非易失性存儲，輝煌70年！
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令人驚訝的是，某些技術(shù)在商業(yè)化后起飛的速度很快。
1952年
?? MIT 的 Dudley Buck 用鐵電晶體創(chuàng)造了第一個半導(dǎo)體非易失性存儲器。
1955年
?? 貝爾實(shí)驗(yàn)室的 Merz 和 Anderson 創(chuàng)造了單片 256 位 FRAM 鐵電非易失性存儲器，這是第一個單片存儲芯片。
1961年
?? Fairchild 的 CT “Tom” Sah 設(shè)想浮柵 NVM ，并在 MOS 四極晶體管的柵電極上使用電荷存儲。
1965年
?? Dov Frohman-Bentchkowsky 撰寫了伯克利博士論文“Charge Transport and Trapping in MNOS Structures and its Memory Applications”，并構(gòu)建了一個 9 位原型。
1966年
?? 西屋公司的 Edgar A. Sack、Ting L. Chu 等人使用金屬-氮化物-氧化物-硅 (MNOS) 結(jié)構(gòu)作為電荷俘獲元件。
1967年
?? Dawon Kahng 和 Simon Sze 在貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了非易失性存儲器浮動門（Floating Gate ）；本文發(fā)表為“A Floating Gate and Its Application to Memory Devices”（貝爾系統(tǒng)技術(shù)期刊）
?? Westinghouse 的 John R. Szedon 和 Ting L. Chu 在 IEEE 固態(tài)器件研究會議上提出使用電荷陷阱作為非易失性存儲位
1968年
?? Stanford R. Ovshinsky 宣布推出 Ovonic Memory Switch，這是英特爾和美光在 2015 年宣布的 3D XPoint 內(nèi)存的基礎(chǔ)，后來英特爾將其產(chǎn)品化為 Optane。
1970
?? Dov Frohman-Bentchkowsky 在英特爾發(fā)明了可擦除可編程只讀存儲器 (EPROM)；這是在 1971 年 IEEE 固態(tài)器件研究會議 (ISSCC) 上提出的，并于 1971 年 4 月作為“浮柵雪崩注入 MOS (FAMOS：Floating-Gate Avalanche-Injection MOS) 結(jié)構(gòu)中的內(nèi)存行為”發(fā)表。
?? 在與斯坦福 R. Ovshinsky 合作后，英特爾的 Gordon Moore 為電子雜志撰寫了關(guān)于相變存儲器的首次演示的文章，這是英特爾和美光在 2015 年宣布的 3D XPoint 使用的 NVM 技術(shù)，并由英特爾產(chǎn)品化為傲騰。
1972年
?? 東芝的 Iizuka、Masuoka 等人在國際固態(tài)器件和材料會議上推出了第一款具有浮柵電擦除的雙層多晶硅存儲器，即堆疊柵雪崩注入型 MOS (SAMOS：Stacked-Gate Avalanche-Injection Type MOS) 存儲器。
1974年
?? General Instrument 出貨 EAROM，第一個商用 EEPROM。
1975年
?? 日立申請 NAND 型 MROM 專利。
?? Eastman Kodak 公司發(fā)明的便攜式數(shù)碼相機(jī)，可在盒式磁帶上存儲數(shù)字圖像。
1976年
?? Hughes Microelectronics 的 Eli Harari 申請了第一個實(shí)用浮柵 EEPROM 的專利，該 EEPROM 使用薄 SiO2 和 Fowler-Nordheim 隧道（ tunneling ）進(jìn)行編程和擦除。
1977年
?? Eli Harari，出版了“Conduction and Trapping of Electrons in Highly Stressed Thin Films of Thermal SiO2”
?? Fairchild 的 PCY Chen 在 IEEE Transactions on Electron Devices 中介紹了 SONOS 電荷陷阱 NVM 單元。
?? 授予 TI 的 Gerald Rogers 的專利，用于配置為 NAND 陣列的掩模 ROM，以減少芯片面積和成本。
1978年
?? Eli Harari 發(fā)表了“Dielectric Breakdown in Electrically Stressed Thin Films of Thermal SiO2”。
?? Hughes Microelectronics 在 IEEE ISSCC 推出了第一款采用 Fowler Nordheim 浮柵 EEPROM 的 CMOS NOVRAM 256 位芯片（非易失性 SRAM）。
?? George Perlegos 設(shè)計(jì)了Intel 2816，它于 1980 年推出，成為第一個商業(yè)上成功的 EEPROM。
1979
?? IEEE Solid State Circuits 發(fā)表題為“Anelectrical Alterable Non-Volatiles Memory Cell Using Floating Gate Structure”的論文，作者是德州儀器的 Guterman、Rinawi、Chieu、Holvorson 和 McElroy
1980
?? Hughes Microelectronics 推出 3108，第一個采用 Fowler Nordheim 隧道的 CMOS EEPROM 8Kb 芯片
