vd-mosfet 文章進(jìn)入vd-mosfet技術(shù)社區(qū)

東芝推出新款碳化硅MOSFET模塊，有助于提升工業(yè)設(shè)備效率和小型化

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，面向工業(yè)應(yīng)用推出一款集成最新開(kāi)發(fā)的雙通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模塊---“MG800FXF2YMS3”，該產(chǎn)品將于2021年5月投入量產(chǎn)。為達(dá)到175℃的通道溫度，該產(chǎn)品采用具有銀燒結(jié)內(nèi)部鍵合技術(shù)和高貼裝兼容性的iXPLV（智能柔性封裝低電壓）封裝。這款模塊可充分滿足軌道車輛和可再生能源發(fā)電系統(tǒng)等工業(yè)應(yīng)用對(duì)高效緊湊設(shè)備的需求?！? ?應(yīng)用●? ?用于軌道車輛的逆變器和轉(zhuǎn)換
關(guān)鍵字： MOSFET

開(kāi)關(guān)模式電源電流檢測(cè)——第二部分

電流檢測(cè)電阻的位置連同開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器架構(gòu)決定了要檢測(cè)的電流。檢測(cè)的電流包括峰值電感電流、谷值電感電流（連續(xù)導(dǎo)通模式下電感電流的最小值）和平均輸出電流。檢測(cè)電阻的位置會(huì)影響功率損耗、噪聲計(jì)算以及檢測(cè)電阻監(jiān)控電路看到的共模電壓。放置在降壓調(diào)節(jié)器高端對(duì)于降壓調(diào)節(jié)器，電流檢測(cè)電阻有多個(gè)位置可以放置。當(dāng)放置在頂部MOSFET的高端時(shí)（如圖1所示），它會(huì)在頂部MOSFET導(dǎo)通時(shí)檢測(cè)峰值電感電流，從而可用于峰值電流模式控制電源。但是，當(dāng)頂部MOSFET關(guān)斷且底部MOSFET導(dǎo)通時(shí)，它不測(cè)量電感電流。圖1 帶高端RSENSE
關(guān)鍵字： MOSFET

Nexperia擴(kuò)展LFPAK56D MOSFET產(chǎn)品系列，推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的半橋封裝產(chǎn)品

關(guān)鍵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布推出一系列采用節(jié)省空間的LFPAK56D封裝技術(shù)的半橋（高端和低端）汽車MOSFET。采用兩個(gè)MOSFET的半橋配置是許多汽車應(yīng)用（包括電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和DC/DC轉(zhuǎn)換器）的標(biāo)準(zhǔn)構(gòu)建模塊。這種新封裝提供了一種單器件半橋解決方案。與用于三相電機(jī)控制拓?fù)涞碾p通道MOSFET相比，由于去掉了PCB線路，其占用的PCB面積減少了30%，同時(shí)支持在生產(chǎn)過(guò)程中進(jìn)行簡(jiǎn)單的自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)(AOI)。LFPAK56D半橋產(chǎn)品采用現(xiàn)有的大批量LFPAK56D封裝工藝，并具有成熟的汽車級(jí)
關(guān)鍵字： Nexperia MOSFET AEC-Q101

采用 23mm x 16.5mm 封裝的 170W 倍壓器

設(shè)計(jì)要點(diǎn) DN571 - 引言對(duì)于高電壓輸入/輸出應(yīng)用，無(wú)電感型開(kāi)關(guān)電容器轉(zhuǎn)換器 (充電泵) 相比基于電感器的傳統(tǒng)降壓或升壓拓?fù)淇娠@著地改善效率和縮減解決方案尺寸。通過(guò)采用充電泵取代電感器，一個(gè) “跨接電容器” 可用于存儲(chǔ)能量和把能量從輸入傳遞至輸出。電容器的能量密度遠(yuǎn)高于電感器，因而采用充電泵可使功率密度提高 10 倍。但是，由于在啟動(dòng)、保護(hù)、柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)壓方面面臨挑戰(zhàn)，所以充電泵傳統(tǒng)上一直局限于低功率應(yīng)用。ADI公司的LTC7820 克服了這些問(wèn)題，可實(shí)現(xiàn)高功率密度、高效率 (達(dá) 99%) 的解決方案
關(guān)鍵字： MOSFET

