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s7 mosfet 文章 進(jìn)入s7 mosfet技術(shù)社區(qū)
業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻MOSFET
- Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝,具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。 現(xiàn)有的同類 SO-8 封裝器件額定電壓下導(dǎo)通電阻僅低至 24 mΩ ,而Vishay的 Si7633DP 具有 3.3 mΩ (在 10 V
- 關(guān)鍵字: MOSFET
Diodes自保護(hù)式MOSFET節(jié)省85%的占板空間
- Diodes公司擴(kuò)展其IntelliFET產(chǎn)品系列,推出全球體積最小的完全自保護(hù)式低壓側(cè)MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝,與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節(jié)省了85%的占板空間。 雖然SOT23F的扁平封裝體積小巧,但其卓越的散熱性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同類較大封裝元件的封裝功率密度。這款最新IntelliFET的導(dǎo)通電阻僅為500m?,能夠使功耗保持在絕對(duì)極小值。 ZXMS
- 關(guān)鍵字: Diodes MOSFET ZXMS6004FF
IR推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字: InternationalRectifier HEXFET MOSFET
基于漏極導(dǎo)通區(qū)特性理解MOSFET開關(guān)過程
- 本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關(guān)過程;然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關(guān)過程的方法:基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開關(guān)過程,并詳細(xì)闡述了其開關(guān)過程。
- 關(guān)鍵字: MOSFET 漏極 導(dǎo)通 開關(guān)過程
如何進(jìn)行OLED電源設(shè)計(jì)
- 有些設(shè)計(jì)者為了追求較高的轉(zhuǎn)換效率, 選擇了升壓方式,產(chǎn)生一組高于輸入的穩(wěn)定輸出, 如圖三的升壓架構(gòu)。由于功率開關(guān)MOSFET是外置的, 可提供較大的輸出功率。在輸出功率許可的條件下,也可以選擇內(nèi)置MOSFET功率開關(guān)的升壓轉(zhuǎn)換器,如MAX1722, 可有效節(jié)省空間、降低成本。 手機(jī)Vdd解決方案 對(duì)于手機(jī)Vdd,可以選擇Buck電路提供所需要的電壓。圖四便是一個(gè)內(nèi)置MOSFET功率開關(guān)的同步降壓結(jié)構(gòu),可提供400mA的輸出電流。工作頻率高達(dá)1.2MHz, 允許設(shè)計(jì)者選用小尺寸的電感和輸出電容,
- 關(guān)鍵字: MOSFET 電源 OLED
尺寸縮小對(duì)溝槽MOSFET性能的影響
- 0 引言 近幾年,隨著電子消費(fèi)產(chǎn)品需求的日益增長(zhǎng),功率MOSFET的需求也越來越大。其中,TMOS由于溝道是垂直方向,在相同面積下,單位元胞的集成度較高,因此導(dǎo)通電阻較低,同時(shí)又具有較低的柵-漏電荷密度、較大的電流容量,從而具備了較低的開關(guān)損耗及較快的開關(guān)速度,被廣泛地應(yīng)用在低壓功率領(lǐng)域。 低壓TMOS的導(dǎo)通電阻主要是由溝道電阻和外延層電阻所組成,為了降低導(dǎo)通電阻,同時(shí)不降低器件其他性能,如漏源擊穿電壓,最直接的辦法是減少相鄰元胞的間距,在相同的面積下,增加元胞的集成度?;诖?,本文借助了溝槽
- 關(guān)鍵字: MOSFET
飛兆半導(dǎo)體推出業(yè)界最薄的MicroFET? (0.55mm) MOSFET
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新超薄的高效率MicroFET產(chǎn)品FDMA1027,滿足現(xiàn)今便攜應(yīng)用的尺寸和功率要求。FDMA1027是20V P溝道PowerTrench® MOSFET,F(xiàn)DFMA2P853則是20V P溝道PowerTrench® MOSFET,帶有肖特基二極管,并采用2mm x 2mm x 0.55mm MLP封裝。相比低電壓設(shè)計(jì)中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET,新產(chǎn)品的體積減小55%、高度降低5
- 關(guān)鍵字: 飛兆半導(dǎo) FDMA1027 MOSFET
