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新日本無線新推出粗銅線絲焊類型的音頻SiC-SBD

  • 新日本無線的這款新MUSES音頻系列產(chǎn)品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier Diode)，粗銅線有利于降低損耗提高效率，SiC-SBD專長于高速開關(guān)動作，再加上注重最佳音質(zhì)的制造工藝技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)高音質(zhì)音響效果。
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美高森美全新650V碳化硅肖特基解決方案提升大功率系統(tǒng)性能

  • 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC) 擴(kuò)展碳化硅(SiC)肖特基產(chǎn)品系列，推出全新的650V解決方案產(chǎn)品系列，新型二極管產(chǎn)品瞄準(zhǔn)包括太陽能逆變器的大功率工業(yè)應(yīng)用。
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功率半導(dǎo)體的革命：SiC與GaN的共舞（二）

  • GaN和SiC將區(qū)分使用　　2015年，市場上或許就可以穩(wěn)定采購到功率元件用6英寸SiC基板。并且，屆時(shí)GaN類功率元件 ...
  • 關(guān)鍵字： 功率  半導(dǎo)體  SiC  GaN  

山東天岳及韓國SK集團(tuán)等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)

  • 　　在SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，以韓國和中國為代表的亞洲企業(yè)的實(shí)力不斷增強(qiáng)。不僅是元件及模塊，零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢。在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC功率半導(dǎo)體國際學(xué)會“ICSCRM2013”(日本宮崎縣PhoenixSeagaiaResort)上，最近開始擴(kuò)大SiC晶圓業(yè)務(wù)的亞洲企業(yè)紛紛出展。 　　山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司(SICC)展出了將從2014年4月開始對外銷售的直徑2～4英寸(50mm～100mm)的SiC裸晶圓。該公司當(dāng)前的目標(biāo)
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PV逆變器應(yīng)用升溫，推動SiC功率元件發(fā)展

  • 碳化硅（SiC）功率元件正快速在太陽能（PV）逆變器應(yīng)用市場攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性，不僅可較傳...
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SiC和GaN是“下一代”還是“當(dāng)代”？

  • 　　SiC企業(yè)不斷增多，成本不斷下降”一文中，作者根津在開篇寫道：“下一代功率半導(dǎo)體已經(jīng)不再特別?！边@是因?yàn)?，隨著使用SiC和GaN等“下一代功率半導(dǎo)體”的大量發(fā)布，在學(xué)會和展會的舞臺上，這種功率半導(dǎo)體逐漸帶上了“當(dāng)代”的色彩。 　　那么，在使用功率半導(dǎo)體的制造現(xiàn)場，情況又是如何呢?雖然使用SiC和GaN的產(chǎn)品目前尚處開始增加的階段，仍屬于“下一代”，但在功率半導(dǎo)體使用者的心目中，此類產(chǎn)品已逐漸由
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經(jīng)典FET輸入甲類前級

  • 經(jīng)典FET輸入甲類前級本電路是參照《無線電與電視》雜志2000第一期的《電池供電高級純A類分立件前級放大 ...
  • 關(guān)鍵字： FET  甲類前級  

GT推出碳化硅爐新產(chǎn)品線

  • GT Advanced Technologies(納斯達(dá)克：GTAT)日前推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生產(chǎn)爐。 SiClone100采用升華生長技術(shù)，能生產(chǎn)出高品質(zhì)的半導(dǎo)體SiC晶體塊，可最終制成最大直徑為100毫米的芯片。 在其初步階段，SiClone100主要針對本身已經(jīng)擁有熱場、合格的晶體塊生產(chǎn)配方及正準(zhǔn)備開始量產(chǎn)的客戶。
  • 關(guān)鍵字： GT  SiC  晶體  

未來十年GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場將以18%的速度穩(wěn)增

  • 　　在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機(jī)的需求驅(qū)動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。 　　據(jù)有關(guān)報(bào)告稱，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測，未來十年這一市場的銷售額將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率。 　　SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進(jìn)入市場。G
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未來十年GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場將以18%的速度穩(wěn)增

  • 　　在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機(jī)的需求驅(qū)動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。 　　據(jù)有關(guān)報(bào)告稱，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測，未來十年這一市場的銷售額將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率。 　　SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進(jìn)入市場。G
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SiC集成技術(shù)在生物電信號采集設(shè)計(jì)

  • SiC集成技術(shù)在生物電信號采集設(shè)計(jì), 人體信息監(jiān)控是一個(gè)新興的領(lǐng)域，人們設(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何將他們的體
  • 關(guān)鍵字： SiC  集成技術(shù)  生物電信號采集    

Microsemi公司推出工業(yè)級碳化硅功率模塊系列產(chǎn)品

  • 　　致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC)日前宣布，推出新一代工業(yè)溫度碳化硅(SiC)標(biāo)準(zhǔn)功率模塊。新產(chǎn)品非常適用于要求高性能和高可靠性的大功率開關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動器、不間斷電源、太陽能逆變器、石油勘探和其他高功率高電壓工業(yè)應(yīng)用。該功率模塊系列還擴(kuò)展了溫度范圍，以滿足下一代功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)對于功率密度、工作頻率和效率的更高要求。 　　SiC技術(shù)比硅材料提供更高的擊穿電場強(qiáng)度和更好的熱傳導(dǎo)性
  • 關(guān)鍵字： Microsemi  SiC  

eGaN FET與硅功率器件比拼之六：隔離型PoE-PSE轉(zhuǎn)換器

  • 隔離型磚式轉(zhuǎn)換器被廣泛應(yīng)用于電信系統(tǒng)，為網(wǎng)絡(luò)設(shè)備供電，這些轉(zhuǎn)換器可以提供各種標(biāo)準(zhǔn)尺寸及輸入/輸出電壓范圍...
  • 關(guān)鍵字： eGaN  FET  硅功率器  轉(zhuǎn)換器  

正確的同步降壓FET時(shí)序設(shè)計(jì)

  • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時(shí)序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關(guān)期間，存在兩個(gè)過渡階...
  • 關(guān)鍵字： 同步降壓  FET  時(shí)序設(shè)計(jì)  

第三代半導(dǎo)體材料雙雄并立 難分高下

  • 　　進(jìn)入21世紀(jì)以來，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。 　　SiC早在1842年就被發(fā)現(xiàn)了，但直到1955年，才有生長高品質(zhì)碳化硅的方法出現(xiàn);到了1987年，商業(yè)化生產(chǎn)的SiC進(jìn)入市場;進(jìn)入21世紀(jì)后，SiC的商業(yè)應(yīng)用才算全面鋪開。相對于Si，SiC的優(yōu)點(diǎn)很多：有10倍的電場強(qiáng)度，高3倍的熱導(dǎo)率，寬3倍禁帶寬度，高一倍的飽和漂
  • 關(guān)鍵字： ROHM  SiC  半導(dǎo)體  
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