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半導(dǎo)體瘋狂擴(kuò)產(chǎn)面臨隱憂!存儲器漲勢反轉(zhuǎn),或迎價格暴跌

發(fā)布人:芯東西 時間:2021-10-18 來源:工程師 發(fā)布文章
誰主導(dǎo)存儲器市場的急速擴(kuò)張?

編譯 |  ZeR0
編輯 |  漠影
編者注:本文作者湯之上隆先生為日本精密加工研究所所長,曾長期在日本制造業(yè)的生產(chǎn)第一線從事半導(dǎo)體研發(fā)工作,2000年獲得京都大學(xué)工學(xué)博士學(xué)位,之后一直從事和半導(dǎo)體行業(yè)有關(guān)的教學(xué)、研究、顧問及新聞工作者等工作,曾撰寫《日本“半導(dǎo)體”的失敗》、《“電機(jī)、半導(dǎo)體”潰敗的教訓(xùn)》、《失去的制造業(yè):日本制造業(yè)的敗北》等著作。本文是湯之上隆先生近日發(fā)表于eetimes.jp上的一篇長文,系統(tǒng)分析了在不穩(wěn)定的供應(yīng)鏈背景下,世界各地掀起的半導(dǎo)體投資熱潮可能將伴隨著潛在危機(jī),以及DRAM和NAND出貨額、出貨量及價格變化如何影響存儲器市場的發(fā)展走向。芯東西對此進(jìn)行精編,全文要點如下:過去一年,臺積電、三星、臺積電等全球芯片制造龍頭接連宣布巨額投資計劃。臺積電計劃未來三年投資1000億美元(折合6436億人民幣),三星電子未來三年計劃投資240萬億韓元(折合1.3萬億人民幣),不過半導(dǎo)體業(yè)務(wù)具體占比未知。英特爾宣布未來10年將在歐洲投資800億歐元(折合5979億人民幣)。各國也提供補(bǔ)貼來支持這些公司的資本投資。比如美國擬撥款520億美元加強(qiáng)其本土半導(dǎo)體制造能力,歐盟17國簽署萬億半導(dǎo)體計劃,韓國建立“K-半導(dǎo)體戰(zhàn)略”概念提供稅收優(yōu)惠等激勵。據(jù)日經(jīng)新聞今年8月28日報道,2021年10家主要半導(dǎo)體廠商的資本投資總額將超過6800億人民幣。SEMI的一項調(diào)查顯示,從2021年到2022年,已確認(rèn)的半導(dǎo)體工廠開工數(shù)量將達(dá)到29家。在湯之上隆看來,這種反常的資本投入和工廠林立的現(xiàn)象,就像是被“花衣魔笛手”操縱的老鼠,一步步走向懸崖,懸崖底部等待著的是半導(dǎo)體價格暴跌,以及接下來的半導(dǎo)體大蕭條。


半導(dǎo)體產(chǎn)量大幅增長,誰引領(lǐng)了存儲市場的快速擴(kuò)張?


各大半導(dǎo)體廠商已投資逾6800億人民幣,29家工廠的建設(shè)已經(jīng)開始,但這些工廠的半導(dǎo)體量產(chǎn)似乎最早要到2022年下半年,正常情況下要到2023年才能完成。然而,有跡象表明,全球半導(dǎo)體產(chǎn)量已經(jīng)開始大幅增加。如下圖所示,全球半導(dǎo)體季度出貨額和出貨量在2018年Q3內(nèi)存泡沫破滅時,分別達(dá)到2658億美元和1249億個的峰值


之后因存儲器市場不景氣,出貨額和出貨量有所下滑,但在2020年Q2之后大幅回升。隨后,2021年Q2出貨額達(dá)2894億美元,出貨量1336億個,創(chuàng)季度歷史新高。這種勢頭在未來很可能會持續(xù)下去。接下來,讓我們看看半導(dǎo)體類型劃分的季度出貨量。2021年Q2,邏輯半導(dǎo)體為363億美元,包括處理器和微控制器在內(nèi)的Mos Micro為189億美元,模擬半導(dǎo)體為178億美元,均創(chuàng)下季度新高。


另一方面,包括DRAM和NAND閃存在內(nèi)的半導(dǎo)體存儲(Mos Memory)的出貨額并未超過2018年Q3的峰值(441億美元)。但從2020年Q4到2021年Q2出貨量的急劇上漲,不免令人心生恐懼,因為這個斜率與2016-2018年Q3的內(nèi)存泡沫相當(dāng)。話雖如此,存儲器出貨額不會無限增長,預(yù)計會在某個時刻供過于求,達(dá)到峰值,隨后等待著他們的,則可能是存儲器價格暴跌和隨后的市場不景氣。那么,主導(dǎo)存儲市場快速擴(kuò)張的主角是DRAM、NAND,還是兩者兼而有之?本文嘗試進(jìn)行這種分析。