安森美半導(dǎo)體推出8款新器件用于消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用
- 2008年11月13日 – 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)推出8款新的MOSFET器件,專門為中等電壓開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。這些MOSFET非常適用于直流馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、LED驅(qū)動(dòng)器、電源、轉(zhuǎn)換器、脈寬調(diào)制(PWM)控制和橋電路中,這些應(yīng)用講究二極管速度和換向安全工作區(qū)域(SOA),安森美半導(dǎo)體的新MOSFET器件提供額外的安全裕量,免應(yīng)用受未預(yù)料的電壓瞬態(tài)影響。 這些新的60伏(V)器件均是單N溝道MOS
- 關(guān)鍵字: 安森美半導(dǎo)體 MOSFET
Diodes推出新型功率MOSFET優(yōu)化低壓操作
- Diodes Incorporated全面擴(kuò)展旗下的功率MOSFET產(chǎn)品系列,加入能夠在各種消費(fèi)、通信、計(jì)算及工業(yè)應(yīng)用中發(fā)揮負(fù)載和切換功能的新型器件。新器件涵蓋Diodes和Zetex產(chǎn)品系列,包括27款30V邏輯電平、9款20V低閾值的N、P和采用不同工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝的互補(bǔ)MOSFET。 這些新型功率MOSFET采用SOT323、SOT23、SOT26和SO8形式封裝,引腳和占位面積與現(xiàn)有器件兼容,性價(jià)比具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),不僅能減少物料清單,還能在無需額外成本的情況下提升性能。新器件可用于DC/DC轉(zhuǎn)
- 關(guān)鍵字: Diodes MOSFET
美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體推出多款全新的SIMPLE SWITCHER 控制器及業(yè)界首套MOSFET 篩選工具
- 二零零八年十月二十一日--中國(guó)訊 -- 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司 (National Semiconductor Corporation)(美國(guó)紐約證券交易所上市代號(hào):NSM)宣布推出一系列全新的 SIMPLE SWITCHER® 同步降壓控制器。與此同時(shí),該公司還推出了業(yè)界首套端到端MOSFET的篩選工具,可有效的協(xié)助工程師精簡(jiǎn)開關(guān)控制器的設(shè)計(jì)。 該系列全新的 PowerWise® SIMPLE SWITCHER 同步降壓控制器共有 4 個(gè)不同型號(hào),全部都
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 控制器 MOSFET
詳細(xì)講解MOSFET管驅(qū)動(dòng)電路
- 在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很...
- 關(guān)鍵字: MOSFET 結(jié)構(gòu) 開關(guān) 驅(qū)動(dòng)電路
基于MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)優(yōu)化驅(qū)動(dòng)電路
- 功率MOSFET具有開關(guān)速度快,導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點(diǎn),因此在開關(guān)電源,馬達(dá)控制等電子系統(tǒng)中的應(yīng)用越來越廣。通常在實(shí)際...
- 關(guān)鍵字: MOSFET 結(jié)構(gòu) 開關(guān) 馬達(dá) 驅(qū)動(dòng)電路
IR推出25W至500W可擴(kuò)展輸出功率D類音頻功率放大器參考設(shè)計(jì)
- 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出針對(duì)每通道25W以上D類音頻放大器的IRAUDAMP7參考設(shè)計(jì),適用于包括家庭影院設(shè)備、樂器和汽車娛樂系統(tǒng)等應(yīng)用。IRAUDAMP7的功率范圍為25W至500W,為單層PCB提供了高度的擴(kuò)展性。 IRAUDAMP7S 120W雙通道、半橋式設(shè)計(jì)可以實(shí)現(xiàn)120W 8歐姆D類音頻放大器91%的效率,在頻率1 kHz的60W 8歐姆時(shí)的THD+N為0.005% (均為典型) .IRAUDAMP7D采用了IR的DIP16封
- 關(guān)鍵字: IR D類音頻放大器 參考設(shè)計(jì) MOSFET
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