xperia 1 v 文章 進入xperia 1 v技術(shù)社區(qū)
入局SSD主控芯片,平頭哥RISC-V鎮(zhèn)岳510賦能云計算
- 存儲是電子系統(tǒng)必不可少的功能單元,特別是伴隨著數(shù)據(jù)價值的不斷提升,高性能大容量存儲的價值逐漸與計算能力并駕齊驅(qū)。特別是隨著數(shù)據(jù)安全變得越來越重要,存儲單元的數(shù)據(jù)安全成為眾多云服務(wù)廠商無法回避的話題,存儲單元的主控芯片就是提升存儲安全性最關(guān)鍵的半導體器件。 在半導體細分領(lǐng)域中,存儲單元主控芯片是國產(chǎn)化率相比比較高的產(chǎn)品類別,從USB Flash存儲到傳統(tǒng)的磁盤主控,甚至最新的SSD主控,國內(nèi)廠商逐漸成為市場應(yīng)用的主流,并且成功迫使曾經(jīng)的存儲主控芯片巨頭Marvel從中國市場倉皇而逃。隨著大規(guī)模云計算和人工智
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機電1-Wire接觸封裝解決方案及其安裝方法
- 本文介紹已獲專利的適用于機電接觸應(yīng)用的1-Wire?接觸封裝解決方案,并對比傳統(tǒng)的封裝解決方案以展示1-Wire接觸封裝解決方案的優(yōu)越性。本文還就如何將該解決方案安裝到配件或耗材提供了建議,并作了機械規(guī)格和可靠性分析。
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2023年慕尼黑華南電子展:EEPW&北京中科昊芯科技有限公司
- 北京中科吳芯是一家基于RISC-V指令集架構(gòu),對標國外芯片的數(shù)字信號處理器專業(yè)供應(yīng)商。作為中國科學院科技成果轉(zhuǎn)化企業(yè),成立于2019年,經(jīng)歷4年多的時間已經(jīng)擁有10個系列,30多款芯片產(chǎn)品。產(chǎn)品具有廣闊的市場前景,可廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制及電機驅(qū)動、數(shù)字電源、光伏、儲能、新能源汽車、消費電子、白色家電等領(lǐng)域。中科昊芯副總經(jīng)理兼創(chuàng)始人表示:“慕尼黑電子展對于中科昊芯來說是比較重要的展會,這次也是帶來了兩款重磅產(chǎn)品——HXS320F280039C和HXS320F28379D?!盧ISC-V指令集架構(gòu)作為一種開源指
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Codasip 700系列正式問世,賦能定制計算!
- 如今,利用新的方法來創(chuàng)造差異化的產(chǎn)品是當今技術(shù)創(chuàng)新者們所追求的目標。當半導體擴展規(guī)律已經(jīng)顯示出極限時,我們該如何滿足對更高計算性能的需求?辦法只有一個:為特定需求定制計算。具體來說滿足定制計算需要具備架構(gòu)優(yōu)化、應(yīng)用剖析、硬件/軟件協(xié)同優(yōu)化,以及建立在強大設(shè)計基礎(chǔ)上的領(lǐng)域?qū)S眉铀俚纫亍_@些要素加上盡可能簡潔的設(shè)計流程以提高效率,并縮短上市時間,同時可以讓客戶掌握自主權(quán)并保持靈活性。用于定制計算的下一代RISC-V處理器 - Codasip全新700系列Codasip的全新700系列是一個可配置且可定制的R
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臺積電高雄廠已完成2nm營運團隊建設(shè),未來或切入1.4nm
- 據(jù)中國臺灣經(jīng)濟日報報道,臺積電高雄廠正式編定為臺積22廠(Fab 22),并且完成該廠2nm營運團隊建設(shè)。臺積電供應(yīng)鏈認為,臺積電或許可能將高達逾7000億新臺幣的1.4nm投資計劃轉(zhuǎn)向高雄,但仍視其他縣市爭取臺積電進駐態(tài)度及臺積電全盤規(guī)劃而定。報道指出,臺積電打破在不同產(chǎn)區(qū)同時生產(chǎn)最先進制程的慣例,將高雄廠原計劃切入28納米及7納米的規(guī)劃,改為直接切入2納米。同時在新竹寶山興建2納米第一期工廠之際,也立刻于高雄第一期工廠作為生產(chǎn)2納米制程。此前據(jù)TechNews消息,臺積電在北部(新竹寶山)、中部(臺中