?? 英特爾在 IEEE ISSCC 上推出了 2816，這是一款 16Kb HMOS EEPROM，采用 Fowler-Nordheim 隧道技術(shù)的 FLOTX（浮柵隧道氧化物：floating gate tunnel oxide）結(jié)構(gòu)
?? 富士通申請改進(jìn)日立 1975 MROM 的專利
1981年
?? 英國科學(xué)家和發(fā)明家 Kane Kramer 設(shè)計(jì)了第一臺基于magnetic bubble memory芯片的數(shù)字音頻播放器 (IXI)。
1982年
?? SEEQ Technology 推出了第一款 5213，這是第一款帶有用于系統(tǒng)內(nèi)寫入和擦除的片上電荷泵的 EEPROM，該發(fā)明用于所有閃存設(shè)備。
?? Ramtron 推出第一款商用 FRAM 非易失性存儲器。
1983年
?? Intel 推出 2817A 16Kb EEPROM。
1984年
?? 第一篇描述閃存 EEPROM 的論文由東芝的 Fujio Masuoka 在舊金山舉行的 IEEE 國際電子器件會議 (IEDM) 上發(fā)表。
?? 英特爾開始閃存工藝開發(fā)。
??George Perlegos 創(chuàng)立了 ATMEL（Advanced Technology for Memory and Logic）。
1985年
?? Exel 申請第一個 NOR FLASH 電池的專利
?? NEC 的 Kitamura 申請第一個 MLC (Multi-Level Cell) EPROM 專利
1986年
?? Intel 引入 ECC 和卡上控制器的閃存卡概念
?? 英特爾組建專注于固態(tài)硬盤的部門。
?? RCA 的 R. Stewart 在 IEEE VLSI Symposium 上發(fā)表了第一篇關(guān)于 NAND 配置 UV-EPROM 的論文。
1987年
?? 閃存芯片年收入達(dá)到 1,600,000 美元。
?? 東芝的Fujio Masuoka 發(fā)表了有關(guān)NAND 閃存的IEEE IEDM 論文。
?? Intel 推出 NOR 閃存芯片。
1988年
?? 閃存芯片(flash chip)年收入達(dá)到 6,400,000 美元。
?? 由 Eli Harari 創(chuàng)立的 Sundisk (SanDisk) 開發(fā)新的“System Flash”架構(gòu)，結(jié)合嵌入式控制器、固件和閃存來模擬磁盤存儲，以及第一個 MLC (Multi-Level Cell) 閃存專利的文件。
?? 第一個被英特爾采樣為 1Mb NOR 芯片的閃存。英特爾的設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)由 Richard Pashlet、Stefan Lai、Bruce McCormic 和 Niles Kynett 組成。
?? Intel 和 Psion 設(shè)計(jì)基于閃存的移動 PC。
?? 展示了第一臺基于閃光燈的數(shù)碼相機(jī)富士 DS-1P。
?? 使用150mm晶圓。
1989
?? 閃存芯片年收入達(dá)到 25,600,000 美元。
??SunDisk (SanDisk) 申請描述片上單元管理的“System Flash”專利。
?? M-Systems 由 Dov Moran 和 Aryeh Mergi 創(chuàng)立，并引入了閃存盤概念（閃存 SSD 的前身）。
?? 英特爾提供 512Kb 和 1Mb NOR 閃存。
?? 推出基于 Psion 閃存的 PC。
?? 微軟與英特爾合作推出了 Flash 文件系統(tǒng)。
?? DigiPro 在 Comdex 推出 8MB NOR 閃存盤。
?? Western Digital 和 SunDisk 開創(chuàng)了完全模擬 ATA HDD 的基于 NOR 的 SSD。
?? 個人電腦記憶卡國際協(xié)會（PCMCIA）成立。
?? Silicon Storage Technology (SST)成立，生產(chǎn)兼容CMOS邏輯工藝的NOR SuperFlash。
1990
?? 閃存芯片年收入達(dá)到100,000,000 美元。
?? 索尼推出使用閃存的電子閱讀器。
?? 柯達(dá)展示了基于閃存的相機(jī)原型。
?? PCMCIA 為 ATA PC 卡的外形尺寸和引腳分配設(shè)定了標(biāo)準(zhǔn)，使用 SunDisk “系統(tǒng)閃存”規(guī)范實(shí)現(xiàn)全硬盤兼容性。
?? 英特爾推出 1MB 和 4MB 線性閃存 PCMCIA 卡。
?? Intel 推出2Mb NOR 芯片。
?? SunDisk 推出2Mb NOR 芯片。
?? SunDisk 推出首款 NOR 閃存 SSD：20MB 2.5”，完全兼容 conner 外設(shè) 2.5” ATA HDD。
?? 東芝驗(yàn)證 NAND 閃存芯片操作，并開始 4Mb 和 16Mb NAND 閃存芯片開發(fā)。
1991
?? 閃存芯片年收入達(dá)到 170,000,000 美元。
?? 柯達(dá)出貨 DCS-100，這是第一臺 DCS，售價 13,000 美元。
?? 在 Spring Comdex 上展示的使用閃存卡的 Zenith、Poqet 和 HP 掌上型筆記本電腦。
1992
?? 閃存芯片年收入達(dá)到 295,000,000 美元。
?? 東芝出貨第一批量產(chǎn)的 NAND 閃存芯片 (4Mb)。
?? 信息存儲設(shè)備（ Information Storage Devices）推出基于閃存的錄音機(jī)芯片。
?? AMD 推出其第一款 NOR 產(chǎn)品。
?? 富士通推出其第一款NOR產(chǎn)品。
?? M-Systems 推出TrueFSS，第一款閃存卡FTL；這后來被PCMCIA采納。
