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技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率元件（一）

  • 與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源...
  • 關(guān)鍵字： SiC  功率元件  GaN  導(dǎo)通電阻  

用智能MOSFET提升醫(yī)療設(shè)計(jì)可靠性及性能

  • 所有關(guān)于醫(yī)療應(yīng)用的產(chǎn)品在要求高可靠性的同時(shí)，仍然需要提供終端用戶想要的新技術(shù)與功能。由于各醫(yī)療設(shè)備...
  • 關(guān)鍵字： 智能MOSFET  醫(yī)療電子  FET  

基于FET輸入型OP放大器的長(zhǎng)時(shí)間模擬定時(shí)電路介紹

  • 電路的功能定時(shí)器專用IC有NE555和C-MOS單穩(wěn)態(tài)多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長(zhǎng)時(shí)間定時(shí)電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個(gè)來(lái)組成定時(shí)器，這樣可以減少IC的數(shù)量，事先了
  • 關(guān)鍵字： FET  輸入  OP放大器  模擬    

采用IMEC的SiC技術(shù)完成生物電信號(hào)采集

  • 采用IMEC的SiC技術(shù)完成生物電信號(hào)采集,人體信息監(jiān)控是一個(gè)新興的領(lǐng)域，人們?cè)O(shè)想開(kāi)發(fā)無(wú)線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來(lái)診斷癲癇病人，可穿戴的無(wú)線EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間，并最終通過(guò)因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無(wú)線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何將他們的體積
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世界首家“全SiC”功率模塊開(kāi)始量產(chǎn)

  • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部：日本京都市)推出的“全SiC”功率模塊(額定1200V/100A)開(kāi)始投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品的內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部采用SiC(Silicon Carbide：碳化硅)構(gòu)成。
  • 關(guān)鍵字： 羅姆  半導(dǎo)體  SiC  

用于VCA或幅度調(diào)制的FET乘法運(yùn)算電路介紹

  • 電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V，2象限乘法運(yùn)算與幅度調(diào)制（AM）等效，可作為低頻調(diào)制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化，以TT15、TT16特性相同為前提條件，O
  • 關(guān)鍵字： VCA  FET  幅度調(diào)制  乘法運(yùn)算    

用SiC撬動(dòng)新能源、汽車電子新興市場(chǎng)

  • 由于具有低功耗、高耐壓、高耐溫、高可靠性等優(yōu)點(diǎn)，SiC功率器件被廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力車中的逆變器、轉(zhuǎn)換器、PFC電路等領(lǐng)域、傳統(tǒng)工業(yè)(尤其是軍工)中的功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域以及太陽(yáng)能、風(fēng)能等新能源中的整流、逆變等領(lǐng)域，很多半導(dǎo)體廠商都看好SiC技術(shù)的未來(lái)，并積極投身其中，在08年收購(gòu)生產(chǎn)SiC晶圓的德國(guó)SiCrystal公司之后，羅姆半導(dǎo)體(ROHM)已經(jīng)在SiC領(lǐng)域形成了從晶圓制造、前期工序、后期工序再到功率模塊的一條龍生產(chǎn)體系，并率先市場(chǎng)SiC器件的量產(chǎn)，羅姆要將SiC器件應(yīng)用于哪些新興領(lǐng)域?如何發(fā)揮其
  • 關(guān)鍵字： 羅姆  太陽(yáng)能  SiC  

20W-50W單端FET純甲類功放的設(shè)計(jì)制作

  • 音響發(fā)燒友在孜孜不倦的追求目標(biāo)，就是自己的音響器材有更純真更自然的音質(zhì)表現(xiàn)，單端純甲類功放，音質(zhì)醇厚,偶次 ...
  • 關(guān)鍵字： 單端  FET  甲類  功放  