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RISC-V 領(lǐng)軍企業(yè) SiFive 大裁員:20% 員工被裁,大部分是工程師
- IT之家 10 月 25 日消息,RISC-V 生態(tài)系統(tǒng)中的關(guān)鍵公司之一 SiFive,正在經(jīng)歷一場重大的重組,這場重組主要是大規(guī)模裁員和業(yè)務(wù)重心轉(zhuǎn)移,這一舉動給 SiFive 的未來以及其對 RISC-V 的貢獻帶來了不確定性。IT之家注意到,RISC-V 已經(jīng)成為制造微型低成本核心的熱門選擇,但也有一些公司研發(fā)高性能的基于 RISC-V 的產(chǎn)品,SiFive 就是這樣一家公司,該公司提供現(xiàn)成的設(shè)計,也根據(jù)客戶的需求制作定制核心。但今天 SiFive 發(fā)布聲明稱,正在裁減約 20% 的員工(約
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芯科科技為新發(fā)布的Matter 1.2版本提供全面開發(fā)支持
- Silicon Labs(亦稱“芯科科技”)接續(xù)著連接標準聯(lián)盟(CSA,Connectivity Standards Alliance)宣布其全面支持最新發(fā)布的Matter 1.2標準。Matter 1.2版本是該協(xié)議自2022年秋季發(fā)布以來的第二次更新?;谝荒赀M行兩次更新的步調(diào),可以幫助開發(fā)者引入新的設(shè)備類型,將Matter擴展到新的市場,同時可帶來互操作性和用戶體驗提升方面的其他改進。Matter協(xié)議旨在利用Wi-Fi和Thread等現(xiàn)有的IP網(wǎng)絡(luò)技術(shù)來實現(xiàn)智能家居設(shè)備的互聯(lián)互通,以建立一種新的開放
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使用半大馬士革工藝流程研究后段器件集成的工藝
- ●? ?介紹隨著技術(shù)推進到1.5nm及更先進節(jié)點,后段器件集成將會遇到新的難題,比如需要降低金屬間距和支持新的工藝流程。為了強化電阻電容性能、減小邊緣定位誤差,并實現(xiàn)具有挑戰(zhàn)性的制造工藝,需要進行工藝調(diào)整。為應(yīng)對這些挑戰(zhàn),我們嘗試在1.5nm節(jié)點后段自對準圖形化中使用半大馬士革方法。我們在imec生產(chǎn)了一組新的后段器件集成掩膜版,以對單大馬士革和雙大馬士革進行電性評估。新掩膜版的金屬間距分別為14nm、16nm、18nm、20nm和22nm,前兩類是1.5nm節(jié)點后段的最小目標金屬間距
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傳三星計劃2024年將量產(chǎn)第九代V-NAND閃存
- 近日,據(jù)媒體報道,三星電子存儲業(yè)務(wù)主管李政培稱,三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的產(chǎn)品,希望明年初可以實現(xiàn)量產(chǎn)。三星正在通過增加堆疊層數(shù)、同時降低高度來實現(xiàn)半導體行業(yè)最小的單元尺寸。目前,存儲產(chǎn)業(yè)處于緩速復蘇階段,大廠們正在追求存儲先進技術(shù)的研發(fā)。從當前進度來看,NAND Flash的堆疊競賽已經(jīng)突破200層大關(guān):SK海力士已至321層,美光232層,三星則計劃2024年推出第九代3D NAND(有望達到280層)。據(jù)悉,三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達到430層)
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蘋果承認部分 iPhone 15 機型存在燒屏問題,iOS 17.1 將修復
- 10 月 18 日消息,蘋果公司今天發(fā)布了 iOS 17.1 RC 版本更新,特別針對蘋果 iPhone 15、iPhone 15 Pro 系列機型,修復了“可能導致圖像殘留”的問題。蘋果自推出 iPhone 15 手機以來,陸續(xù)有用戶反饋稱新款機型出現(xiàn)嚴重燒屏問題。有人猜測這可能是 OLED 顯示屏的硬件問題,現(xiàn)在蘋果通過軟件方式修復了燒屏問題。雖然大多數(shù)顯示問題的報告來自“iPhone 15”用戶,但也有一些使用 iPhone 13 Pro 和 iPhone 12 Pro 設(shè)備的用戶看到了類似的問題,