?? 英特爾推出第二代FFS2。
?? Intel推出8Mb NOR閃存芯片和4MB-20MB線性閃存卡。
?? Intel 為 BIOS 應(yīng)用引入了帶有扇區(qū)的 1Mb“引導(dǎo)塊”NOR 閃存——首次使用內(nèi)部寫入狀態(tài)機(jī)來管理閃存寫入算法。
?? SunDisk 推出首款用于 SSD 應(yīng)用的串行 9Mb NOR 閃存芯片。
?? PC 開始使用閃存作為 BIOS 存儲
?? 聯(lián)合圖像專家組發(fā)布了 JPEG 標(biāo)準(zhǔn)，使數(shù)碼相機(jī)能夠使用閃存等媒體存儲壓縮照片。
1993
?? 閃存芯片年收入達(dá)到 505,000,000 美元。
?? 東芝推出了 16Mb NAND 閃存芯片，可通過第一款 PCMCIA 卡實(shí)現(xiàn)便攜式存儲。
?? Datalight 推出“Card Trick”閃存管理軟件。
?? Apple 推出基于 NOR 閃存的 Newton PDA。
?? Intel 推出 16Mb 和 32Mb NOR 閃存。
?? Intel 和 Conner Peripherals 推出聯(lián)合開發(fā)的 5MB/10MB ATA 閃存驅(qū)動器。
?? AMD 引入了使用負(fù)柵極擦除的僅 5 伏 NOR。
1994
?? 閃存芯片年收入達(dá)到 864,805,000 美元。
?? SunDisk 推出 CompactFlash 卡。
?? Norris Communications 推出 Flashback，這是第一個用閃存記錄的便攜式數(shù)字語音。
?? 0.5 微米工藝宣布。
?? SunDisk 推出適用于 SSD 應(yīng)用的 18Mb 串行 NOR 閃存芯片。
?? M-Systems 推出基于 NOR 的 DiskOnChip。
1995
?? 閃存芯片年收入達(dá)到 1,860,089,000 美元。
?? 閃存（NOR 和 NAND）收入超過 $1B。
?? 卡西歐推出了QV-11 數(shù)碼相機(jī)，帶閃光燈而不是膠卷或軟盤。
?? 三菱推出DiNOR。
?? SunDisk 更名為 SanDisk。
?? 緊湊型閃存協(xié)會（CFA）成立。
1996
?? 閃存芯片年收入達(dá)到 2,610,603,000 美元。
?? 東芝推出 SmartMedia 存儲卡（也稱為固態(tài)軟盤卡）。
?? 三星開始出貨 NAND 閃存。
?? Kodak DC-25 是第一款配備 CompactFlash 卡的 DSC。
?? Datalight 推出“FlashFX”閃存管理軟件，在單個驅(qū)動程序中支持 NOR 和 NAND。
?? 閃迪推出全球首款MLC（2位/單元）閃存芯片（80Mb）在CF卡中。
?? Palm 推出基于閃存的 PDA。
· 0.35 微米工藝宣布。
?? Lexar Media 從 Cirrus Logic 分拆出來。
?? USB協(xié)會（USBA）成立。
1997
?? 閃存芯片年收入達(dá)到 2,801,678,000 美元。
?? 5億顆閃存芯片出貨。
?? SaeHan Information Systems 推出基于 Flash 的 MPMan MP3 播放器。
?? 閃迪和西門子推出多媒體卡（MMC和MMCplus）
?? 索尼推出記憶棒。
?? 第一款帶有閃存的手機(jī)。
?? M-Systems 推出基于 NAND 的 DiskOnChip。
?? 200mm 晶圓開始生產(chǎn)。
?? SanDisk 開始在其 CompactFlash (CF) 卡中使用 256Mb MLC 閃存芯片
?? Intel 推出2-bit/cell 64Mb MLC StrataFlash 芯片。
?? 閃迪和西門子推出的MultiMediaCard (MMC)。
?? SanDisk 開始從 NOR 過渡到 NAND 閃存。
1998
?? 閃存芯片年收入達(dá)到 2,492,552,000 美元。
?? NOR 收入超過20億美元。
?? 250nm 工藝宣布。
?? SaeHan Information Systems 和被許可方 Eiger 交付了第一款 32MB 的量產(chǎn) MP3 播放器 (MPMan)。
?? Diamond Rio 推出PMP300 MP3 播放器。
?? 由 14 家公司創(chuàng)立的多媒體卡協(xié)會。
?? Apple iMac 推出不帶軟盤但帶 USB 的產(chǎn)品，鼓勵基于 USB 的外部存儲。
?? USB 工具論壇首先發(fā)布了 USB 大容量存儲類規(guī)范（最終于 1999 年）以標(biāo)準(zhǔn)化 USB 存儲。
1999
?? 閃存芯片年收入達(dá)到 4,560,493,000 美元。
?? NOR 收入超過40億美元。
?? 出貨量超過 10 億顆閃存芯片。
?? 東芝和閃迪創(chuàng)建閃存制造合資企業(yè)。
?? 美光發(fā)布NOR產(chǎn)品。
?? Hagiwara Sys-Com 開始發(fā)售 USB Smart Media 閃存卡驅(qū)動器 FlashGate。
?? Dov Moran 是 M-Systems USB 閃存驅(qū)動器專利申請的共同發(fā)明人。
?? Lexar Media 推出 CompactFlash 到 USB JumpSHOT。
?? 松下（松下）、閃迪和東芝推出SD存儲卡。
2000
?? 閃存芯片年收入達(dá)到 10,637,231,000 美元。
?? M-Systems（與IBM 合作）和Trek Technology 推出USB 閃存驅(qū)動器。
?? 英特爾出貨了其one-billionth的閃存單元。
?? 160nm 工藝節(jié)點(diǎn)公布。
