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如何建立一個(gè)更簡單的CMOS單防區(qū)報(bào)警

  • 　如何建立一個(gè)更簡單的CMOS單防區(qū)報(bào)警器說明　　這是一個(gè)簡單的單區(qū)防盜報(bào)警電路。它的功能包括自動(dòng)出入境延誤和定時(shí)貝爾/警報(bào)器停產(chǎn)。它的設(shè)計(jì)是與常閉類型的輸入設(shè)備的正常使用，例如 - 磁簧聯(lián)系方式 - 微動(dòng)開關(guān)
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如何構(gòu)建基于一個(gè)CMOS單防區(qū)報(bào)警器

  • 　如何構(gòu)建基于一個(gè)CMOS單防區(qū)報(bào)警器　　說明　　該電路具有自動(dòng)出入延誤 - 計(jì)時(shí)鐘切斷 - 和系統(tǒng)重置。它為常開和常閉開關(guān)提供 - 并將滿足通常的輸入設(shè)備(壓力墊，磁簧接觸，鋁箔膠帶，PIRs和慣性傳感器)?！　∪绻G
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凌力爾特推出兩款RF 至數(shù)字微型模塊接收器

  • 　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出兩款突破性的 RF 至數(shù)字微型模塊 (uModule?) 接收器 LTM9004 和 LTM9005，這些器件集成了 3G 和 4G 基站接收器 (WCDMA、TD-SCDMA、LTE ... 等等) 以及智能天線 WiMAX 基站的關(guān)鍵組件。這些集成的微型模塊接收器極大地減少了所占用的電路板空間，在一個(gè)便于使用的小型封裝中集成了 RF 混頻器 / 解調(diào)器、放大器、無源濾波以及 14 位、125Msps ADC。
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凌力爾特推出突破性RF 至數(shù)字微型模塊 (uModule?) 接收器

  • 　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出兩款突破性的 RF 至數(shù)字微型模塊 (uModule?) 接收器 LTM9004 和 LTM9005，這些器件集成了 3G 和 4G 基站接收器 (WCDMA、TD-SCDMA、LTE ... 等等) 以及智能天線 WiMAX 基站的關(guān)鍵組件。這些集成的微型模塊接收器極大地減少了所占用的電路板空間，在一個(gè)便于使用的小型封裝中集成了 RF 混頻器 / 解調(diào)器、放大器、無源濾波以及 14 位、125Msps ADC。
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RF、SSP及DSP處理電路

  • RF、SSP及DSP處理電路伺服電路的組成：由RF放大、伺服處理KB9223(SU3)，DSP處理KS9284(SU2)，聚焦、循跡、主軸、進(jìn)給、進(jìn)出倉電機(jī)驅(qū)動(dòng)KA9259(SU4)等組成。
    整機(jī)原理框圖見85頁附圖。1、RF數(shù)字信號處理
    從光盤反射回
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采用單一CMOS的電感測試儀的制作方案

  • 這個(gè)測試儀的基礎(chǔ)是一個(gè)皮爾茲CMOS緩沖振蕩器（圖一）。這種振蕩器采用單一CMOS逆變偏頻在其線性區(qū)域通過電阻R1 以形成一個(gè)高增益反相放大器。由于這個(gè)高增益，這個(gè)逆變器比一個(gè)非緩沖門消耗的功率低，甚至是很小的信
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一種新型高精度CMOS帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)

  • 提出一種標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝結(jié)構(gòu)的低壓、低功耗電壓基準(zhǔn)源，工作電壓為5～10 V。利用飽和態(tài)MOS管的等效電阻特性，對PTAT基準(zhǔn)電流進(jìn)行動(dòng)態(tài)電流反饋補(bǔ)償，設(shè)計(jì)了一種輸出電壓為1．3 V的帶隙基準(zhǔn)電路。使輸出基準(zhǔn)電壓溫度系數(shù)在-25～+120℃范圍的溫度系數(shù)為7．427pp-m／℃，在27℃時(shí)電源電壓抑制比達(dá)82 dB。該基準(zhǔn)源的芯片版圖面積為0．022 mm2，適用于低壓差線性穩(wěn)壓囂等領(lǐng)域。
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全新APS C格式1600萬像素圖像傳感器進(jìn)入數(shù)碼單反相機(jī)市場