DRAM出貨量急劇上漲今年Q2達(dá)歷史新高


下圖顯示了DRAM季度出貨額和出貨量的變化。


湯之上隆判斷存儲器市場的急劇增長由DRAM引起。這是因為,從2020年Q4到2021年Q2,DRAM的出貨量開始呈現(xiàn)近乎垂直的趨勢。這與下圖中的存儲器出貨量非常相似。


那么DRAM出貨量為何會飆升呢?從2010年到2018年前后,DRAM出貨量一直保持在40億個左右,但從2019年Q3左右開始大幅增加,2021年Q2達(dá)到55.3億個的歷史新高。湯之上隆認(rèn)為,造成這種情況的原因如下:2012年以來,DRAM廠商實際上集中在三星、SK海力士和美光科技三家公司,并通過暗中達(dá)成一致意見進(jìn)行生產(chǎn)調(diào)整,保持出貨量在一定水平。不過,隨著DRAM主戰(zhàn)場從2019年下半年開始從移動端轉(zhuǎn)移到服務(wù)器端,上述三大廠商放棄了暗中串通,重新展開競爭。結(jié)果,三家公司都增加了出貨量,導(dǎo)致世界范圍內(nèi)DRAM出貨量急劇上漲。除了這三大DRAM廠商的競爭之外,新冠肺炎疫情的影響也應(yīng)涉及其中。NAND出貨量變化相對平穩(wěn)不是存儲市場快速擴(kuò)張主因


我們再來看看NAND季度出貨額和出貨量變化。自2000年以來,NAND出貨量幾乎呈線性增長,但這一增長到2016年后停止了。湯之上隆認(rèn)為,這是由于NAND從2D到3D的轉(zhuǎn)變。在2D上,存儲單元已經(jīng)小型化,芯片尺寸也已經(jīng)變得更小。因此,芯片進(jìn)一步微縮后,1片晶圓上能獲得的NAND數(shù)量也隨之增加


但從2016年開始,NAND實現(xiàn)3D化。為了增加存儲容量,3D NAND采用了存儲單元垂直堆疊的方式,因而芯片尺寸基本不變。故湯之上隆認(rèn)為自2016年NAND走向3D化,其出貨量已趨于平穩(wěn)。NAND出貨量在存儲泡沫的2018年Q3達(dá)到約30億個,但隨后在2019年Q1下降至22億個,又在2019年Q4恢復(fù)到30億個。然后受新冠肺炎疫情影響,它在2020年Q2減少到約26億個,之后開始穩(wěn)步回升,在2021年Q2創(chuàng)下約33億個的歷史新高。也就是說,在疫情爆發(fā)前后,DRAM出貨量從大約40億個上升到55億個以上,而NAND出貨量僅從30億個上升到33億個。因此,可以說存儲器市場迅速崛起的主要源頭是DRAM,而不是NAND。DRAM現(xiàn)貨價變化如何影響存儲器市場?


從當(dāng)前分析來看,DRAM出貨量的增加與2020年Q4-2021年Q2存儲器市場的急劇擴(kuò)張有關(guān)。那么,這與DRAM價格的有多大關(guān)系呢?下面,我們來對DRAM的現(xiàn)貨價和合約價進(jìn)行分析。首先,下圖顯示了2020年12月31日至2021年9月17日期間各種DRAM的現(xiàn)貨價格。這里DDR是Double Data Rate的縮寫,表示DRAM規(guī)格,DDR3的傳輸速率是DDR2的2倍,DDR4的傳輸速率是DDR3的2倍。


從上圖可以看出,DDR4 DRAM比DDR3更貴,同一DRAM規(guī)格時,集成度高的價格更高。接下來,將2020年12月31日的DRAM價格標(biāo)準(zhǔn)化為“1”,觀察各種DRAM價格的變化。到2021年3~4月,兩種DDR3_2Gb DRAM價格上漲了2.4-2.5倍以上。其次價格上漲的兩款DDR3_4G,漲幅在1.9~2倍以上,兩款DDR4_4G緊隨其后,漲幅在1.8~1.9倍。


另一方面,集成度最高的16G在3月份左右上漲了1.2倍左右,其次的兩種DDR4_8G價格上漲了約1.4~1.5倍。簡而言之,在DRAM現(xiàn)貨價格中,傳輸速率低、集成度不高的傳統(tǒng)DRAM價格一路高漲。從DRAM合約價的變化也可以看出這個趨勢。傳統(tǒng)DRAM現(xiàn)貨價和合約價都在上漲


