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MOSFET管并聯(lián)應用時電流分配不均問題探究

  • 1 引言
    MOSFET管的導通電阻具有正的溫度特性，可自動調(diào)節(jié)電流，因而易于并聯(lián)應用。但由于器件自身參數(shù)(柵極電路參數(shù)及漏源極電路參數(shù)不一致)原因，并聯(lián)應用功率MOSFET管會產(chǎn)生電流分配不均的問題，關于此問題，
  • 關鍵字： 不均  問題  探究  分配  電流  管并聯(lián)  應用  MOSFET  

采用射頻功率MOSFET設計功率放大器

  • 1. 引言
    　本文設計的50MHz/250W 功率放大器采用美國APT公司生產(chǎn)的推挽式射頻功率MOSFET管ARF448A/B進行設計。APT公司在其生產(chǎn)的射頻功率MOSFET的內(nèi)部結構和封裝形式上都進行了優(yōu)化設計，使之更適用于射頻功率放大器
  • 關鍵字： MOSFET  射頻功率  功率放大器    

即將普及的碳化硅器件

  • 　　隨綠色經(jīng)濟的興起，節(jié)能降耗已成潮流。在現(xiàn)代化生活中，人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問題，電能消耗約占人類總耗能的七成，提高電力利用效率被提至重要地位。 　　據(jù)統(tǒng)計，60%至70%的電能是在低能耗系統(tǒng)中使用的，而其中絕大多數(shù)是消耗于電力變換和電力驅(qū)動。在提高電力利用效率中起關鍵作用的是功率器件，也稱電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。 　　在這種情況下，性能遠優(yōu)于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環(huán)境
  • 關鍵字： 豐田  SiC  碳化硅  MOSFET  200910  

MOSFET市場快速發(fā)展，本土企業(yè)見起色

  • 　　全球節(jié)能環(huán)保意識高漲使得高效、節(jié)能產(chǎn)品成為市場發(fā)展的主流趨勢。相應地，電源|穩(wěn)壓器管理IC、MOSFET芯片等功率器件也被越來越多的應用到整機電子產(chǎn)品中。在功率器件產(chǎn)品中，MOSFET的市場需求增長最快。據(jù)分析機構數(shù)據(jù)顯示，盡管受全球金融危機影響， 2008年，中國MOSFET市場需求量為198.2億個，仍比2007年增長了11.9%。 　　在應用方面，目前消費電子已成為MOSFET最大的應用市場，這主要得益于MOSFET在便攜式產(chǎn)品、LCD TV等消費電子產(chǎn)品中的廣泛應用。其次，是計算機、工業(yè)控制
  • 關鍵字： Fairchild  MOSFET  穩(wěn)壓器  

探討采用綠色塑料封裝的功率MOSFET性能

  • 引言歐盟部長理事會已經(jīng)執(zhí)行RoHS指令(在電子電氣設備中限制使用某些有毒有害物質(zhì)指令)以及WEEE指...
  • 關鍵字： MOSFET  綠色  塑料封裝  

IR推出適用于汽車柵極驅(qū)動應用的器件AUIRS2016S

  • 　　全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出AUIRS2016S 器件，適用于汽車柵極驅(qū)動應用，包括通用噴軌、柴油和汽油直噴應用，以及螺線管驅(qū)動器。 　　AUIRS2016S是一款高電壓功率MOSFET高側驅(qū)動器，具有內(nèi)部電壓尖峰對地 (Vs-to-GND) 充電 NMOS。這款器件的輸出驅(qū)動器配備一個250mA高脈沖電流緩沖級。相關溝道能夠在高側配置中驅(qū)動一個N溝道功率MOSFET，可在高于地電壓達150V的條
  • 關鍵字： IR  MOSFET  驅(qū)動器  AUIRS2016S  

飛兆推出RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件

  • 　　飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為服務器、刀片式服務器和路由器的設計人員帶來業(yè)界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件，采用Power 56封裝，型號為 FDMS7650。FDMS7650 可以用作負載開關或ORing FET，為服務器中心 (server farm) 在許多電源并行安排的情況下提供分擔負載功能。FET的連續(xù)導通特性，可降低功耗和提高效率，以提升服務器中心的總體效率。FDMS7650 是首款采用 Power56 封裝以突破1
  • 關鍵字： Fairchild  MOSFET  FDMS7650  

Fairchild推出新一代超級結MOSFET-SupreMOS

  • 　　飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)為電源、照明、顯示和工業(yè)應用的設計人員帶來SupreMOS?新一代600V超級結MOSFET系列產(chǎn)品。包括具有165mΩ最大阻抗的 FCP22N60N、FCPF22N60NT 和 FCA22N60N，以及具有199mΩ最大阻抗的FCP16N60N和FCPF16N60NT。SupreMOS?系列器件兼具低RDS (ON) 和低總柵極電荷，相比飛兆半導體的600V SuperFET&trade
  • 關鍵字： Fairchild  MOSFET  SupreMOS  SuperFET  

FPGA助工業(yè)電機節(jié)能增效

  • 　　在美國，工業(yè)應用領域AC電機所用的電能占全國的2/3以上。在許多應用中，AC電機或被關斷或以全速運作，而通過為電機添加變速控制功能，就能夠在標準開啟/關斷控制下實現(xiàn)顯著節(jié)能。用混合信號FPGA來實現(xiàn)高效率AC電機控制系統(tǒng)，可大幅降低電機的功耗。 　　電機無處不在 　　今天，電機用于各類應用中，然而，很少有人意識到電機在使用中對環(huán)境帶來怎樣的影響。專家估計，在美國，電機所消耗的電能約占總發(fā)電量的50%。從全球范圍看，AC電機功耗占工業(yè)應用的70%，占商業(yè)應用電能的45%，占住宅應用電能的42%。
  • 關鍵字： FPGA  PWM  MOSFET  

