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xperia 1 v
xperia 1 v 文章 進(jìn)入xperia 1 v技術(shù)社區(qū)
RISC-V技術(shù)成為中美技術(shù)戰(zhàn)爭(zhēng)新戰(zhàn)場(chǎng)
- 在中美科技戰(zhàn)的新戰(zhàn)線上,拜登政府正面臨一些立法者的施壓,要求限制美國(guó)公司開(kāi)發(fā)在中國(guó)廣泛使用的免費(fèi)芯片技術(shù),此舉可能會(huì)顛覆全球科技行業(yè)的跨境合作方式。?爭(zhēng)論的焦點(diǎn)是RISC-V,發(fā)音為“風(fēng)險(xiǎn)五”,這是一種開(kāi)源技術(shù),與英國(guó)半導(dǎo)體和軟件設(shè)計(jì)公司Arm Holdings(O9Ti.F)的昂貴專有技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)。RISC-V可以用作從智能手機(jī)芯片到人工智能高級(jí)處理器的任何產(chǎn)品的關(guān)鍵成分。?一些議員——包括兩位共和黨眾議院委員會(huì)主席、共和黨參議員馬爾科·盧比奧和民主黨參議員馬克·華納——以國(guó)家安全為由,
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中美科技戰(zhàn)新戰(zhàn)場(chǎng)!RISC-V開(kāi)源芯片技術(shù)成焦點(diǎn)
- 中美科技競(jìng)爭(zhēng)又有新動(dòng)向。美國(guó)政府正面臨國(guó)會(huì)壓力,要求限制美國(guó)企業(yè)投入RISC-V的開(kāi)源芯片技術(shù)發(fā)展,目前RISC-V的開(kāi)源性使得這項(xiàng)技術(shù)在中國(guó)大陸獲得廣泛的應(yīng)用以及發(fā)展,但如果禁止的話,可能對(duì)全球科技業(yè)的跨國(guó)合作造成沖擊。據(jù)《路透社》6日?qǐng)?bào)導(dǎo), 這一次的爭(zhēng)議焦點(diǎn)主要集中在RISC-V上,這是一種開(kāi)放原始碼架構(gòu),與英國(guó)的安謀國(guó)際科技公司(Arm Holdings)的競(jìng)爭(zhēng)激烈。RISC-V可應(yīng)用于智能手機(jī)芯片到先進(jìn)人工智能處理器等各種產(chǎn)品。一些國(guó)會(huì)議員以國(guó)家安全為由,敦促拜登政府針對(duì)RISC-V問(wèn)題采取行動(dòng),
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英特爾介紹酷睿 Ultra 第 1 代核顯:每瓦性能翻倍
- 9 月 20 日消息,在今天舉辦的英特爾 ON 技術(shù)創(chuàng)新峰會(huì)上,英特爾介紹了酷睿 Ultra 第 1 代(代號(hào):Meteor Lake)的核顯升級(jí)。據(jù)介紹,英特爾全新的核顯從 Xe LP 升級(jí)到 Xe LPG,相較于上一代的 Iris Xe 核顯每瓦性能翻倍。此外,新一代核顯有更高的頻率,同等電壓下的頻率直接可以沖擊到 2GHz 以上。新核顯還針對(duì) DX12U 進(jìn)行了優(yōu)化,支持倍幀功能,支持新特性“Out of Order Sampling”。此外,英特爾還推出了全新的 Xe 媒體引擎,支持最
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這家RISC-V快充協(xié)議芯片原廠宣布開(kāi)源!