與萬(wàn)用表結(jié)合使用的FET VP、VOO檢驗(yàn)器電路

  • 電路的功能場(chǎng)效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別，所以確定置偏很麻煩。雖然在生產(chǎn)廠已分了幾種等級(jí)，但一個(gè)等級(jí)內(nèi)仍有差別，如果在組裝電路之前測(cè)量實(shí)際工作電流狀態(tài)下的VP和VOS則比較方便。測(cè)量時(shí)，
  • 關(guān)鍵字： VOO  檢驗(yàn)  電路  VP  FET  結(jié)合  使用  萬(wàn)用表  

隔離式FET脈沖驅(qū)動(dòng)器原理及設(shè)計(jì)

  • 隔離式FET脈沖驅(qū)動(dòng)器原理及設(shè)計(jì)三相控制整流器和變換器、矩陣循環(huán)換流器以及級(jí)聯(lián)功率級(jí)一般都含有大量功率 ...
  • 關(guān)鍵字： 隔離式  FET  脈沖驅(qū)動(dòng)器  

使用結(jié)型FET的簡(jiǎn)易電壓控制放大器電路及工作原理

  • 電路的功能在VCA（電壓控制放大器）。由反饋環(huán)路組成電路時(shí)，通過(guò)控制反正電壓來(lái)改變放大器增益。所以傳統(tǒng)的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中，是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發(fā)生變
  • 關(guān)鍵字： FET  結(jié)型  電壓控制  放大器電路    

保護(hù)汽車?yán)鋮s風(fēng)扇模塊免受熱失控引起的損壞

  • 在嚴(yán)苛的汽車環(huán)境中，各種功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(power FET，功率FET)，被一貫地認(rèn)為可承受極端的溫度變化和熱機(jī)械應(yīng)力。間歇性短路、寒冷的運(yùn)行環(huán)境、高壓電弧或有噪聲性短路，連同電感負(fù)載及多次短路久而久之會(huì)讓該器件疲損，致使其進(jìn)入開(kāi)路、短路或阻性模式。
  • 關(guān)鍵字： RTP器件  FET  

瑞薩電子推出三款低損耗碳化硅功率器件

  • 全球領(lǐng)先的高級(jí)半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱“瑞薩電子”)宣布推出三款碳化硅(SiC)復(fù)合功率器件，它們是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款產(chǎn)品在單一封裝中結(jié)合了多個(gè)碳化硅二極管和多個(gè)功率晶體管，組成電源轉(zhuǎn)換電路。這些功率器件是瑞薩電子推出的采用碳化硅的第二個(gè)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品系列。碳化硅是一種能有效降低損耗的新材料。全新功率器件旨在用于家電(如空調(diào))、PC服務(wù)器和太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)等電力電子產(chǎn)品。
  • 關(guān)鍵字： 瑞薩電子  功率器件  SiC  

科銳推出芯片型碳化硅功率器件

  • 碳化硅(SiC)功率器件領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)先者科銳公司將繼續(xù)引領(lǐng)高效率電子電力模組變革，宣布推出業(yè)界首款符合全面認(rèn)證的可應(yīng)用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件?？其J碳化硅ZFET MOSFET器件和二極管適用于高階電力電子電路，與傳統(tǒng)硅器件相比，可實(shí)現(xiàn)更高的能源效率。
  • 關(guān)鍵字： 科銳  SiC  MOSFET  

通過(guò)優(yōu)化變換器的FET開(kāi)關(guān)來(lái)改善能量效率

  • 　在計(jì)算和消費(fèi)電子產(chǎn)品中，效率已經(jīng)有了顯著的提高，重點(diǎn)是AC/DC轉(zhuǎn)換上。不過(guò)，隨著80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等規(guī)范的出現(xiàn)，設(shè)計(jì)人員開(kāi)始認(rèn)識(shí)到，AC/DC和DC/DC功率系統(tǒng)都需要改進(jìn)?！　C/DC平均系統(tǒng)
  • 關(guān)鍵字： 改善  能量  效率  開(kāi)關(guān)  FET  優(yōu)化  變換器  通過(guò)  
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