?? Panasonic、Sandisk、Toshiba 成立 SD 協(xié)會，以規(guī)范和推廣 Secure Digital 存儲卡（SD Card）。
?? 推出容量為 8MB 至 64MB 的基于 SLC NAND 的 SD 卡。
2001年
?? 閃存芯片年收入達(dá)到 7,594,502,000 美元。
?? NAND 收入超過 10億美元。
?? 東芝和閃迪宣布推出1Gb MLC NAND。
?? 閃迪推出首款NAND“系統(tǒng)閃存”產(chǎn)品。
?? 日立推出AG-AND。
?? 三星開始量產(chǎn)512Mb閃存設(shè)備。
?? Saifun 開發(fā)帶有電荷陷阱閃存器件的NROM，這是Spansion MirrorBit 的基礎(chǔ)。
2002年
?? 閃存芯片年收入達(dá)到 7,766,797,000 美元。
?? Olympus 和 FujiFilm 推出 xD-Picture Card。
?? MMCA（多媒體卡協(xié)會）推出的MMCmobile卡。
?? Sony 和 SanDisk 聯(lián)合推出 Memory Stick PRO 和半尺寸 Memory Stick PRO Duo 卡。
?? M-Systems 推出Mobile DiskOnChip，第一個芯片中的SSD；這被用于諾基亞、摩托羅拉和愛立信的手機(jī)中。
?? AMD 推出了使用基于熱電子注入的電荷陷阱閃存的 MirrorBit。
?? 賽普拉斯推出了可編程片上系統(tǒng) (PSoC)，其中第一個嵌入式 SONOS 使用基于量子力學(xué)隧道的電荷陷阱閃存。
?? 130nm工藝宣布。
2003年
?? 閃存芯片年收入達(dá)到 11,739,282,000 美元。
?? NAND 收入超過50億美元。
?? 閃迪推出miniSD卡。
?? Sony 和 SanDisk 聯(lián)合推出 Memory Stick PRO Micro。
?? Spansion 從 AMD 和富士通分拆出來。
?? 三星在 IEEE IEDM 上介紹了 TaNOS 結(jié)構(gòu)，該技術(shù)后來用于 3D NAND。
2004年
?? 閃存芯片年收入達(dá)到 15,610,575,000 美元。
?? NAND 價格跌破 DRAM 價格。
?? 閃迪和M-Systems推出的U3 U3軟件系統(tǒng)。
?? SanDisk 和摩托羅拉推出 TransFlash 卡，即現(xiàn)在的 microSD 卡。
?? Datalight 推出多線程“FlashFX Pro”管理軟件，支持多媒體NAND 設(shè)備。
?? Spansion 宣布 MirrorBit Quad 4 位 NOR。
?? 90nm 工藝宣布。
?? 海力士與意法半導(dǎo)體成立閃存合資企業(yè)。
?? 海力士推出NAND產(chǎn)品。
?? 英飛凌推出基于Saifun Charge Trap Flash的NAND產(chǎn)品。
?? Panasonic 和 Sanyo 推出第一款基于閃存的攝像機(jī)。
?? SanDisk 推出 Flash Sansa MP3 播放器。
?? 飛思卡爾（后來的 Everspin）推出了第一款商用 MRAM 非易失性存儲器。
?? Hewlett Packard 的 Pankaj Megra 和 Sam Fineberg 在 IEEE 計(jì)算機(jī)協(xié)會的第 18 屆 IPDPS 上發(fā)表了 Persistent Memory 論文。
2005年
?? 閃存芯片年收入達(dá)到 18,568,940,000 美元。
?? NAND GB 出貨量超過 DRAM。
?? Apple 推出了前兩款基于閃存的 iPod，iPod shuffle 和 iPod nano。
?? 微軟推出混合硬盤驅(qū)動器概念。
?? MMCA推出的MMCmicro卡。
?? 70nm 工藝宣布。
?? 美光推出NAND產(chǎn)品。
?? 出貨量超過 30 億顆閃存芯片。
?? NAND 收入超過100億美元。
2006年
?? 閃存芯片年收入達(dá)到 20,076,313,000 美元。
?? 第一屆閃存峰會在圣何塞舉行。
?? 英特爾推出 Robson Cache Memory（現(xiàn)在稱為 Turbo Memory）。
?? 微軟推出ReadyBoost。
?? SanDisk 宣布推出 3 位 TLC NAND 技術(shù)。
?? M-Systems 宣布 4 位 QLC 技術(shù)。
?? SanDisk 發(fā)布 microSDHC 卡。
?? SanDisk 收購Matrix Semiconductor。
?? SanDisk 收購 M-Systems。
?? 三星和希捷展示了第一款混合硬盤驅(qū)動器。
?? IMFT 由 Intel 和 Micron 組成，生產(chǎn) NAND 閃存。
?? STEC 收購 Gnutech。
?? Spansion 推出 ORNAND 閃存。
?? 56nm工藝公布。
?? 300mm晶圓開始生產(chǎn)。
?? 美光收購 Lexar Media。
?? Open NAND Flash Interface (ONFi) V1.0 spec 發(fā)布。
?? Numonyx與三星推出相變NVM
2007年
?? 閃存芯片年收入達(dá)到 22,182,405,000 美元。
?? NAND 收入超過 145億美元。
?? 非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口 (NVMHCI) 工作組由英特爾的 Amber Huffman 擔(dān)任主席。
?? 東芝推出eMMC NAND。
?? IMFT 開始出貨 50nm NAND 閃存。
?? 東芝推出首款基于 MLC SATA 的 SSD。
?? 蘋果推出 iPhone。
?? Fusion-io 發(fā)布基于 640GB ioDrive MLC NAND 的 PCIe X4 板卡。
