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全球首款28nm嵌入式RRAM畫質(zhì)調(diào)節(jié)芯片正式量產(chǎn)

  • 據(jù)北京亦莊官微消息，近日，由北京顯芯科技有限公司（以下簡稱“顯芯科技”）參與研制的全球首款28nm內(nèi)嵌RRAM（阻變存儲器）畫質(zhì)調(diào)節(jié)芯片在京量產(chǎn)，并成功應用于國內(nèi)頭部客戶的Mini LED高端系列電視中，標志著我國顯示類芯片達到新的半導體工藝高度。據(jù)相關負責人介紹，當前全球半導體頂尖工藝已經(jīng)來到2nm時代，但對于半導體顯示來說，綜合考慮成本問題，28nm是目前國內(nèi)工藝的天花板。畫質(zhì)調(diào)節(jié)芯片要求集成各種補償算法，開發(fā)難度高，制造要求先進邏輯制程，是顯示芯片品類國產(chǎn)化率最低的產(chǎn)品之一。為推動中國芯片國產(chǎn)化進展
  • 關鍵字： 顯芯科技  28nm  RRAM  阻變存儲器  

新型存儲RRAM傳來新進展！

  • 近日，悅芯科技和?？莆⑦_成戰(zhàn)略合作，成功開發(fā)了國內(nèi)首個基于?？莆RAM IP的芯片量產(chǎn)測試方案，并已正式進入量產(chǎn)。據(jù)介紹，悅芯科技的T800 SOC測試平臺具備的Memory Test Option功能，為RRAM芯片的量產(chǎn)提供了堅實的技術支持。在首顆RRAM芯片量產(chǎn)成功的基礎上，悅芯科技將繼續(xù)支持多款RRAM IP芯片的量產(chǎn)，為客戶提供高性能、可靠的完整量產(chǎn)測試解決方案。悅芯科技的T800 SOC自動測試設備以模塊化設計為主要特色，為不同類別的IC器件提供針對性的測試模塊，實現(xiàn)在單一平臺上
  • 關鍵字： 新型存儲  RRAM  

英飛凌攜手臺積電將RRAM技術引入至AURIX? TC4x汽車微控制器產(chǎn)品系列

  • 【2022年12月7日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）和臺積電近日宣布，兩家公司準備將臺積電的可變電阻式記憶體制程技術引入至英飛凌的新一代MCU AURIX?微控制器中。??自首個發(fā)動機管理系統(tǒng)問世以來，嵌入式閃存微控制器一直是汽車電子控制單元（ECU）的主要構(gòu)建模塊。這些微控制器是打造綠色、安全和智能汽車所不可或缺的組成部分，被應用于驅(qū)動系統(tǒng)、車輛動態(tài)控制、駕駛輔助和車身應用中，助力汽車領域在電氣化、全新電子電氣（E/E）架構(gòu)和
  • 關鍵字： 英飛凌  臺積電  RRAM  汽車微控制器  

臺積電RRAM技術引入英飛凌汽車MCU

  • 11月25日，英飛凌和臺積電宣布，兩家公司正準備將臺積電的電阻式RAM（RRAM）非易失性存儲器（NVM）技術引入英飛凌的下一代AURIX?微控制器（MCU），并將在臺積電的28納米節(jié)點上制造。自第一個發(fā)動機管理系統(tǒng)問世以來，嵌入式閃存微控制器一直是汽車電子控制單元(ECU)的主要構(gòu)建塊。目前，市場上大多數(shù)MCU系列都基于嵌入式閃存技術（eFlash）技術。而RRAM是嵌入式存儲器的下一步，可以進一步擴展到28納米及以上。英飛凌AURIX TC4x MCU系列將性能擴展與虛擬化、安全和網(wǎng)絡功能的最新趨勢相
  • 關鍵字： 臺積電  RRAM  入英飛凌  汽車MCU  

