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Diodes 推出強固型MOSFET 輕松應對IP電話通信設備的嚴峻考驗

  • 　　Diodes 公司推出專為IP電話(VoIP)通信開發(fā)的新型60V N溝道器件，擴展了其MOSFET產(chǎn)品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列專為處理產(chǎn)生正極線和負極線換行線路饋電 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脈沖電流，以及抵擋電源開關時引起的雪崩能量而設計。該器件能夠滿足基于變壓器的用戶線路接口電路 (SLIC) 直流/直流轉(zhuǎn)換器對基本切換功能的嚴格要求。 　　Diodes 這次推出的四款產(chǎn)品提供四種不同的行業(yè)標準封裝選擇，包括：SOT223封裝的DMN606
  • 關鍵字： Diodes  MOSFET  

硅功率MOSFET在電源轉(zhuǎn)換領域的應用

  • 　功率MOSFET作為雙極晶體管的替代品最早出現(xiàn)于1976年。與那些少數(shù)載流子器件相比，這些多數(shù)載流子器件速度更快、更堅固，并且具有更高的電流增益。因此開關型電源轉(zhuǎn)換技術得以真正商用化。早期臺式電腦的AC/DC開關電
  • 關鍵字： 領域  應用  轉(zhuǎn)換  電源  MOSFET  功率  

Panasonic電工PhotoMOS MOSFET的控制電路

  • 　　前言 　　Panansonic電工的PhotoMOS在輸出中采用了光電元件和功率MOSFET，是作為微小模擬信號用而開發(fā)出的SSD，以高功能型的HF型為首，正逐步擴展系列，如通用型的GU型、高頻型的RF型。 　　上次介紹了PhotoMOS的概要，此次將介紹內(nèi)置在PhotoMOS中構(gòu)成控制電路的獨特的光電元件的特點、構(gòu)造、布線等。 　　FET型MOSFET輸出光電耦合器的基本電路 　　圖1是PhotoMOS中具有代表性的、即所謂的FET型MOSFET輸出光電耦合器的最基本電路。在該電路中由于輸出
  • 關鍵字： Panansonic  PhotoMOS  MOSFET  

瑞薩電子推出3款新型功率MOSFET產(chǎn)品

  • 　　高級半導體解決方案領導廠商瑞薩電子株式會社(以下簡稱瑞薩電子)已于近日宣布開始供應第12代新型功率MOSFET(金屬氧化物半導體晶體管)產(chǎn)品—— RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新產(chǎn)品作為面向DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率半導體器件，主要面向計算機服務器和筆記本電腦等的應用。 　　本次推出的3款功率MOSFET可用于控制CPU和存儲器的電壓轉(zhuǎn)換電路。例如，可作為降壓電路，用于將電池提供的12V電壓轉(zhuǎn)換為1.05V，以便為CPU所用。隨著公司進一步推進
  • 關鍵字： 瑞薩電子  MOSFET  

Panasonic電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要2

  • 　　b觸點型“PhotoMOS”的開發(fā) 　　隨著PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的優(yōu)勢被廣泛了解，人們將其用于信息通信設備、OA設備、FA設備及其他廣泛的領域。為了滿足大眾進一步的需求，本公司開發(fā)出了“可通過機械實現(xiàn)、并擁有所有觸點構(gòu)成(b觸點、c觸點)”的PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器。 　　為實現(xiàn)該產(chǎn)品的開發(fā)，我們在功率MOSFET制造工藝中采用了融有DSD法(Double-Diffused and Selective Do
  • 關鍵字： Panasonic  MOSFET  PhotoMOS  

IR 推出為 D 類應用優(yōu)化的汽車用 DirectFET2 功率 MOSFET

  • 　　全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天宣布推出汽車用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列，適合D 類音頻系統(tǒng)輸出級等高頻開關應用。 　　新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件，拓展了 IR 適用于汽車 D 類音頻系統(tǒng)的 DirectFET®2 功率 MOSFET 陣營，并利用低柵極電荷 (Qg) 作出優(yōu)化，來改善總諧波失真
  • 關鍵字： IR  MOSFET  

基于功率MOSFET的激光器外觸發(fā)系統(tǒng)研制

  • 采用功率MOSFET及其驅(qū)動器和光纖收發(fā)器件，研究了激光觸發(fā)開關脈沖功率源控制技術中的快上升沿(≤5 ns)觸發(fā)信號產(chǎn)生、驅(qū)動、傳輸及光纖隔離、高耐壓脈沖變壓器使用等關鍵技術。給出了激光器外觸發(fā)控制電路的設計及測試結(jié)果，并對其應用特點進行了分析和討論。
  • 關鍵字： MOSFET  激光器  觸發(fā)系統(tǒng)    