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兆易創(chuàng)新推出GD32VW553系列Wi-Fi 6 MCU
- 業(yè)界領(lǐng)先的半導體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice (股票代碼 603986) 今日宣布,正式推出基于RISC-V內(nèi)核的GD32VW553系列雙模無線微控制器。GD32VW553系列MCU支持Wi-Fi 6及Bluetooth LE 5.2無線連接,以先進的射頻集成、強化的安全機制、大容量存儲資源以及豐富的通用接口,結(jié)合成熟的工藝平臺及優(yōu)化的成本控制,為需要高效無線傳輸?shù)氖袌鰬?yīng)用持續(xù)提供解決方案。全新產(chǎn)品組合提供了8個型號、QFN40/QFN32兩種小型封裝選項,現(xiàn)已開放樣片和開發(fā)板卡申請,并將于12
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大聯(lián)大友尚集團推出基于onsemi產(chǎn)品的PD3.1電源適配器方案
- 致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股近日宣布,其旗下友尚推出基于安森美(onsemi)NCP1680、NCP13994、NCP4306和FAN65004芯片的PD3.1電源適配器方案。圖示1-大聯(lián)大友尚基于onsemi產(chǎn)品的PD3.1電源適配器方案的展示板圖隨著USB PD3.1協(xié)議的頒布,快充技術(shù)也迎來了新的時代。相比于之前主流的PD3.0標準,PD3.1標準不僅新增28V、36V、48V三種拓展輸出電壓,還將最大輸出功率由100W提升至240W,這突破了現(xiàn)有的大功率使用場景,
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SiFive宣布推出針對生成式AI/ML應(yīng)用的差異化解決方案,引領(lǐng)RISC-V進入高性能創(chuàng)新時代
- RISC-V 運算的先驅(qū)和領(lǐng)導廠商SiFive, Inc.近日宣布推出兩款新產(chǎn)品,旨在滿足高性能運算的最新需求。SiFive Performance? P870 和 SiFive Intelligence? X390 提供最新水準的低功耗、運算密度和矢量運算能力,三者結(jié)合起來將為日益增長的資料密集型運算提供必要的性能提升。這些新產(chǎn)品共同創(chuàng)建了標量和矢量運算的強大組合,可滿足現(xiàn)今數(shù)據(jù)流和運算密集型人工智能應(yīng)用于消費性、車用和基礎(chǔ)設(shè)施市場的需求。在圣克拉拉舉行的現(xiàn)場新聞和分析師活動上,SiFive 同時也宣布
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中國移動發(fā)布業(yè)界首款基于 RISC-V 架構(gòu)的 Cat.1 通信模組 ML305M
- IT之家 10 月 12 日消息,近日,業(yè)界首款基于 RISC-V 架構(gòu)的 Cat.1 模組 ML305M 在 2023 中國移動全球合作伙伴大會上首次亮相。據(jù)介紹,ML305M 基于中移芯昇科技 CM8610 開發(fā)。CM8610 是國內(nèi)首顆基于 64 位 RISC-V 內(nèi)核的 LTE Cat.1bis 通信芯片,采用 22nm 工藝,具有高集成度以及外圍極簡 BOM 設(shè)計,edrx 待機電流達到 0.74mA,最小接收靈敏度達到-101dBm,并支持 VoLTE。中移物聯(lián) OneMO 表示,M
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xperia 1 v介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對xperia 1 v的理解,并與今后在此搜索xperia 1 v的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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