在可再生能源應(yīng)用的逆變器設(shè)計(jì)中使用SPWM發(fā)生器

可再生能源仍然是世界范圍內(nèi)的大趨勢(shì)。隨著捕獲風(fēng)能、太陽(yáng)能和其他形式的可再生能源的方法不斷發(fā)展，可再生能源系統(tǒng)的成本和效率對(duì)公司和消費(fèi)者都越來(lái)越有吸引力。實(shí)際上，2016年，全球?qū)稍偕茉吹馁Y本投資跌到了多年來(lái)最低水平，但是卻創(chuàng)下了一年內(nèi)可再生能源設(shè)備安裝數(shù)量最多的記錄。在用于可再生能源系統(tǒng)的組件中，逆變器是一項(xiàng)尤其關(guān)鍵的系統(tǒng)組件。由于大多數(shù)可再生能源都是通過(guò)直流電（DC）產(chǎn)生的，因此逆變器在將直流電（DC）轉(zhuǎn)換為交流電（AC）以有效整合到現(xiàn)有電網(wǎng)中起著關(guān)鍵作用。在混合了不同可再生能源的混合動(dòng)力系統(tǒng)和微電
關(guān)鍵字： PWM AC DC MOSFET SPWM

采用具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的低電感表貼封裝的SiC MOSFET

引言人們普遍認(rèn)為，SiC MOSFET可以實(shí)現(xiàn)非?？斓拈_(kāi)關(guān)速度，有助于顯著降低電力電子領(lǐng)域功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中的能量損耗。然而，由于傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體封裝的限制，在實(shí)際應(yīng)用中并不總是能發(fā)揮SiC元器件的全部潛力。在本文中，我們首先討論傳統(tǒng)封裝的一些局限性，然后介紹采用更好的封裝形式所帶來(lái)的好處。最后，展示對(duì)使用了圖騰柱（Totem-Pole）拓?fù)涞?.7kW單相PFC進(jìn)行封裝改進(jìn)后獲得的改善效果。功率元器件傳統(tǒng)封裝形式帶來(lái)的開(kāi)關(guān)性能限制TO-247N（圖1）是應(yīng)用最廣泛的功率晶體管傳統(tǒng)封裝形式之一。如圖1左側(cè)所示，
關(guān)鍵字： MOSFET

Vishay贊助的同濟(jì)大學(xué)電動(dòng)方程式車隊(duì)勇奪冠軍，支持培養(yǎng)下一代汽車設(shè)計(jì)師

日前，Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，其贊助的同濟(jì)大學(xué)大學(xué)生電動(dòng)方程式車隊(duì)---DIAN Racing首次榮獲中國(guó)大學(xué)生電動(dòng)方程式汽車大賽（FSEC）總冠軍。DIAN Racing車隊(duì)由100多名成員組成，致力于提高汽車速度和能效，同時(shí)為國(guó)際清潔能源的發(fā)展做出貢獻(xiàn)。每年，車隊(duì)設(shè)計(jì)制造一款先進(jìn)的電動(dòng)賽車，參加包括FSEC在內(nèi)的國(guó)際大學(xué)生方程式汽車賽。在2020年襄陽(yáng)站的角逐中，DIAN Racing車隊(duì)以設(shè)計(jì)報(bào)告和直線加速賽第一，8字繞環(huán)第二，耐久性第三的優(yōu)異成績(jī)獲得本屆比
關(guān)鍵字： MOSFET