下圖顯示了2020年9月至2021年8月各種DRAM的合約價變化。與現(xiàn)貨價格類似,其價格按DDR2、DDR3、DDR4的順序上漲,如果DDR相同,集成度越高,價格越高。


接下來,我們將2020年12月的合約價標(biāo)準(zhǔn)化為“1”,并查看了各種DRAM價格的變化,結(jié)果顯示價格從高到低依次是DDR3_2G、DDR2_512M、DDR2_1G、DDR3_1G,價格從高到低。另一方面,兩款DRAM集成度最高的DDR4_8G的漲價幅度最低。


換句話說,無論是現(xiàn)貨價還是合約價,傳統(tǒng)DRAM價格都在上漲,而集成度高的DRAM價格并沒有上漲那么多。為什么會發(fā)生這樣的事情呢?新冠肺炎疫情催化傳統(tǒng)DRAM價格飆漲


也許價格大幅上漲的傳統(tǒng)DRAM主要應(yīng)用于家用電器產(chǎn)品等領(lǐng)域。新冠肺炎疫情迫使人們呆在家里。結(jié)果,為了在家里更舒適地生活,人們就在網(wǎng)購家電產(chǎn)品,這些家電產(chǎn)品不需要高傳輸速率、高集成度的DRAM,因此,市場上很少出現(xiàn)的傳統(tǒng)DRAM價格飆漲。


這個推論可以從下面的事件中得到證實。首先,我們再來看看上面這張圖,一直上漲的傳統(tǒng)DRAM現(xiàn)貨價格從7月左右開始下跌。此時全球都在推進(jìn)新冠肺炎疫苗接種,封鎖也被逐漸解除。因此,對新冠肺炎疫情的需求可能曾經(jīng)收斂。不過傳統(tǒng)DRAM的合約價還在上漲,這一推論是否正確還有待驗證。下圖顯示了集成度不同的每月DRAM出貨量。DRAM每隔3-4年就會被集成度最高的產(chǎn)品所取代。目前主流的DRAM是4G以上的8G或16G。由于現(xiàn)貨價和合約價漲幅較大的2G在2013年見頂,1G在2010年達(dá)到峰值,512M在2008年左右達(dá)到峰值,因此,市場上DRAM的絕對數(shù)量很少。稀有的DRAM因突發(fā)的新冠肺炎疫情而變得必要,所以價格上漲超2倍。


DRAM出貨額上漲背后,兩大因素雙重作用


再回到下圖中從2020年Q4到2021年Q1 DRAM出貨額的快速增長。其快速增長的第一個原因是DRAM出貨量的增加。


那么DRAM價格上漲的影響有多大?從下圖中按集成度劃分的DRAM出貨量可以看出,目前生產(chǎn)的DRAM大部分是4G、8G和16G。


由下圖可見,高集成度DRAM(例如8G)的合約價上漲了1.44倍


我們來算一下為什么DRAM出貨量從2020年Q4到2021年Q2會快速增長。


  • DRAM出貨額從149.86億美元增至235.3億美元(1.57倍)

  • DRAM出貨量從48.88億個增加到55.29億個(1.13倍)

  • 主流的DDR4_8G合約價從2.85美元漲至4.1美元(1.44倍)

  • (出貨量系數(shù) 1.13)x(漲價系數(shù) 1.44)= 1.62

如上所述,DRAM出貨量增長幅度(1.57倍)與出貨量增長1.13倍、主流DRAM價格增長1.44倍的乘積值(1.62倍)大致相當(dāng)。因此,可以說這張圖中DRAM出貨額的增加是由出貨量和價格上漲兩方面因素共同造成的。一開始湯之上隆以為出貨量的增加會帶來更大影響,但后來發(fā)現(xiàn)價格上漲反而會帶來更大的影響。


NAND現(xiàn)貨價****難解


湯之上隆也對NAND進(jìn)行了現(xiàn)貨價和合約價的分析。首先,下圖展示了2020年12月31日~2021年9月17日期間各種NAND的現(xiàn)貨價****。


SLC是Single Level Cell, MLC是Multi Level Cell, TLC是Triple Level Cell,分別是可以在一個存儲器單元中寫入1位、2位、3位的NAND。另外3D TLC是3D NAND的意思,沒有3D的NAND都是2D NAND。繼續(xù)看上面這張圖,可以看到3D TLC 1T(1TB)是最高的,SLC 1G和SLC 2G是最便宜的,除此之外沒有規(guī)律。因此,與DRAM的情況相同,湯之上隆觀察了2020年12月31日將價格標(biāo)準(zhǔn)化為“1”時各種NAND的價格變化。要解釋下面這張圖相當(dāng)困難。首先,從整體上來說,沒有哪一種NAND的價格像DRAM的現(xiàn)貨價一樣上漲2倍。價格最高的SLC_2G也只有1.2~1.27倍。


