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Microsemi公司推出工業(yè)級碳化硅功率模塊系列產(chǎn)品
- 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC)日前宣布,推出新一代工業(yè)溫度碳化硅(SiC)標準功率模塊。新產(chǎn)品非常適用于要求高性能和高可靠性的大功率開關(guān)電源、馬達驅(qū)動器、不間斷電源、太陽能逆變器、石油勘探和其他高功率高電壓工業(yè)應(yīng)用。該功率模塊系列還擴展了溫度范圍,以滿足下一代功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)對于功率密度、工作頻率和效率的更高要求。 SiC技術(shù)比硅材料提供更高的擊穿電場強度和更好的熱傳導性
- 關(guān)鍵字: Microsemi SiC
基于SG3525A的太陽能逆變電源設(shè)計與實現(xiàn)
- 引言本文涉及的是光明工程中一個課題的具體技術(shù)問題。該課題的基本原理是逆變器由直流蓄電池供電,...
- 關(guān)鍵字: SG3525A 逆變電源 MOSFET-90N10
汽車應(yīng)用MOSFET的技術(shù)趨勢
- 汽車應(yīng)用MOSFET半導體制造商在金屬氧化物半導體(MOS)技術(shù)領(lǐng)域取得了重大進步,并繼續(xù)積極發(fā)展。先進的功率MOS...
- 關(guān)鍵字: 汽車應(yīng)用 MOSFET 電機控制
隔離驅(qū)動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需要的一些技巧
- 功率器件,如IGBT,PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等,都需要有充分的保護,以避免如欠壓,缺失飽和,米勒效...
- 關(guān)鍵字: 門極驅(qū)動光耦 隔離驅(qū)動IGBT Power MOSFET
第三代半導體材料雙雄并立 難分高下
- 進入21世紀以來,隨著摩爾定律的失效大限日益臨近,尋找半導體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后,有兩位脫穎而出,它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱為第三代半導體材料的雙雄。 SiC早在1842年就被發(fā)現(xiàn)了,但直到1955年,才有生長高品質(zhì)碳化硅的方法出現(xiàn);到了1987年,商業(yè)化生產(chǎn)的SiC進入市場;進入21世紀后,SiC的商業(yè)應(yīng)用才算全面鋪開。相對于Si,SiC的優(yōu)點很多:有10倍的電場強度,高3倍的熱導率,寬3倍禁帶寬度,高一倍的飽和漂
- 關(guān)鍵字: ROHM SiC 半導體
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