Vishay贊助的同濟(jì)大學(xué)電動(dòng)方程式車隊(duì)勇奪冠軍，支持培養(yǎng)下一代汽車設(shè)計(jì)師

日前，Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，其贊助的同濟(jì)大學(xué)大學(xué)生電動(dòng)方程式車隊(duì)---DIAN Racing首次榮獲中國(guó)大學(xué)生電動(dòng)方程式汽車大賽（FSEC）總冠軍。DIAN Racing車隊(duì)由100多名成員組成，致力于提高汽車速度和能效，同時(shí)為國(guó)際清潔能源的發(fā)展做出貢獻(xiàn)。每年，車隊(duì)設(shè)計(jì)制造一款先進(jìn)的電動(dòng)賽車，參加包括FSEC在內(nèi)的國(guó)際大學(xué)生方程式汽車賽。在2020年襄陽(yáng)站的角逐中，DIAN Racing車隊(duì)以設(shè)計(jì)報(bào)告和直線加速賽第一，8字繞環(huán)第二，耐久性第三的優(yōu)異成績(jī)獲得本屆比
關(guān)鍵字： MOSFET

GD32創(chuàng)新反電動(dòng)勢(shì)采樣方案，助力高效控制BLDC電機(jī)

0? ?引言電機(jī)（Electric machinery，俗稱“馬達(dá)”）是指依據(jù)電磁感應(yīng)定律實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換或傳遞的一種電磁裝置，用來(lái)產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)矩作為電器或各種機(jī)械的動(dòng)力源。目前通常使用微控制器（MCU）對(duì)電機(jī)的啟停及轉(zhuǎn)速進(jìn)行控制。本文介紹了基于兆易創(chuàng)新（GigaDevice）公司GD32 MCU 的一種創(chuàng)新型高精度反電動(dòng)勢(shì)電壓采樣方案，廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、智能制造、消費(fèi)電子、家用電器、交通運(yùn)輸?shù)阮I(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)高效電機(jī)控制。圖1 有刷直流電機(jī)1? ?電機(jī)控制概況按照工作電源的不
關(guān)鍵字： MOSFET BLDC

哪些應(yīng)用和技術(shù)會(huì)成為2021的熱點(diǎn)

全球都在共同積極應(yīng)對(duì)新冠肺炎病毒(COVID-19)這個(gè)充滿挑戰(zhàn)的新環(huán)境，疫情加速了許多本來(lái)就在進(jìn)行的趨勢(shì)，所有趨勢(shì)都潛藏著一個(gè)一致的主題，那就是彈性。互聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用比以前有了更大的發(fā)展和進(jìn)步。有很多人在網(wǎng)上訂購(gòu)生活必需品送貨上門，以盡可能保持社交距離。人們的工作、社交、教育、娛樂(lè)幾乎超出了預(yù)期，被迫學(xué)習(xí)和適應(yīng)相關(guān)的工具。幸運(yùn)的是，通信和信息網(wǎng)絡(luò)的基礎(chǔ)設(shè)施已做出了令人難以置信的反應(yīng)，在增加的流量和負(fù)荷下保持了良好的狀態(tài)。網(wǎng)絡(luò)使用量的增長(zhǎng)刺激了對(duì)這一關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施的投資力度，5G基礎(chǔ)設(shè)施加速部署，云計(jì)算數(shù)據(jù)中心
關(guān)鍵字： MOSFET Wi-Fi 6 202101

ROHM開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻的第五代Pch MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）推出非常適用于FA和機(jī)器人等工業(yè)設(shè)備以及空調(diào)等消費(fèi)電子產(chǎn)品的共計(jì)24款Pch MOSFET*1/*2產(chǎn)品，其中包括支持24V輸入電壓的－40V和－60V耐壓?jiǎn)螛O型“RQxxxxxAT / RDxxxxxAT / RSxxxxxAT / RFxxxxxAT系列”和雙極型“UTxxx5 / QHxxx5 / SHxxx5系列”。本系列產(chǎn)品作為ROHM擁有豐碩市場(chǎng)業(yè)績(jī)的Pch MOSFET產(chǎn)品，采用了第五代新微米工藝，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低的單位面積導(dǎo)通電阻*3。－40
關(guān)鍵字： MOSFET

Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET提供歷經(jīng)十億個(gè)周期測(cè)試的可靠重復(fù)雪崩性能