臺積電英飛凌強強聯(lián)合，新型存儲RRAM發(fā)展如何？

  • 存儲器的發(fā)展取決于應用場景的變化，當下智能化時代的迅速發(fā)展對存儲器提出了更高的要求，新型存儲器迅速成長。目前新型存儲器阻變存儲器（Resistive Random Access Memory，ReRAM或RRAM）逐漸受到市場重視。近日，英飛凌官方消息稱，其下一代Aurix微控制器將使用嵌入式非易失性存儲器，特別是電阻式隨機存取存儲器（RRAM），而不是嵌入式閃存（eFlash），并將在臺積電的28納米節(jié)點上制造。當前，英飛凌基于臺積電28納米eFlash技術的Autrix TC4x系列微控制器樣品已
  • 關鍵字： 臺積電  英飛凌  存儲  RRAM  

英飛凌汽車MCU，選擇RRAM

  • 據(jù)英飛凌稱，其下一代Aurix微控制器將使用嵌入式非易失性存儲器，特別是電阻式隨機存取存儲器（RRAM），而不是嵌入式閃存（eFlash），并將在臺積電的28納米節(jié)點上制造。雖然基于臺積電28納米eFlash技術的Autrix TC4x系列微控制器樣品已經(jīng)交付給主要客戶，但基于臺積電28納米RRAM技術的第一批樣品將于2023年底提供給客戶。英飛凌表示，Autrix TC4x系列微控制器專為ADAS而設計，可提供新的E/E架構(gòu)和經(jīng)濟實惠的AI應用。嵌入式閃存微控制器自推出第一批發(fā)動機管理系統(tǒng)以來，就被用作
  • 關鍵字： 英飛凌  汽車MCU  RRAM  

一文讀懂｜三大新興存儲技術：MRAM、RRAM和PCRAM

  • 在如此龐大的資料儲存、傳輸需求下，在DRAM、SRAM以及NAND Flash等傳統(tǒng)記憶體已逐漸無法負荷，且再加上傳統(tǒng)記憶體的制程微縮愈加困難的情況之下，驅(qū)使半導體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)向發(fā)展更高儲存效能、更低成本同時又可以朝制程微縮邁進的新興記憶體。
  • 關鍵字： 存儲技術  MRAM  RRAM  PCRAM  

什么是FRAM?

  • FRAM（鐵電隨機存取存儲器）是被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質(zhì)膜用作電容器來存儲數(shù)據(jù)。FRAM具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取器）的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢。關于鐵電質(zhì)下面的圖表解釋了PZT晶體結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)通常用作典型的鐵電質(zhì)材料。在點陣中具有鋯和鈦，作為兩個穩(wěn)定點。它們可以根據(jù)外部電場在兩個點之間移動。一旦位置設定，即使在出現(xiàn)電場，它也將不會再有任何移動。頂部和底部的電極安排了一個電容器。那么，電容器劃分了底部電極電壓和極化，超越了磁滯回線。數(shù)據(jù)以
  • 關鍵字： RRAM  

兆易創(chuàng)新宣布與Rambus簽訂專利授權協(xié)議

  • 業(yè)界領先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice近日宣布，與領先的半導體IP供應商Rambus Inc. 就RRAM (電阻式隨機存取存儲器) 技術簽署專利授權協(xié)議。同時，兆易創(chuàng)新還與其同Rambus 以及幾家戰(zhàn)略投資伙伴的合資企業(yè)—合肥?？莆ⅲ≧eliance Memory）簽署了授權協(xié)議 。根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，兆易創(chuàng)新從Rambus和?？莆@得180多項RRAM技術相關專利和應用，這將有助于兆易創(chuàng)新在新型存儲器RRAM 領域的前瞻性技術布局，從而為嵌入式產(chǎn)品提供更豐富的存儲解決方案。RRAM作為一種非
  • 關鍵字： 協(xié)議  專利  RRAM  

馮丹：憶阻器RRAM最有希望取代DRAM

  • 　　日前，一年一度的中國存儲峰會在北京如期舉行，“數(shù)據(jù)中流擊水，浪遏飛舟”是今年大會主題，論道存儲未來，讓數(shù)據(jù)釋放價值，業(yè)界嘉賓圍繞中國及全球存儲市場的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢進行了深入解讀，干貨滿滿。下午第三分論壇，中國計算機協(xié)會信息存儲專委會主任馮丹作為開場嘉賓，就算存融合的憶阻器發(fā)展趨勢及RRAM(阻變存儲器)性能優(yōu)化方法展開主題演講。馮丹表示，當前憶阻器呈現(xiàn)出大容量、計算與存儲深度融合的發(fā)展趨勢，而RRAM容量很大，速度快、能耗低，RRAM也認為是下一代代替DRAM(動態(tài)隨機存儲器)
  • 關鍵字： 憶阻器  RRAM  