?? BiTMICRO 推出3.5” SSD，容量為1.6TB（用于軍事應(yīng)用）。
?? Spansion 收購Saifun。
?? 多款筆記本電腦 MLC SSD 推出，存儲容量高達(dá) 128GB。
?? 戴爾推出適用于筆記本電腦型號的 SSD 選項(xiàng)。
?? 推出帶有閃存存儲的低于 200 美元的上網(wǎng)本電腦。
?? Microsoft 推出基于 Flash 的 Zune Player。
?? 希捷宣布混合存儲聯(lián)盟。
?? 希捷推出首款混合 HHD，即 Momentus PSD。
?? MMCA/JEDEC e.MMC規(guī)范發(fā)布
?? 東芝在 IEEE VLSI Symposium 上展示了 3D 閃存 BiCS 存儲器。
2008年
?? 閃存芯片年收入達(dá)到 18,435,970,000 美元。
?? Intel 發(fā)布 NVMHCI 1.0 Spec。
?? SanDisk 引入 ABL 以實(shí)現(xiàn)高速 MLC、TLC 和 X4 NAND。
?? 英特爾和美光宣布的 34nm 工藝。
?? 東芝推出首款基于 512GB MLC SATA 的 SSD。
?? 英特爾和意法半導(dǎo)體分拆Numonyx。
?? IBM 演示了第一個“百萬 IOPS”陣列。
?? EMC 宣布將基于閃存的 SSD ，用于企業(yè) SAN 應(yīng)用。
?? Apple 推出沒有 HDD 選項(xiàng)的，基于 SSD 的 MacBook Air。
?? 美光、三星和 Sun Microsystems 宣布推出高耐用性閃存。
?? Violin Memory 推出了第一個完全基于閃存的存儲設(shè)備。
?? 三星推出150GB 2.5” MLC SSD SATA II 接口。
?? 幾家公司宣布推出容量高達(dá) 256GB 的 MLC 閃存 SSD，用于筆記本應(yīng)用。
?? 美光推出首款串行 NAND 閃存。
?? 蘋果在 3 天內(nèi)售出了 100 萬部基于閃存的 iPhone。
?? MMCA 并入 JEDEC。
?? SNIA 固態(tài)存儲倡議 (SSSI) 成立。
?? HGST 推出首款采用SAS 接口的SSD。
2009
?? 閃存芯片年收入達(dá)到 19,302,693,000 美元。
?? 英特爾和美光推出34nm TLC NAND。
?? 三星推出首款配備 64GB SSD 的全高清攝像機(jī)。
?? 希捷進(jìn)軍SSD市場。
?? SandForce 推出第一款基于壓縮的 SSD 控制器。
?? Virident 和 Schooner 為數(shù)據(jù)中心推出了第一款基于閃存的應(yīng)用設(shè)備。
?? Pillar Data 將 Axiom SAN 轉(zhuǎn)換為 SSD。
?? Pliant 推出首款 SAS SSD。
?? SanDisk 和東芝在 IEEE ISSCC 上展示了 4 位/單元閃存。
?? 西部數(shù)據(jù)收購SiliconSystems，進(jìn)軍SSD業(yè)務(wù)。
?? NVELO 推出首款 PC 閃存緩存軟件“Dataplex”。
?? SanDisk 推出 100 年閃存存儲庫。
?? AgigA 提供支持 NAND 的 DIMM。
2010
?? 閃存芯片年收入達(dá)到 26,734,247,000 美元。
?? 東芝推出基于 16 芯片堆棧的 128GB SD 卡。
?? 英特爾、美光推出25nm TLC和MLC NAND。
?? Numonyx被美光收購。
?? Microchip 收購 SST。
?? 三星電子開始生產(chǎn) 64Gb 3 位 NAND。
?? 三星電子推出采用切換模式 DDR NAND 內(nèi)存的高速 512GB SSD。
?? 希捷宣布推出首款自我管理混合硬盤 Momentus XT，配備 4GB NAND 閃存和 500GB 硬盤存儲。
?? 通用閃存存儲協(xié)會（UFSA）成立。
?? JEDEC 發(fā)布了固態(tài)硬盤的兩個規(guī)范：“SSD 要求和耐用性測試方法”和“SSD 耐用性工作負(fù)載”。
2011
?? 閃存芯片年收入達(dá)到 28,123,615,000 美元。
?? LSI 收購 SandForce。
?? SanDisk 收購 Pliant。
?? IMFT 推出 20nm NAND 閃存。
?? 英特爾宣布推出適用于 PC 的 Smart Response SSD 緩存。
?? 希捷宣布推出第二代 Momentus XT 混合硬盤，配備 8GB NAND 閃存和 750GB 硬盤存儲。
?? 蘋果收購信號處理控制器公司Anobit。
?? Fusion-io 收購了具有虛擬化意識的閃存緩存軟件公司 IO Turbine。
?? NVMHCI 更名為“NVM Express”（NVMe）并成立 NVM Express 工作組；NVMe Rev. 1.0 發(fā)布
?? JEDEC 發(fā)布第一個通用閃存 (UFS) 規(guī)范。
?? SNIA 發(fā)布了兩個固態(tài)存儲性能規(guī)范：企業(yè)和客戶端。
?? JEDEC 發(fā)布串行閃存可發(fā)現(xiàn)參數(shù) (SFDP) 規(guī)范。
?? 英特爾 1988 年由 Richard Pashley、Stefan Lai、Bruce McCormick 和 Niles Kynett 組成的 NOR 閃存設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)獲得了首個 FMS 終身成就獎。
2012
?? 閃存芯片年收入達(dá)到 28,213,759,000 美元。
?? SanDisk 和東芝在 IEEE ISSCC 上宣布采用 128Gb 芯片的 19nm 工藝。