- 隨著PD3.1協(xié)議的市場(chǎng)應(yīng)用越來(lái)越多,市場(chǎng)對(duì)PD3.1協(xié)議控制器也提出了更多的要求,如何更好地確保協(xié)議的穩(wěn)定性的同時(shí)增加更多系統(tǒng)級(jí)功能,這對(duì)傳統(tǒng)PD協(xié)議控制器提出了更大的挑戰(zhàn)。廣芯微電子宣布開(kāi)源基于RISC-V內(nèi)核的PD控制器,以支持客戶更好地部署快充系統(tǒng)和差異化功能。芯片框圖UM3506 SoC 芯片創(chuàng)新性地集成了基于 RISC-V ISA 的 32 位微處理器內(nèi)核作為通用的集中式 TCPM 管理器。優(yōu)化后的 RISC-V 內(nèi)核配合片上 FLASH 閃存/SRAM 存儲(chǔ)器、增強(qiáng)的外設(shè)和廣泛的系統(tǒng)資源,在
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蘋果與Arm達(dá)成長(zhǎng)期協(xié)議,加強(qiáng)合作的同時(shí)不忘布局RISC-V
- 9月6日,軟銀旗下芯片設(shè)計(jì)公司Arm提交給美國(guó)證券交易委員會(huì)(SEC)的首次公開(kāi)募股(IPO)文件顯示,蘋果已與Arm就芯片技術(shù)授權(quán)達(dá)成了一項(xiàng)“延續(xù)至2040年以后”的新合作協(xié)議。目前,Arm拒絕就其提交文件以外的內(nèi)容發(fā)表評(píng)論,蘋果也沒(méi)有立即回復(fù)置評(píng)請(qǐng)求。Arm IPO吸引各路巨頭Arm在科技行業(yè)扮演著不可或缺的角色,它將其芯片設(shè)計(jì)授權(quán)給包括蘋果在內(nèi)的500多家公司,已經(jīng)占據(jù)了智能手機(jī)芯片領(lǐng)域95%以上的市場(chǎng)份額,包括平板電腦等,實(shí)際上已經(jīng)完全控制了整個(gè)移動(dòng)芯片領(lǐng)域。從Apple Watch到iPhone
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Milk-V 推出 Meles SBC:配 2GHz 平頭哥 TH1520 四核 RISC-V 處理器
- IT之家 9 月 6 日消息,Milk-V 近日推出了名為 Meles 的單板計(jì)算機(jī)(SBC),其外觀接近于樹(shù)莓派 Model B。Meles 的大小和端口均和樹(shù)莓派 Model B 類似,只是并沒(méi)有使用基于 ARM 的處理器,而是使用基于 RISC-V 架構(gòu)的 2GHz 平頭哥曳影 T-Head TH1520 四核處理器。IT之家在此附上 Meles 單板計(jì)算機(jī)端口如下:1 個(gè) HDMI 2.0 端口1 個(gè)千兆端口4 個(gè) USB 3.0 主機(jī)端口1 個(gè) USB 2.0 Type-C 端口1 個(gè)
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RISC-V邁入高性能,量產(chǎn)落地是關(guān)鍵!
- 這是最好的一屆RISC-V中國(guó)峰會(huì),雖已落幕一周,但它流傳的故事依舊激昂人心,它引發(fā)的話題仍未褪色,它帶來(lái)的啟發(fā)依舊值得我們細(xì)細(xì)品味。 后摩爾時(shí)代,芯片制造工藝遭遇瓶頸,在產(chǎn)業(yè)從技術(shù)到商業(yè)不斷循環(huán)的“Tick-Tock”式迭代規(guī)律下,RISC-V開(kāi)源指令集橫空出世,開(kāi)辟了芯片商業(yè)模式更迭的嶄新篇章。如今,萬(wàn)物互聯(lián)已成必然,計(jì)算場(chǎng)景復(fù)雜多變,RISC-V設(shè)計(jì)的初衷便是覆蓋各種計(jì)算場(chǎng)景,這與時(shí)代需求完美契合。無(wú)論從商業(yè)還是技術(shù)角度, RISC-V進(jìn)入高性能應(yīng)用場(chǎng)景已成必然。 在2
- 關(guān)鍵字: RISC-V 賽昉科技
Vishay推出具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET
- 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新型第四代650?V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E,提高通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用能效和功率密度。Vishay Siliconix n溝道 SiHP054N65E導(dǎo)通電阻比前代器件降低48.2%,同時(shí)導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積下降59%,該參數(shù)是650?V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的重要優(yōu)值系數(shù)(FOM)。Vishay豐富的MOSFET技術(shù)全面支持功率轉(zhuǎn)換過(guò)程,涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各
- 關(guān)鍵字: Vishay 650 V 功率MOSFET
RISC-V工委會(huì)正式成立
- 據(jù)賽昉科技官微消息,8月31日,中國(guó)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì)RISC-V工作委員會(huì)正式成立。RISC-V工委會(huì)是從事RISC-V 產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域相關(guān)單位及組織等自愿組成的全國(guó)性、行業(yè)性、非營(yíng)利性社會(huì)團(tuán)體,是中國(guó)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì)(簡(jiǎn)稱“中電標(biāo)協(xié)”)所屬分支機(jī)構(gòu)。消息顯示,RISC-V 工委會(huì)的宗旨為發(fā)揮在產(chǎn)業(yè)組織、行業(yè)自律方面的作用,為RISC-V 產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)研制、標(biāo)準(zhǔn)符合性評(píng)估、知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)、人才培養(yǎng)、產(chǎn)業(yè)研究等方面支撐服務(wù),引導(dǎo)國(guó)內(nèi)RISC-V 產(chǎn)業(yè)從無(wú)序競(jìng)爭(zhēng)走向協(xié)同創(chuàng)新,形成產(chǎn)業(yè)合力,實(shí)