Diodes 推出小型SOT963封裝器件

  • 　　Diodes 公司推出采用超小型 SOT963封裝的雙極晶體管 (BJT)、MOSFET和瞬態(tài)抑制二極管 (TVS) 器件，性能可媲美甚至超過采用更大封裝的器件。 　　Diodes SOT963的占板面積僅有0.7 mm2，比SOT723封裝少30%，比SOT563封裝少60%，適合低功耗應用。占板面積節(jié)省加上0.5 mm的離板高度，讓Diodes 的 SOT963 封裝器件能夠滿足各種超便攜式電子產(chǎn)品的要求。 　　現(xiàn)階段推出的SOT963封裝產(chǎn)品線包括6款通用雙極雙晶體管組合、3款小信號雙MOS
  • 關鍵字： Diodes  MOSFET  BJT  TVS  

MOSFET驅(qū)動器介紹及功耗計算

  • 我們先來看看MOS關模型：



    Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
    Cgd：是兩個不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是
    耗盡區(qū)電容
  • 關鍵字： MOSFET  驅(qū)動器  功耗計算    

電源設計小貼士17：緩沖反向轉(zhuǎn)換器

  • 之前，我們介紹了如何對正向轉(zhuǎn)換器輸出整流器開啟期間兩端的電壓進行緩沖?，F(xiàn)在，我們來研究如何對反向轉(zhuǎn)換器的 FET 關斷電壓進行緩沖。圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲于
  • 關鍵字： 轉(zhuǎn)換器  緩沖  設計  MOSFET  TI  德州儀器  

Panasonic 電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要

  • 　　前言: 　　Panasonic電工的“PhotoMOS”是一款采用光電元件以及功率MOSFET進行輸出的輸出光電耦合器。面試二十年間，在全世界的銷量達到八億個，堪稱是一款銷售成績驕人的商品。“PhotoMOS”滿足了小型·輕量·薄形化的需求，作為適應電子化的輸出光電耦合器，增加了①高靈敏性、高速響應;②從傳感器輸入信號水平到高頻的控制;③從聲音信號到高頻用途的對應;④高可靠性和長使用壽命;⑤可進行表面安裝的SMD型;⑥多功能
  • 關鍵字： 松下電工  MOSFET  PhotoMOS  光電耦合器  

英飛凌推出30V車用 MOSFET

  • 　　英飛凌科技股份公司近日面向大電流應用的汽車推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件，在10V柵源電壓條件下，漏極電流為180A，而通態(tài)電阻僅為0.9毫歐。采用D2PAK-7封裝的IPB180N03S4L-H0，可滿足客戶對標準封裝功率 MOSFET的需求：以最低成本獲得高額定電流和最低通態(tài)電阻。 　　基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強大的第二代溝槽技術，OptiMOS-T
  • 關鍵字： 英飛凌  MOSFET  

英飛凌推出一款30V功率MOSFET

  • 　　英飛凌科技股份公司近日面向大電流應用的汽車推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。全新的OptiMOS?-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件，在10V柵源電壓條件下，漏極電流為180A，而通態(tài)電阻僅為0.9毫歐。采用D2PAK-7封裝的IPB180N03S4L-H0，可滿足客戶對標準封裝功率 MOSFET的需求：以最低成本獲得高額定電流和最低通態(tài)電阻。 　　基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強大的第二代溝槽技術，OptiMOS-T2器件成為大
  • 關鍵字： 英飛凌  MOSFET  

IR 拓展具有低導通電阻的汽車用 MOSFET 系列

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天宣布拓展了針對低導通電阻(RDS(on))應用的汽車用功率 MOSFET 專用系列，包括車載電源及內(nèi)燃機 (ICE) 、微型混合動力和全混合動力平臺上的重載應用。 　　新的 MOSFET 系列器件系列在 55V 的電壓下可提供低達 2.6 mΩ 的導通電阻，可以承受 40V 至100V 的電壓，并涵蓋了此前推出的 75V 產(chǎn)品。當中一些具有更高電壓的器件非常適用于 24V 卡車系統(tǒng)，采用 D2Pak-7P
  • 關鍵字： IR  MOSFET  

Vishay 推出業(yè)界最小的N溝道芯片級功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)界最小和最薄的N溝道芯片級功率MOSFET --- Si8800EDB，該器件也是面積低于1mm2的首款產(chǎn)品。20V MICRO FOOT® Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度，可減少在便攜式電子產(chǎn)品中占用的空間。 　　隨著便攜式產(chǎn)品變得愈加小巧，器件的尺寸成為選擇器件的重要因素，因為按鍵和電池占用了大部分空間，使PCB的面積受到極大限制。Si8800EDB具有超小的外形和
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  
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