馮丹：憶阻器RRAM最有希望取代DRAM

  • 　　日前，一年一度的中國存儲峰會在北京如期舉行，“數(shù)據(jù)中流擊水，浪遏飛舟”是今年大會主題，論道存儲未來，讓數(shù)據(jù)釋放價值，業(yè)界嘉賓圍繞中國及全球存儲市場的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢進行了深入解讀，干貨滿滿。下午第三分論壇，中國計算機協(xié)會信息存儲專委會主任馮丹作為開場嘉賓，就算存融合的憶阻器發(fā)展趨勢及RRAM(阻變存儲器)性能優(yōu)化方法展開主題演講。馮丹表示，當前憶阻器呈現(xiàn)出大容量、計算與存儲深度融合的發(fā)展趨勢，而RRAM容量很大，速度快、能耗低，RRAM也認為是下一代代替DRAM(動態(tài)隨機存儲器)
  • 關鍵字： RRAM  DRAM  

看RRAM如何“智斗”NAND flash和DRAM

  • 　　你如果問當前內(nèi)存市場是誰的天下?那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash,三者牢牢控制著內(nèi)存市場,當前都處于供不應求的狀態(tài)。不過,在內(nèi)存天下三分的大背景下,新一代存儲技術3D X-point、MRAM、RRAM等開始發(fā)出聲音, RRAM非易失性閃存技術是其中進展較快的一個。到目前為止,RRAM的發(fā)展進程已經(jīng)超越了英特爾的3D X-point技術, Crossbar公司市場和業(yè)務拓展副總裁Sylvain Dubois在2017中芯國際技術研討會上接受與非網(wǎng)的采訪時說:&ldquo
  • 關鍵字： RRAM  DRAM  

RRAM 或?qū)⒏膶懘鎯ζ鳉v史—兼評國內(nèi)學者如何做出一流成果

  • 　　導語：上世紀中葉單晶硅和半導體晶體管的發(fā)明以及硅集成電路的研制成功，為后來的科技進步奠定了堅實的基礎。隨后，科研工作者們不斷探索，先后將多種新型材料引入該產(chǎn)業(yè)，才有了如今半導體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。全世界都在尋找更優(yōu)質(zhì)半導體材料的道路上不曾止步，而一種新型二維材料的出現(xiàn)，或指明了未來存儲器的發(fā)展方向。 　　三維(3D)材料以其實用性好，加工簡便及成本低廉等特點一直在各大行業(yè)的占據(jù)著主導地位，而無論在科研界還是工業(yè)界，人們對二維材料的研究與應用卻始終屈指可數(shù)。我們知道所有物質(zhì)的結(jié)構(gòu)都是由原子在三維空間堆疊而
  • 關鍵字： RRAM  存儲器  

RRAM：走向新型嵌入式存儲之路

  • 物聯(lián)網(wǎng)的出現(xiàn)和人類生活對智能設備永不滿足的需求正驅(qū)動著傳統(tǒng)智慧在微控制器和嵌入式內(nèi)存市場的徹底變革。
  • 關鍵字： RRAM  嵌入式存儲  

RRAM領軍者Crossbar正式進軍中國存儲市場

  • 　　阻變式存儲器(RRAM)技術的領導者Crossbar公司今日宣布正式進軍中國市場，并在上海設立新的辦事處。 　　Crossbar公司首席執(zhí)行官George Minassian博士表示：“中國是電子行業(yè)發(fā)展最快的市場，亦是絕大多數(shù)產(chǎn)品的制造基地。憑借我們在中國深厚的風投實力和資源、新成立的本地辦事處以及行業(yè)領先的技術，我們相信將在中國消費電子、企業(yè)、移動、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)等市場掀起新一輪電子創(chuàng)新浪潮。此外，我們近期與中芯國際已達成合作，將我們的嵌入式技術用于中芯國際40nm甚至更高工藝，有望使
  • 關鍵字： Crossbar  RRAM  
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