  • 　　CMOS成像技術(shù)的領(lǐng)先創(chuàng)新者ApTIna今日推出其高性能、功能豐富、APS-C格式的1600萬像素的圖像傳感器。特別的設(shè)計(jì)令該產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)專業(yè)攝影師所要求的高畫質(zhì)，除了以10幀/秒的速度捕捉1600萬像素的靜態(tài)圖像以外，新的MT9H004傳感器亦具備較高的靈敏度、較小的暗電流和較低的讀出噪聲。憑借該公司最新的動(dòng)態(tài)響應(yīng)(DR)像素技術(shù)創(chuàng)新(稱為Aptina DR-Pix技術(shù))，新的APS-C格式成像解決方案在低亮度條件下可增加5分貝的信噪比(SNR)，而無需犧牲高亮度環(huán)境中的表現(xiàn)。高亮度下的最大信噪比可達(dá)
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富士通戰(zhàn)略投資Tensilica折射出什么信號？

  • 　　本周二，Tensilica宣布富士通公司成為其戰(zhàn)略投資者，但是沒有透露富士通具體的投資數(shù)目。兩家公司在聲明中只是輕描淡寫地評論了Tensilica DPU的優(yōu)勢并沒有就合作的具體內(nèi)容和未來發(fā)展進(jìn)行闡述，這里結(jié)合個(gè)人的研究分析這個(gè)舉動(dòng)的背后意圖。 　　信號1: 日系半導(dǎo)體廠商高舉高打，看重LTE基帶市場 　　目前，在手機(jī)基帶領(lǐng)域，目前主要的玩家是歐美廠商和中國廠商，大家言必提高通、MTK、博通、ST-Ericsson等等，日系廠商很少進(jìn)入大家的眼界，不過未來，在LTE時(shí)代，日系廠商已經(jīng)完成布局，估計(jì)
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如何擴(kuò)展低功耗RF設(shè)備通信距離

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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CMOS技術(shù)將迎來轉(zhuǎn)折點(diǎn) 開始從15nm工藝向立體晶體管過渡

  • 　　邏輯LSI的基本元件——CMOS晶體管的發(fā)展估計(jì)將在2013年前后15nm工藝達(dá)到量產(chǎn)水平時(shí)迎來重大轉(zhuǎn)折點(diǎn)。將由現(xiàn)行的平面型晶體管向具備三維溝道的立體型晶體管過渡。美國英特爾及臺(tái)灣臺(tái)積電(TSMC)等知名半導(dǎo)體廠商均已開始表現(xiàn)出這種技術(shù)意向。LSI的制造技術(shù)發(fā)生巨變之后，估計(jì)也會(huì)對各公司的微細(xì)化競爭帶來影響。 　　元件材料及曝光技術(shù)也會(huì)出現(xiàn)轉(zhuǎn)折 　　“估計(jì)一多半的半導(dǎo)體廠商都會(huì)在15nm工藝時(shí)向FinFET過渡”(英特爾)。“在20nm以
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RF芯片IA4420在無線數(shù)據(jù)傳輸中的應(yīng)用

  • IA4420/21是射頻收發(fā)一體芯片，IA4420工作在315/433/868/915MHz頻段，IA4421工作在 433/868/915MHz頻段。芯片的工作電壓為2.2～5.4V，采用低功耗模式，待機(jī)電流為0.3mu;A，采用FSK調(diào)制模式，發(fā)射功率為 5～8dbm，接
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基于CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路的設(shè)計(jì)

  • 　　本文以比較器為基本電路，采用恒流源充放電技術(shù)，設(shè)計(jì)了一種基于1.0mu;m CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路，并對其各單元組成電路的設(shè)計(jì)進(jìn)行了闡述。同時(shí)利用Cadence Hspice仿真工具對電路進(jìn)行了仿真模擬，結(jié)果表明，鋸
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RF中穩(wěn)定閉環(huán)自動(dòng)功率控制設(shè)計(jì)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： 閉環(huán)自動(dòng)功率控制  對數(shù)檢波器  RF  

電流反饋運(yùn)算放大器在RF中作用

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： 電流反饋  運(yùn)算放大器  RF  緩沖器  
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