半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天發(fā)布獲得AEC-Q101認(rèn)證的新重復(fù)雪崩專用FET (ASFET)產(chǎn)品組合，重點(diǎn)關(guān)注動(dòng)力系統(tǒng)應(yīng)用。該技術(shù)已通過(guò)十億個(gè)雪崩周期測(cè)試，可用于汽車感性負(fù)載控制，例如電磁閥和執(zhí)行器。除了提供更快的關(guān)斷時(shí)間（高達(dá)4倍）外，該技術(shù)還能通過(guò)減少BOM數(shù)量簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。在汽車動(dòng)力總成中的電磁閥和執(zhí)行器控制領(lǐng)域，基于MOSFET的電源方案通常圍繞著升壓、續(xù)流二極管或主動(dòng)鉗位拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行構(gòu)建。第四個(gè)選擇是重復(fù)雪崩設(shè)計(jì)，利用MOSFET的重復(fù)雪崩能力來(lái)泄放在其關(guān)
關(guān)鍵字： Nexperia AEC-Q101 MOSFET

簡(jiǎn)化汽車車身電機(jī)控制器設(shè)計(jì)，快速實(shí)現(xiàn)輕量化

無(wú)論是調(diào)整座椅至最佳位置還是能夠輕松打開(kāi)行李箱，車身電子設(shè)備系統(tǒng)都可使用電機(jī)來(lái)提高駕乘人員的舒適性和便利性。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）控制這些應(yīng)用的電動(dòng)裝置。但將MOSFET用作開(kāi)關(guān)給電子控制模塊設(shè)計(jì)（包括電磁干擾（EMI）和熱管理、電流感應(yīng)、斷電制動(dòng)以及診斷與保護(hù)）帶來(lái)了新的技術(shù)性挑戰(zhàn)。德州儀器開(kāi)發(fā)的集成電路（IC）電機(jī)驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品集成了模擬功能，可幫助電子控制模塊設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，同時(shí)減小解決方案尺寸并縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間。本文中，我們將討論可幫助應(yīng)對(duì)這些設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)、集成到電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路中
關(guān)鍵字： MOSFET

照明的光明未來(lái)

要有（電）燈！但誰(shuí)負(fù)責(zé)點(diǎn)亮呢？有許多人聲稱自己是電燈的發(fā)明者，在19世紀(jì)中葉的許多發(fā)展為世界變得更亮一點(diǎn)鋪平了道路。我們可能無(wú)法查明確切的“發(fā)現(xiàn)”！但我們知道的是，1879年，托馬斯·愛(ài)迪生（Thomas Edison）申請(qǐng)了第一個(gè)商業(yè)上成功的帶有碳化竹絲的電燈泡專利[[1]]。除了細(xì)絲材料的微小改進(jìn)，包括20世紀(jì)初期從碳到鎢的轉(zhuǎn)變，我們從那時(shí)起直到最近基本上一直在使用愛(ài)迪生的古老技術(shù)。白熾燈泡迅速普及，提供了低成本和高質(zhì)量的照明。但在過(guò)去的一二十年中，照明技術(shù)發(fā)生了根本性的變化，在大多數(shù)住宅和商業(yè)設(shè)施中
關(guān)鍵字： MOSFET

三安集成完成碳化硅MOSFET量產(chǎn)平臺(tái)打造，貫通碳化硅器件產(chǎn)品線

中國(guó)化合物半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈制造平臺(tái) -- 三安集成于日前宣布，已經(jīng)完成碳化硅MOSFET器件量產(chǎn)平臺(tái)的打造。首發(fā)1200V 80mΩ產(chǎn)品已完成研發(fā)并通過(guò)一系列產(chǎn)品性能和可靠性測(cè)試，其可廣泛適用于光伏逆變器、開(kāi)關(guān)電源、脈沖電源、高壓DC/DC、新能源充電和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域，有助于減小系統(tǒng)體積，降低系統(tǒng)功耗，提升電源系統(tǒng)功率密度。目前多家客戶處于樣品測(cè)試階段。三安集成碳化硅MOSFET, Sanan IC SiC MOSFET, Sanan IC Silicon Carbide MOSFET隨著中
關(guān)鍵字：三安集成碳化硅 MOSFET