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Vishay推出性能先進的新款40V MOSFET

電源與新能源 Vishay MOSFET |2024-12-04
意法半導體推出采用強化版STripFET F8技術的標準閾壓40V MOSFET

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看完這篇，4個步驟快速完成MOSFET選型

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英飛凌推出OptiMOS? Linear FET 2 MOSFET，賦能先進的熱插拔技術和電池保護功能

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強茂SGT MOSFET第一代系列：創(chuàng)新槽溝技術車規(guī)級60 V N通道突破車用電子的高效表現(xiàn)

汽車電子強茂 SGT MOSFET 車用電子 |2024-11-22
Vishay新款150V MOSFET具備業(yè)界領先的功率損耗性能

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意法半導體先進的電隔離柵極驅(qū)動器STGAP3S為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護功能

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元件/連接器 littlefuseli MOSFET |2024-09-20
高壓柵極驅(qū)動器的功率耗散和散熱分析，一文get√

模擬技術 MOSFET IGBT 柵極驅(qū)動器功率耗散 |2024-09-09

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技術 | SiC襯底和外延材料對MOSFET器件特性的影響

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詳解大功率電源中MOSFET功耗的計算

瀏覽：1089 | yingjian |2023-11-17
東芝推出用于工業(yè)設備的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低開關損耗的4引腳封裝

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英飛凌推出TO263-7封裝的新一代1200 V CoolSiC溝槽式MOSFET

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SiC MOSFET——降低功率損耗，邁向碳中和

瀏覽：8504 | 芝識課堂 |2023-04-27
東芝SiC MOSFET為您開啟電源新大門

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如何避免MOSFET常見問題和失效模式

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