CMOS新型電流反饋放大器的分析與設(shè)計(jì)

本文的低壓低功耗 CFOA,它在只需1V 電源電壓情況下，僅產(chǎn)生0.7mW 功耗，84.2dB 的開(kāi)環(huán)增益，62°的相位裕度，高達(dá)138dB 的共模抑制比, -0.85V～0.97V 的輸出電壓范圍
關(guān)鍵字： CMOS 0.5 um 電流反饋

TTL或CMOS集電極開(kāi)路輸出的功耗

用來(lái)計(jì)算TTL集電極開(kāi)路輸出電路靜態(tài)功耗的公式如下：其中：VT=上拉電阻的有效端接電壓
R=端接電阻的有效值
VHI=高電平輸出（通常等于VT）
VLO=低電平輸出
VEE=輸出晶體管的射極（或源極
關(guān)鍵字： CMOS TTL 集電極開(kāi)路功耗

端到端網(wǎng)絡(luò)流的介紹

　　端到端網(wǎng)絡(luò)流的介紹　　NI端到端網(wǎng)絡(luò)(P2P)流技術(shù)使用PCI Express接口在多個(gè)設(shè)備之間直接，點(diǎn)對(duì)點(diǎn)傳輸，而不必通過(guò)主處理器或存儲(chǔ)器。這可使同一個(gè)系統(tǒng)中的設(shè)備共享信息而不必占用其它的系統(tǒng)資源。NI P2P技術(shù)被以下設(shè)備支持：PXI Express NI FlexRIO現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)模塊(NI PXIe-7961R, PXIe-7962R, and PXIe-7965R)，PXI Express數(shù)字化儀和矢量信號(hào)分析儀，包括NI PXIe-5122，PXIe-5622和 PXI
關(guān)鍵字： NI RF 端到端

高線性度設(shè)計(jì)的CMOS調(diào)幅電路技術(shù)

引言
本文采用±5V電源，設(shè)計(jì)出了一種以模擬乘法器為核心電路的輸出信號(hào)與控制電壓成高線性度的電路，并且實(shí)現(xiàn)了單端控制和單端輸出。它在鎖相環(huán)、自動(dòng)增益控制、正弦脈寬調(diào)制(SPWM)、模擬運(yùn)算等方面有著很好的使用
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CMOS雙向開(kāi)關(guān)工作原理

CMOS雙向開(kāi)關(guān)也稱CMOS傳輸門。CMOS雙向開(kāi)關(guān)在模擬電路和數(shù)字電路應(yīng)用非常廣泛。集成電路CMOS雙向開(kāi)關(guān)產(chǎn)品有CC4066/4051/4052/4053等，性能優(yōu)良，使用方便且成本低。每個(gè)開(kāi)關(guān)只有一個(gè)控制端和兩互為輸入/輸出信號(hào)端，
關(guān)鍵字： CMOS 開(kāi)關(guān) 工作原理

基于BLF888設(shè)計(jì)的500W RF廣播發(fā)射方案

BLF888是500W LDMOS RF功率晶體管，用于廣播發(fā)射和工業(yè)應(yīng)用。在UHF頻帶470 MHz 到860 MHz可提供平均功率110W，峰值包絡(luò)功率500W，功率增益19dB，漏極效率46%，VDS 電壓50 V，漏極靜態(tài)電流1.3A。本文主要介紹了BLF888
關(guān)鍵字：廣播發(fā)射方案 RF 500W BLF888 設(shè)計(jì) 基于

基于MAX19994A設(shè)計(jì)的雙路RF下變換方案

MAX19994A是雙路RF下變換器,RF范圍從1200MHz到2000MHz,LO范圍從1450MHz 到 2050MHz,IF范圍從50MHz到500MHz,典型的轉(zhuǎn)換增益為8.4dB,典型的噪音為9.8dB,輸入IP3典型值為+25dBm,輸入1dB壓縮點(diǎn)為+14dBm,單電源5.0V 或3.3
關(guān)鍵字：變換方案 RF 雙路 MAX19994A 設(shè)計(jì) 基于