此外,MLC_128G和MLC_256G的價格幾乎呈線性增長。SLC_16G價格從8月下旬開始突然猛漲。另一方面,SLC_8G自4月中旬以后,價格下降到“1”以下,持續(xù)下降到0.93。那么,為何上述NAND會有這樣的表現(xiàn)呢?這很難明確回答,比如SLC_2G和SLC_1G的價格相對較高。由于SLC的集成度不高,可以考慮汽車等要求高可靠性但不關(guān)注集成度的應(yīng)用(雖然沒有太多證據(jù))NAND的現(xiàn)貨價和合約價未大幅上漲


接下來,我們來看一下2020年12月~2021年8月期間各種NAND合約價的變化。價格最高的是SLC_32G,其次是SLC_16G,MLC_128G為第三。由此可見,NAND并不是集成度越高,價格越高。


如果集成度相同,均為32G,MLC價格約為3美元,而SLC達(dá)到4倍以上,為12.55美元。換言之,對于汽車和高性能計算機(jī)等可靠性要求嚴(yán)格的產(chǎn)品,可使用SLC而非MLC。NAND廠商在開發(fā)TLC之后又開發(fā)了Quad Level Cell(4位單元)和Penta Level Cell(5位單元),但這些多位單元似乎不能用于所有終端產(chǎn)品。湯之上隆們將2020年12月合約價標(biāo)準(zhǔn)化為“1”,觀察各種NAND價格的變化。結(jié)果顯示,所有NAND在2021年3月~4月期間價格上漲了1.06~1.1倍,6月~7月再漲了1.5~1.18倍。


到2021年8月,MLC_32G、MLC_128G和 MLC_64G是價格漲幅最大的,然后是SLC_1G。誠然,SLC_1G屬于現(xiàn)貨價格漲幅較大的一類,但SLC_2G在8月中旬之前現(xiàn)貨價漲幅最大,是合約價漲幅最小的類型。綜上所述,無論是NAND的現(xiàn)貨價還是合約價,都沒有像DRAM那樣大幅上漲。此外,存儲單元的大小、集成度與NAND價格之間的相關(guān)關(guān)系很難找到。順便一提,目前生產(chǎn)的NAND中,集成度超過512G的NAND逐漸取代256G成為主流。


結(jié)語:存儲器市場的急速擴(kuò)張將持續(xù)到何時?


從各季度半導(dǎo)體出貨量來看,2020年Q4至2021年Q2,存儲器市場迅速擴(kuò)張。其主要原因在于DRAM而非NAND。在DRAM方面,出貨量創(chuàng)下季度歷史新高,超過55億個。同時,由于主力產(chǎn)品8G合約價上漲1.44倍,DRAM出貨金額也增加了1.57倍,達(dá)到235.3億美元。另外,傳統(tǒng)DRAM的現(xiàn)貨價和合約價都上漲2倍以上。經(jīng)分析,傳統(tǒng)DRAM的絕對數(shù)量較少,且因新冠肺炎疫情盤踞,各種家電需求擴(kuò)大,導(dǎo)致價格上漲。DRAM市場以及存儲器市場的迅速擴(kuò)張將持續(xù)到何時?這可能取決于MPU。2016年英特爾10nm工藝“難產(chǎn)”,后來它又為14nm“續(xù)命”,為了提高M(jìn)PU的性能,增加內(nèi)核數(shù)量,因此增加了芯片面積,因而從1片晶圓可獲取的芯片數(shù)量減少了。


受此影響,2016年Q3全球MPU出貨量為1.36億個,到2019年Q1降至8800萬個,減少了4800萬個。由于全球MPU短缺,面向PC和服務(wù)器生產(chǎn)的DRAM和NAND充斥市場,致使價格暴跌,引發(fā)半導(dǎo)體大蕭條。MPU在2021年Q2的出貨量為1.2億個,雖然離2016年Q3的高峰期還有些不足,但出貨量正在穩(wěn)步增長?;蛟S英特爾已確定量產(chǎn)10nm的目標(biāo),也有可能為AMD代工的臺積電MPU產(chǎn)量提高。無論如何,在MPU出貨量增加的當(dāng)下,存儲器價格不太可能暴跌。但到2024年左右,當(dāng)英特爾在美國亞利桑那州開設(shè)的新半導(dǎo)體工廠量產(chǎn)時,MPU可能會供過于求。湯之上隆希望各半導(dǎo)體制造商正確地進(jìn)行市場營銷,冷靜地、有計劃地生產(chǎn)半導(dǎo)體,不要進(jìn)行毫無意義的競爭。


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