?? 超極本開始配備智能響應(yīng)技術(shù) (SRT) SSD 緩存。
?? 宏力和華邦進(jìn)軍NAND業(yè)務(wù)。
?? 希捷推出 SSHD，一種混合硬盤 (HDD) 閃存與 HDD 配對。
?? Elpida 推出 ReRAM。
?? 美光和英特爾推出采用hi-k 平面單元的20nm 128Gb NAND 芯片。
?? SK hynix 在SK Telecom 收購Hynix Semiconductor 的控股權(quán)后成立。
?? MOSAID 送樣 333GB/s HL-NAND。
?? Adesto 收購了 ATMEL 的 Serial NOR 業(yè)務(wù)。
?? Spansion 推出8Gb NOR 芯片。
?? DensBits Technologies 推出內(nèi)存調(diào)制解調(diào)器。
?? Proximal Data 引入了 AutoCache。
?? SanDisk 收購 FlashSoft。
?? EMC 收購 XtremIO。
?? OCZ 收購 Sanrad。
?? 三星收購 NVELO。
?? 英特爾收購 Nevex 并引入 CacheWorks。
?? LSI 推出了帶有 MegaRAID CacheCade 緩存軟件的 Nytro 閃存。
?? 美光推出 2.5 英寸 PCIe 企業(yè)級 SSD。
?? IBM 收購 Texas Memory Systems。
?? Cypress Semiconductor 收購 Ramtron。
?? 西部數(shù)據(jù)收購HGST。
?? Skyera 推出44TB 閃存陣列。
?? JEDEC 和 ONFi 引入切換模式。
?? SanDisk 創(chuàng)始人 Eli Harari 獲得 FMS 終身成就獎
2013
?? 閃存芯片年收入達(dá)到 29,797,262,000 美元。
?? 三星在 FMS 宣布推出 24 層 3D V-NAND，并在 1TB SSD 中進(jìn)行演示。
?? 11 家公司參加了首屆 NVMe Plugfest。
?? 暗黑破壞神技術(shù)宣布內(nèi)存通道存儲技術(shù)。
?? SMART Storage Systems 將 Diablo Technologies 的設(shè)計(jì)融入 ULLtraDIMM。
?? SNIA NVDIMM SIG 成立；推出了許多基于閃存的 NVDIMM 產(chǎn)品。
?? Western Digital 和 SanDisk 推出使用 iSSD 與硬盤驅(qū)動器結(jié)合的 SSHD。
?? 東芝推出固態(tài)混合硬盤系列。
?? Everspin Technologies 宣布STT MRAM 出貨。
?? 美光等16nm閃存樣品。
?? 閃迪發(fā)布CFast 2.0專業(yè)顯存卡。
?? M.2 PCIe接口形式化。
?? 西部數(shù)據(jù)收購了sTec、Virident、Velobit。
?? SanDisk 收購 SMART Storage Systems。
?? NVMdurance 引入了軟件來延長閃存的耐用性。
?? 美光收購爾必達(dá)。
?? 英特爾推出英特爾高速緩存加速軟件。
?? 東芝率先送樣 8GB 的UFS 設(shè)備。
?? Panasonic 在 MCU 中推出首款商用嵌入式 ReRAM。
?? Adesto 推出 Mavriq CBRAM：第一個商業(yè)獨(dú)立 ReRAM。
?? SNIA 發(fā)布NVM Programming Model V1.0。
?? 原東芝公司的Fujio Masuoka獲得FMS終身成就獎
2014
?? 閃存芯片年收入達(dá)到 30,236,484,000 美元。
?? 三星、閃迪和東芝宣布 3D NAND 生產(chǎn)設(shè)施。
?? 閃迪推出4TB企業(yè)級SSD。
?? SanDisk 宣布推出 128GB microSD 卡，在設(shè)備問世 10 周年之際容量增加了 1000 倍。
?? IBM 宣布使用閃迪 ULLtraDIMM 實(shí)施的暗黑破壞神內(nèi)存通道存儲技術(shù)的 eXFlash DIMM。
?? 三星推出第二代 32 層 3D V-NAND。
?? Spansion 推出具有 333 MB/s HyperBus 的 HyperFlash NOR。
?? 東芝收購OCZ。
?? Everspin 推出并增加 ST-MRAM 的生產(chǎn)。
?? 三星推出 3-bit/cell 3D NAND SSD。
?? Adesto 出貨了one-millionth的 CBRAM。
?? SK海力士收購Violin Memory的PCIe SSD業(yè)務(wù)。
?? 希捷收購 LSI/Avago 存儲業(yè)務(wù)。
?? SanDisk 收購 Fusion-io。
?? HGST 收購 Skyera。
?? 三星收購 Proximal Data。
?? 前貝爾實(shí)驗(yàn)室 Simon Sze 獲得 FMS 終身成就獎
2015
?? 閃存芯片年收入達(dá)到 31,053,183,000 美元。
?? 閃迪推出InfiniFlash存儲系統(tǒng)。
?? 賽普拉斯半導(dǎo)體收購 Spansion。
?? 東芝、三星和閃迪宣布推出 48 層 3D NAND。
?? 英特爾和美光宣布推出 256Gb 3D NAND。
?? 三星推出首款 NVMe m.2 SSD。
?? SanDisk 推出200GB microSDXC UHS-1 卡。
?? Cypress 推出 4MB 串行 FRAM。
?? 英特爾和美光宣布推出 3D XPoint 內(nèi)存。
?? 英特爾宣布推出基于 3D XPoint 的“Optane”DIMM 和 SSD。
?? 美光推出采用 CMOS Under 3D NAND Array (CUA) 的器件。
