5.6GHz CMOS低噪聲放大器設(shè)計
摘要:分析了一種射頻COMS共源-共柵低噪聲放大器的設(shè)計電路,采用TSMC 90nm低功耗工藝實現(xiàn)。仿真結(jié)果表明:在5.6GHz工作頻率,電壓增益約為18.5dB;噪聲系數(shù)為1.78dB;增益1dB壓縮點為-21.72dBm;輸入?yún)⒖既A交調(diào)點為-11.75dBm。在l.2V直流電壓下測得的功耗約為25mW。
關(guān)鍵詞;互補金屬氧化物半導體;低噪聲放大器;噪聲系數(shù);線性度;
0 引言
低噪聲放大器(LNA)是射頻接收機前端的主要部分。它主要有四個特點:首先,它位于接收機的最前端,這就要求它的噪聲越小越好。為了抑制后面各級噪聲對系統(tǒng)的影響,還要求有一定的增益,但為了不使后面的混頻器過載,產(chǎn)生非線性失真,它的增益又不宜過大。放大器在工作頻段內(nèi)應(yīng)該是穩(wěn)定的。其次,它接受的信號是很微弱的,所以低噪聲放大器必定是一個小信號線性放大器。第三,低噪聲放大器一般通過傳輸線直接和天線相連,放大器的輸入端必須與其有很好的匹配,以達到最大傳輸功率或最小的噪聲系數(shù)。第四,應(yīng)具有一定的選頻功能,抑制帶外和鏡像頻率干擾。
在GHz頻率范圍內(nèi),CMOS工藝相比其他工藝有價格低、集成度高、功耗低等優(yōu)點,利用CMOS工藝來設(shè)計射頻集成電路已經(jīng)得到越來越廣泛的應(yīng)用,本文即采用CMOS工藝來實現(xiàn)對一種5.6GHz低噪聲放大器的設(shè)計。
1 LNA結(jié)構(gòu)及性能分析
由于帶源端負反饋電感的共源放大器具有噪聲系數(shù)低、增益高、線性度好,以及可實現(xiàn)輸入阻抗匹配等優(yōu)點,因此在無線收發(fā)機系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用。為了減小晶體管的Miller效應(yīng)和有限輸出阻抗對放大器性能的影響,并提供良好的方向隔離性能,低噪聲放大器通常采用Cascode結(jié)構(gòu)。具體電路如圖1所示。
共柵方式連接的晶體管M2用來減少調(diào)諧輸出與調(diào)諧輸入之間的相互作用,并同時減少Ml的Cgd的影響。晶體管;M3基本上是與M1形成一個電流鏡,通過M3的電流是由電源電壓和Rref以及M3的Vgs決定的。電阻RBIAS選擇得足夠大,所以它的等效噪聲電流小到足以被忽略。為了完成偏置,必須用一個隔斷DC的電容CB來防止影響M1的柵源偏置。
M1源級接Ls,形成源級負反饋結(jié)構(gòu),柵極接Lg,做輸入匹配使用。若忽略柵漏電容Cgd,則其輸入阻抗可以表示為:
其中Lg、Ls為片上平面螺旋電感。為了實現(xiàn)50Ω阻抗匹配,通過調(diào)諧感抗,使其在諧振頻率ωo處諧振,上式的虛部為零,實部等于50Ω。這種匹配設(shè)計的好處在于使用等效電阻實現(xiàn)與輸入端的匹配,而無需引入實際電阻,因而減少了額外的熱噪聲。即如下式:
這就是源極負反饋結(jié)構(gòu)在LNA設(shè)計中普遍采用的一個原因。在設(shè)計過程中,由式(3)根據(jù)M1的參數(shù)和50Ω匹配條件設(shè)計出Ls,再由式(2)根據(jù)工作頻率點和濾波要求確定柵極電感Lg。
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