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國(guó)家支持,RISC-V 工委會(huì)正式成立
- IT之家 8 月 31 日消息,據(jù)賽昉科技消息,8 月 31 日,中國(guó)北京 —— 中國(guó)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì) RISC-V 工作委員會(huì)正式成立,賽昉科技當(dāng)選副會(huì)長(zhǎng)單位。中國(guó)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì) RISC-V 工作委員會(huì),簡(jiǎn)稱:RISC-V 工委會(huì),英文名稱為 RISC-V Ecosystem & Industry of China Electronics Standardization Association,縮寫:RVEI,是從事 RISC-V 產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域相關(guān)單位及組織等自愿
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3D NAND還是卷到了300層
- 近日,三星電子宣布計(jì)劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存,據(jù)爆料,這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu),并超過(guò) 300 層。同樣在 8 月,SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存,并計(jì)劃于 2025 年上半期開(kāi)始量產(chǎn)。早在 5 月份,據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報(bào)道,西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過(guò) 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭(zhēng)霸賽」眾所周知,固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快,但售價(jià)和容量還
- 關(guān)鍵字: V-NAND 閃存 3D NAND
貿(mào)澤開(kāi)售適合LTE IoT 應(yīng)用的Digi XBee 3全球GNSS LTE CAT 1開(kāi)發(fā)套件
- 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起供貨Digi XBee? 3全球GNSS LTE CAT 1開(kāi)發(fā)套件。該套件預(yù)裝了三個(gè)月的蜂窩數(shù)據(jù)服務(wù),已提前激活并可隨時(shí)使用。利用Digi XBee? 3全球LTE Cat 1嵌入式調(diào)制解調(diào)器,設(shè)計(jì)師可以省去耗時(shí)、昂貴的FCC和運(yùn)營(yíng)商終端設(shè)備認(rèn)證過(guò)程,將先進(jìn)的LTE蜂窩連接快速集成到其設(shè)備和應(yīng)用中。通過(guò)貿(mào)澤供應(yīng)的Digi XBee 3全球GNSS LTE CAT 1開(kāi)發(fā)套件,用戶
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RISC-V的下一個(gè)爆發(fā)點(diǎn)在哪里?
- 開(kāi)源的 RISC-V 已成為中國(guó)業(yè)界最受歡迎的芯片架構(gòu)。
- 關(guān)鍵字: RISC-V
如何有效使用RISC-V的跟蹤技術(shù)
- 在嵌入式軟件開(kāi)發(fā)中,利用完整的應(yīng)用跟蹤,可為開(kāi)發(fā)人員分析其產(chǎn)品行為提供無(wú)限的可能性。通過(guò)對(duì)應(yīng)用程序的全面了解,他們可以跟蹤每一條指令,看看他們的應(yīng)用程序是否按照預(yù)期運(yùn)行,或者是否出現(xiàn)錯(cuò)誤或漏洞。那么,如何才能最大化地利用現(xiàn)有可用的RISC-V跟蹤呢?什么是跟蹤?與傳統(tǒng)的通過(guò)設(shè)置斷點(diǎn)、printf等進(jìn)行調(diào)試相比,跟蹤更像是在不打擾的情況下觀察你的應(yīng)用程序?;旧?,開(kāi)發(fā)人員可以在不干擾程序的情況下觀察整個(gè)程序的工作情況。跟蹤包括完整的指令執(zhí)行流程(不需要printf也不需要UART),一旦跟蹤數(shù)據(jù)被捕獲,你可
- 關(guān)鍵字: IAR RISC-V 跟蹤技術(shù)
芯片大廠扎堆「偷師」中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展良方
- 近一年來(lái),國(guó)際半導(dǎo)體大廠「抱團(tuán)取暖」的現(xiàn)象頻頻出現(xiàn),而這在過(guò)去多年內(nèi)是很少見(jiàn)的。由于全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)大都聚集在美國(guó),歐洲,日本,以及中國(guó)臺(tái)灣地區(qū),因此,這一波大廠抱團(tuán)依然逃不出這幾個(gè)地區(qū),有 3 個(gè)最具代表性。按時(shí)間順序,首先抱團(tuán)形成的是 Rapidus,它是由日本政府領(lǐng)銜,聯(lián)合豐田汽車、索尼、NEC、鎧俠、軟銀等 8 家日本企業(yè),于 2022 年 8 月合作成立的,被視為日本重返半導(dǎo)體先進(jìn)制程市場(chǎng)的重要投資案。Rapidus 與 IBM 深度合作,獲得了后者 2nm 制程技術(shù)授權(quán),預(yù)計(jì)將投入 5 兆
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xperia 1 v介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條xperia 1 v!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)xperia 1 v的理解,并與今后在此搜索xperia 1 v的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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