IR推出基準工業(yè)級30V MOSFET

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列獲得工業(yè)認證的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET，為不間斷電源 (UPS) 逆變器、低壓電動工具、ORing應用和網(wǎng)絡通信及和服務器電源等應用提供非常低的柵極電荷 (Qg) 。 　　這些堅固耐用的MOSFET采用IR最新一代的溝道技術，并且通過非常低的導通電阻 (RDS(on)) 來減少散熱。此外，新器件的超低柵極電荷有助于延長不間斷電源逆變器或電動工具的電池壽命。 　　IR亞洲區(qū)銷售副總裁
  • 關鍵字： IR  MOSFET  UPS  溝道  

Fairchild推出WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET

  • 　　飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET器件FDZ371PZ，該器件設計采用飛兆半導體的專有PowerTrench® 工藝 技術，為手機、醫(yī)療、便攜和消費應用設計人員帶來業(yè)界最低RDS(ON) 值(-4.5V下為75m?) ，能夠最大限度地減小傳導損耗。通過降低損耗，F(xiàn)DZ371PZ能夠提高便攜設計的效率，并延長電池壽命。FDZ371PZ還可提供4.4kV的穩(wěn)健ESD保護功能，以保護器件免受ESD事件
  • 關鍵字： Fairchild  MOSFET  PowerTrench  FDZ371PZ  

D類放大器：低功耗高效率推動大規(guī)模普及

  • 　　D類放大器的應用范圍非常廣泛，隨著技術的成熟，目前已進入大規(guī)模普及階段。針對其在器件成本、EMI等方面的問題，業(yè)內(nèi)企業(yè)也提出了多種解決方案。 　　D類放大器技術是三四年前被業(yè)內(nèi)熱議的新技術，目前它已進入大規(guī)模普及階段。業(yè)界正在積極解決應用普及過程中的問題，如EMI(電磁干擾)、成本和效率等。與此同時，集成技術也是一個不容忽視的趨勢。 　　轉(zhuǎn)入大規(guī)模普及階段 　　三四年前，D類放大器在業(yè)界掀起了一個新技術的小高潮。D類放大器采用脈沖調(diào)制方式將輸入信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字脈沖，由MOSFET進行放大，再通過低
  • 關鍵字： ADI  D類放大器  MOSFET  EMI  

集成式上網(wǎng)本電源解決方案成研發(fā)熱點

  • 　　上網(wǎng)本是筆記本電腦的派生產(chǎn)品，目前上網(wǎng)本的功率需求與筆記本電腦相似。由于需要使用多單元鋰離子電池，因而需要具有寬輸入電壓范圍的降壓轉(zhuǎn)換器來驅(qū)動內(nèi)核、存儲器、外設或通用系統(tǒng)組件。另外也可選擇使用低壓降(LDO)調(diào)節(jié)器。 　　大多數(shù)MID和智能手機使用各種功率管理單元(PMU)來實現(xiàn)功率管理，而這源于它們的低功耗需求。過去一年來，上網(wǎng)本市場經(jīng)歷了前所未有的增長，供應商正在積極開發(fā)用于上網(wǎng)本的集成式電源解決方案，2008年大多數(shù)上網(wǎng)本電腦電源采用了分立式解決方案，然而今年我們預計將轉(zhuǎn)向包含有控制器+MOS
  • 關鍵字： 上網(wǎng)本  PMU  MOSFET  

集成電源管理滿足上網(wǎng)本小型化需求

  • 　　上網(wǎng)本的電源管理分為以下幾部分：電源適配器、電池充電和管理、CPU供電、系統(tǒng)供電、I/O和顯卡供電、顯示背光供電、DDR存儲器供電。MPS針對上網(wǎng)本對電源小型化和輕載高效的要求，發(fā)展了擁有自主知識產(chǎn)權的一系列電路控制策略、半導體集成工藝以及封裝技術。 　　MPS的DC/DC變換器，將電源控制器、驅(qū)動和MOSFET完全集成在一個芯片中。和大多數(shù)競爭對手所采用的多芯片封裝不同，MPS是將這些部分完全集成在一個硅片上，這極大地降低了傳統(tǒng)分立元件所帶來的寄生參數(shù)影響，從而提高變換器的效率和開關頻率，減小電容
  • 關鍵字： MPS  電源管理  MOSFET  上網(wǎng)本  

英飛凌再度稱雄功率電子市場

  • 　　英飛凌科技股份公司在功率電子半導體分立器件和模塊領域連續(xù)第六年穩(wěn)居全球第一的寶座。據(jù)IMS Research公司2009年發(fā)布的《功率半導體分立器件和模塊全球市場》報告稱，2008年，此類器件的全球市場增長了1.5%，增至139.6億美元(2007年為137.6億美元)，而英飛凌的增長率高達7.8%?，F(xiàn)在，英飛凌在該市場上占據(jù)了10.2%的份額，其最接近的競爭對手份額為6.8%。在歐洲、中東和非洲地區(qū)以及美洲，英飛凌也繼續(xù)獨占鰲頭，分別占據(jù)了22.8%和11.2%的市場份額。 　　隨著汽車、消費和工
  • 關鍵字： 英飛凌  IGBT  MOSFET  
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