?? SanDisk 推出200GB microSD 卡。
?? Mellanox 和合作伙伴展示了預(yù)標(biāo)準(zhǔn)的 NVMe over Fabrics (NVMe-oF)。
?? Pure Storage 上市。
?? JEDEC 發(fā)布首個 DDR4 NVDIMM-N 持久內(nèi)存模塊規(guī)范。
?? LightNVM 和 OpenChannel SSD 支持添加到 Linux 內(nèi)核。
?? 閃存峰會 10 周年紀(jì)念 ，曾歷任SanDisk 和 Micron的Bob Norman獲得 FMS 終身成就獎。
2016 年
?? 閃存芯片年收入達(dá)到 33,423,128,000 美元。
?? 所有主要供應(yīng)商都提供 3D NAND 產(chǎn)品。
?? 中國首家NAND閃存實(shí)驗(yàn)室XMC破土動工。
?? 美光推出 768Gb 3D NAND。
?? 西部數(shù)據(jù)收購閃迪。
?? Everspin 發(fā)布 256Mb MRAM 芯片。
?? IBM 將 TLC 應(yīng)用于 PCM。
?? 三星出貨 48 層 3D NAND。
?? NVMe-oF (NVM Express over Fabrics) Rev. 1.0 發(fā)布。
?? 至少有 12 家供應(yīng)商展示了 NVMe-oF 產(chǎn)品。
?? 東芝在 16 芯片堆棧 NAND 中引入了硅通孔 (TSV)。
?? Spin Transfer Technologies 提供功能齊全的 ST-MRAM 樣品。
?? 美光啟動 Xccela 聯(lián)盟。
?? 東芝推出業(yè)界首款NVMe BGA“片上SSD”。
?? 西部數(shù)據(jù)展示了世界上第一塊1TB SDXC卡的原型。
?? Adesto 推出基于 CBRAM 的 Moneta 系列 ReRAM。
?? SFF 委員會成為 SNIA SFF 技術(shù)附屬公司。
?? 三星系統(tǒng) LSI / 半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總裁 Kinam Kim 獲得 FMS 終身成就獎
2017
?? 閃存芯片年收入達(dá)到 49,727,000,000 美元。
?? 閃存市場規(guī)模超過了整個 1990 年半導(dǎo)體市場的規(guī)模。
?? Microchip 出貨了第 750 億個基于 SST SuperFlash 的器件。
?? SK海力士發(fā)布72層3D NAND。
?? 東芝將所有新 SSD 遷移到 64 層 BiCS FLASH TLC。
?? 英特爾提供 Optane (3D XPoint) SSD。
?? 英特爾的“Ruler standard”捐贈給企業(yè)和數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤外形尺寸 (EDSFF) 工作組。
?? HPE 收購 Nimble Storage and Simplivity。
?? 美光推出首款串堆疊 3D NAND。
?? 三星和東芝/WD 宣布推出 96 層 3D NAND。
?? NGD Systems 提供 NVMe 24TB 計(jì)算存儲設(shè)備 (CSD)。
?? Everspin 樣品1Gb STT MRAM 芯片。
?? Global Foundries 推出嵌入式 eMRAM。
?? 西部數(shù)據(jù)開發(fā)基于 64 層 3D NAND 的 TLC。
?? EDEC 和 SNIA 憑借 NVDIMM-N 標(biāo)準(zhǔn)獲得 FMS 獎。
?? ScaleFlux 率先部署生產(chǎn)合格的計(jì)算存儲。
?? Eli Harari（2012 年和 2022 年 FMS 終身成就獎獲得者）入選國家發(fā)明家名人堂。
?? 前英特爾、SEEQ 和 ATMEL 的 George Perlegos 獲得 FMS 終身成就獎。
2018
?? 閃存芯片年收入達(dá)到 56,227,000,000 美元。
?? 賽普拉斯推出 16Mb FRAM。
?? 東芝完成 18B 美元的內(nèi)存業(yè)務(wù)出售。
?? 三星推出高速Z-SSD。
?? 美光使用 QLC 和 1Tb 3D NAND 芯片出貨 Enterprise SSD。
?? Hyperstone 推出具有人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)功能的閃存控制器。
?? 英特爾對 Optane (3D XPoint) DC Persistent Memory 進(jìn)行采樣。
?? 中國“大基金”第二階段的目標(biāo)是超過300億美元的半導(dǎo)體投資。
?? NVMe WG 批準(zhǔn)的 NVMe/TCP 傳輸綁定規(guī)范。
?? SNIA 成立計(jì)算存儲技術(shù)工作組 (TWG)。
?? Gyrfalcon Technology 推出了首次使用臺積電 eMRAM 的 AI 加速器。
?? SNIA 發(fā)布固態(tài)存儲和真實(shí)世界存儲工作負(fù)載的性能規(guī)范。
?? M-Systems 聯(lián)合創(chuàng)始人 Dov Moran 和 Aryeh Mergi 獲得 FMS 終身成就獎。
2019
?? 閃存芯片年收入達(dá)到 41,141,000,000 美元。
?? 所有主要供應(yīng)商都出貨或提供樣品 96 層 NAND；SK 海力士、三星和美光對 128 層 NAND 進(jìn)行送樣。
?? 所有領(lǐng)先的代工廠都生產(chǎn)嵌入式 MRAM (eMRAM)
?? Lightbits Labs 發(fā)布了第一個商業(yè) NVMe/TCP 軟件定義的分解存儲。
