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EEPW首頁 >> 主題列表 >> spi nor flash

一種集成RFID電子標簽的傳感器節(jié)點設(shè)計

  • 摘要:文中針對電磁干擾和遮擋非常嚴重的電池生產(chǎn)車間的復(fù)雜環(huán)境,設(shè)計一種集成RFID的電池充放電參數(shù)采集節(jié)點。在每一個電池上放置一個無線節(jié)點,能實時獲取每個電池在充放電過程的電流、電壓、溫度數(shù)據(jù),實現(xiàn)生產(chǎn)數(shù)據(jù)自動采集。全過程不需人工干預(yù)進行實時監(jiān)控,同時將充放電過程的數(shù)據(jù)存儲在數(shù)據(jù)庫中,以實現(xiàn)電池售后的質(zhì)量跟蹤和追溯。相對于傳統(tǒng)電池充放電方法,采集節(jié)點將充放電過程的監(jiān)控做到了自動化、專家化。 電池在出廠之前一般都要經(jīng)過一道充放電工序,對電池的性能進行檢測,這對于保證電源供電可靠性具有十分重要的作用。充放電
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嵌入式內(nèi)存市場增長,廠商與用戶需持久合作

  •   2014上海慕尼黑電子展期間,Micron(美光科技有限公司)展示了全系列嵌入式存儲解決方案。據(jù)美光公司嵌入式業(yè)務(wù)部門營銷高級總監(jiān)Amit Gattani介紹,在整個內(nèi)存產(chǎn)品640億美元的市場中,10%~15%是嵌入式內(nèi)存方案。而且這個份額還在不斷增長,主要是由于智慧系統(tǒng)、物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展和智慧汽車的驅(qū)動。
  • 關(guān)鍵字: Micro  嵌入式  NOR  201405  

基于單片機C8051F350的彈簧片測試與分選系統(tǒng)

  • 從彈簧片測試系統(tǒng)的理論基礎(chǔ)分析入手,推導(dǎo)出了測試公式,介紹了硬件結(jié)構(gòu)框圖和主要軟件功能。
  • 關(guān)鍵字: 單片機  步進電機  傳感器  C8051F350  SPI  201405  

競逐eMMC商機 Flash控制芯片廠陷混戰(zhàn)

  • 2013年eMMC需求在智能手機市場帶動下大幅成長,2014年,平板電腦應(yīng)用需求亦值得期待,尤其在中國大陸銷售的平板電腦中,有90%尚未采用eMMC,這可能進一步擴大eMMC市場規(guī)模,引來業(yè)內(nèi)廠商混戰(zhàn)一片......
  • 關(guān)鍵字: Flash  控制芯片  

美光在上海加大研發(fā),實現(xiàn)“中國設(shè)計”

  •   2014上海慕尼黑電子展期間,美光科技公司嵌入式業(yè)務(wù)部門營銷高級總監(jiān)Amit?Gattani告訴《電子產(chǎn)品世界》,美光看好中國的前景,因為中國“十二五”計劃當中明確提出要建立智慧城市、智慧交通、節(jié)能環(huán)保,實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展,注重汽車產(chǎn)業(yè)的節(jié)能排放以及創(chuàng)新,這一切都和美光公司的戰(zhàn)略相吻合?! ∧壳懊拦庠谏虾S袃蓚€設(shè)計中心,主要是做硬件和集成電路設(shè)計,比如開發(fā)NOR閃存等產(chǎn)品,分別在浦東和漕河涇。還有2012年剛剛建成的美光公司系統(tǒng)工程實驗室,旨在與客戶實現(xiàn)更好的合作,創(chuàng)新開發(fā)各種解決方案。此外美光
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FPGA中Flash驅(qū)動模塊的設(shè)計及驗證

  •   隨著FPGA的功能日益強大和完善,F(xiàn)PGA在項目中的應(yīng)用也越來越廣泛,其技術(shù)關(guān)鍵在于控制日益廣泛而豐富的外圍器件。本文以Flash存儲器件為FPGA的外圍,敘述了FPGA中SPI總線接口的Flash驅(qū)動模塊的設(shè)計,其接口基本符合Avalon總線的規(guī)范要求,并且通過實際的讀寫操作驗證
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基于UART&SPI的接口驗證工具的設(shè)計與實現(xiàn)

  • 摘要:隨著WLAN(無線局域網(wǎng))的普及,各種接口的WLAN網(wǎng)卡層出不窮,像UART,SPI,USB等。為了驗證接口的功能、性能和兼容性是否符合需求,在此提出了一種支持UART&SPI接口的驗證工具。傳統(tǒng)的接口驗證采用手動驗證的方法,即手動修改UART接口的波特率或SPI接口的大小端等來達到遍歷所有用例的目的,傳統(tǒng)方法存在效率低,容易漏測測試用例等缺陷。而該工具通過命令通道完成上位機和下位機的協(xié)商,保持接口參數(shù)同步;數(shù)據(jù)通道驗證在該接口參數(shù)下的功能和性能,實現(xiàn)了接口的功能和性能驗證的自動化,大大提高
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基于SOC的SPI接口設(shè)計與驗證