?? YMTC 對 32 層“Xtacking”NAND 進(jìn)行送樣。
?? 英特爾提供 Optane (3D XPoint) DIMM。
?? 美光推出業(yè)界首款 QLC 企業(yè)級 SSD。
?? 英特爾提供的 SSD 帶有 Optane (3D XPoint) 和 QLC NAND。
?? Open-Channel SSD 開始過渡到 NVMe Zoned Namespaces (ZNS)。
?? 引入了Computer Express Link (CXL)，并發(fā)布了Spec V1.1。
?? NGD Systems 推出業(yè)界首款基于 ASIC 的可擴(kuò)展計(jì)算存儲 NVMe SSD。
?? Eideticom 推出首款基于 NVMe 的計(jì)算存儲處理器。
?? SNIA發(fā)布Key Value Storage API V1.0，獲得FMS獎。
?? 東芝內(nèi)存成為鎧俠。
?? 群聯(lián)和 AMD 推出首個 PCIe 4.0 x4 NVMe SSD 和主板解決方案。
?? IBM 的 Calline Sanchez 獲得 FMS Superwomen in Flash 獎。
?? 曾任職于英特爾、SEEQ、IDT、ATMEL、SanDisk 和 WD 的 Micron 的 Sanjay Mehrotra 獲得 FMS 終身成就獎。
2020
?? 閃存芯片年收入達(dá)到 50,714,000,000 美元。
?? WDC 出貨 112 層 BiCS 3D NAND 作為 512 Gbit TLC 部件。
?? 鎧俠推出首款512GB密度的汽車UFS。
?? Lightbits Labs 發(fā)布了第一個集群、冗余、橫向擴(kuò)展的 NVMe/TCP 軟件解決方案。
?? 英飛凌收購賽普拉斯半導(dǎo)體。
?? 鎧俠收購 LiteOn。
?? NVMe ZNS 命令集規(guī)范V1.0 發(fā)布。
?? NVMe 計(jì)算存儲任務(wù)組成立。
?? 開放計(jì)算項(xiàng)目 (OCP) 發(fā)布 NVMe Cloud SSD Spec V1.0: first Cloud SSD reqs。規(guī)格。
?? JEDEC 發(fā)布 DDR5 SDRAM 標(biāo)準(zhǔn)和通用閃存（UFS）卡擴(kuò)展 3.0 標(biāo)準(zhǔn)。
?? JEDEC 發(fā)布首個 DDR4 NVDIMM-P 持久內(nèi)存模塊規(guī)范。
?? SNIA 發(fā)布原生 NVMe-oF 和云數(shù)據(jù)管理規(guī)范。接口 (CDMI)。
?? KIXOIA 推出首款 PCIe 4.0 Enterprise NVMe SSD。
?? Dialog Semiconductor 收購 Adesto Technologies。
?? DNA數(shù)據(jù)存儲聯(lián)盟成立。
?? WekaIO 的 Barbara Murphy 獲得 FMS SuperWomen in Flash 獎。
?? John R. Szedon，前西屋公司獲得 FMS 終身成就獎。
2021
?? 閃存芯片年收入達(dá)到 60,481,000,000 美元。
?? NOR 收入超過36億美元。
?? Kioxia 和 WDC 宣布推出 162 層 3D NAND。
?? 三星宣布推出首款在基于 DDR5 的 CXL 上運(yùn)行的基于 DRAM 的內(nèi)存。
?? JEDEC 發(fā)布 XFM（跨界閃存）嵌入式和可移動存儲設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)。
?? SK Hynix 開始收購英特爾的 NAND 和 SSD 業(yè)務(wù)，并命名為 Solidigm。
?? Nvidia 推出 GPUDirect Storage (GDS)，提供直接的 NVMe 到 GPU 數(shù)據(jù)路徑。
?? 鎧俠和三星宣布推出PCIe 5.0 x4 企業(yè)級NVMe SSD。
?? 瑞薩收購Dialog Semiconductor。
?? NVMe 2.0 標(biāo)準(zhǔn)作為一組 9 個規(guī)范發(fā)布：base、3cmd。集、4 個傳輸和管理 I/F。
?? SK海力士開始量產(chǎn)176層“4D”NAND。
2022
?? 閃存芯片年收入達(dá)到 72,577,000,000 美元。
?? NAND Flash 35 周年。
?? 英特爾結(jié)束了他們在 Optane 上的努力。
?? PCI-SIG 發(fā)布 PCIe 6.0 規(guī)范。
?? Universal Chiplet Interconnect Express (UCIe) 1.0 規(guī)范發(fā)布以標(biāo)準(zhǔn)化芯片到芯片互連
?? JEDEC 發(fā)布 HBM3 對高帶寬內(nèi)存 (HBM) DRAM 標(biāo)準(zhǔn)的更新。
?? 美光推出首款 176 層 QLC 3D NAND，并宣布推出 232 層 TLC 3D NAND。
?? SK海力士發(fā)布238層TLC 3D NAND。
?? 長江存儲發(fā)布>200層TLD 3D NAND。
?? Lightbits Labs 推出了第一個集群 NVMe/TCP 軟件定義的公共云存儲解決方案。
?? 西部數(shù)據(jù)的Yan Li 獲得FM SuperWomen in Flash 獎。
?? Yoshishige Kitamura（原 NEC）、Sandisk 創(chuàng)始人 Eli Harari 和 Greg Atwood（原 Inte、Numonyx 和 Micron）獲得 FMS 終身成就獎
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