  • 摘要:給出了一個可用于SoC設(shè)計的SPI接口IP核的RTL設(shè)計與功能仿真。采用AMBA 2.0總線標準來實現(xiàn)SPI接口在外部設(shè)備和內(nèi)部系統(tǒng)之間進行通信,在數(shù)據(jù)傳輸部分,摒棄傳統(tǒng)的需要一個專門的移位傳輸寄存器實現(xiàn)串/并轉(zhuǎn)換的設(shè)計方法,采用復(fù)用寄存器的方法,把移位傳輸寄存器和發(fā)送寄存器結(jié)合在一起,提高了傳輸速度,也節(jié)約了硬件資源。采用SoC驗證平臺進行SoC環(huán)境下對IP的驗證,在100 MHz時鐘頻率下的仿真和驗證結(jié)果表明,SPI接口實現(xiàn)了數(shù)據(jù)傳輸,且滿足時序設(shè)計要求。 0 引言 SPI(Serial P
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高速接口Hyper Bus催生讀取最快的NOR閃存

  •   不久前,Spansion?公司宣布推出突破性的Spansion?HyperBus接口,它能極大地提高讀取性能并減少引腳數(shù)量和空間。主要的片上系統(tǒng)(SoC)制造商可以部署SpansionHyperBus接口。  另外,Spansion還推出了首個基于該新接口的產(chǎn)品家族——SpansionHyperFlash?NOR閃存器件,其讀取吞吐量可達333MB/s,比當今市場上可見速度最快的四SPI的5倍還快,引腳數(shù)量卻僅是并行NOR閃存的1/3?! ?jù)Spansion產(chǎn)品與產(chǎn)業(yè)生態(tài)
  • 關(guān)鍵字: HyperBus  NOR  GUI  ADAS  201402  

基于SRAM芯片立體封裝大容量的應(yīng)用

  •   靜態(tài)隨機存儲器(static?RAM),簡稱SRAM。在電子設(shè)備中,常見的存儲器有SRAM(靜態(tài)隨機訪問存儲器)、FLASH(閃速存儲器)、DRAM(動態(tài)存儲器)等。其中不同的存儲器有不同的特性,SRAM無需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失。與SDRAM相比,SRAM不需要時鐘信號,即可保持數(shù)據(jù)不丟失。  1、VDMS16M32芯片介紹  VDSR16M32是一款工作電壓3.3V,16Mbit,32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
  • 關(guān)鍵字: SRAM  FLASH  DRAM  VDSR16M32  

基于FPGA的SPI Flash控制器的設(shè)計方案

  • 本文提出一個基于FPGA的SPI Flash讀寫硬件實現(xiàn)方案,該方案利用硬件對SPI Flash進行控制,能夠非常方便地完成Flash的讀寫、擦除、刷新及預(yù)充電等操作,同時編寫的SPI Flash控制器IP核能夠進行移植和復(fù)用,作為SOC芯片的功能模塊。
  • 關(guān)鍵字: FPGA  Flash  SOC  CPU  VHDL  

基于FPGA的速率自適應(yīng)圖像抽取算法

  • 載荷圖像可視化是深空探測任務(wù)中的重要需求,但受信道帶寬的限制,無法實時傳輸所有載荷數(shù)據(jù),因此星載復(fù)接存儲器中圖像的抽取下傳是實現(xiàn)任務(wù)可視化的關(guān)鍵。
  • 關(guān)鍵字: 存儲器  FPGA  載荷圖像  VCDU  FLASH  

基于SPI FLASH的FPGA多重配置

  • 通過FPGA的多重配置可以有效地精簡控制結(jié)構(gòu)的設(shè)計,同時可以用邏輯資源較少的FPGA器件實現(xiàn)需要很大資源才能實現(xiàn)的程序。以Virtex5系列開發(fā)板和配置存儲器SPI FLASH為基礎(chǔ),從硬件電路和軟件設(shè)計兩個方面對多重配置進行分析,給出了多重配置實現(xiàn)的具體步驟,對實現(xiàn)復(fù)雜硬件設(shè)計工程有一定的參考價值。
  • 關(guān)鍵字: FPGA  Virtex5  FLASH  ICAP  IPROG  寄存器  

提高MSP430G單片機的Flash擦寫壽命的方法

  • 在嵌入式設(shè)計中,許多應(yīng)用設(shè)計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù),由于成本原因,某些單片機在芯片內(nèi)部并沒有集 ...
  • 關(guān)鍵字: MSP430G  單片機  Flash  擦寫壽命    

武漢新芯:定位存儲器制造,兩年后或推3D NAND

  • 武漢新芯集成電路制造公司(XMC)2006成立,2012年底起獨立經(jīng)營,是國有制企業(yè)。為了區(qū)別于本土的制造巨頭SMIC(中芯國際)和華力微電子(HLMC)等,XMC將立足存儲器制造。近日,武漢新芯董事長王繼增告訴筆者。
  • 關(guān)鍵字: XMC  存儲器  NOR  NAND  201401  
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