國家獎項公布：華潤微/士蘭微等集成電路A股企業(yè)上榜

近日，全國科技大會、國家科學技術(shù)獎勵大會、兩院院士大會召開，會上揭曉了2023年度國家科學技術(shù)獎，共評選出250個項目，包括49項國家自然科學獎，62項國家技術(shù)發(fā)明獎，139項國家科技進步獎。

據(jù)悉，在2023國家科學技術(shù)獎全名單中，有不少集成電路領(lǐng)域的企業(yè)上榜，包括華海清科、三安集成、華潤微、士蘭微等多家上市公司亦出現(xiàn)在此次獲獎名單中。

國家技術(shù)發(fā)明獎方面，一等獎由《集成電路化學機械拋光關(guān)鍵技術(shù)與裝備》等項目摘得，二等獎項目包括《CMOS毫米波大規(guī)模集成平板相控陣技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化》、《集成光場3D顯示關(guān)鍵技術(shù)及應用》、《新型顯示器件高分辨率噴印制造技術(shù)與裝備》、《高壓大容量直流開斷半導體器件、關(guān)鍵技術(shù)與系列化直流斷路器》等。

其中，《集成電路化學機械拋光關(guān)鍵技術(shù)與裝備》項目由華海清科股份有限公司和清華大學等共同完成。

化學機械拋光（CMP）是先進集成電路制造前道工序、先進封裝等環(huán)節(jié)必需的關(guān)鍵制程工藝，華海清科以清華大學科技成果轉(zhuǎn)化的CMP技術(shù)成果為基礎(chǔ)，進行CMP裝備產(chǎn)業(yè)化應用的核心技術(shù)研發(fā)，推出國內(nèi)首臺擁有自主知識產(chǎn)權(quán)12英寸CMP裝備，實現(xiàn)了國內(nèi)市場CMP裝備領(lǐng)域的國產(chǎn)替代。

華海清科表示，公司將持續(xù)加大自主研發(fā)力度，推出多款CMP商業(yè)化機型，并依托穩(wěn)定的性能和良好的售后服務(wù)優(yōu)勢，批量進入行業(yè)知名芯片制造企業(yè)，國內(nèi)市場占有率達到較高水平。

圖片來源：拍信網(wǎng)

國家科技進步獎方面，《射頻系統(tǒng)設(shè)計自動化關(guān)鍵技術(shù)與應用》、《高能效超寬帶氮化鎵功率放大器關(guān)鍵技術(shù)及在5G通信產(chǎn)業(yè)化應用》等項目榮獲一等獎。《半導體材料高質(zhì)高效磨粒加工關(guān)鍵技術(shù)與應用》、《面向高性能芯片的高密度互連封裝制造關(guān)鍵技術(shù)及裝備》、《功率MOS與高壓集成芯片關(guān)鍵技術(shù)及應用》、《工業(yè)級高功率光纖激光器關(guān)鍵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化》等項目則獲得二等獎。

其中，《高能效超寬帶氮化鎵功率放大器關(guān)鍵技術(shù)及在5G通信產(chǎn)業(yè)化應用》項目由西安電子科技大學，華為技術(shù)有限公司，中興通訊股份有限公司，中國電子科技集團公司第十三研究所，廈門市三安集成電路有限公司等作為主要完成單位合作完成。

該項目通過各方協(xié)作攻克了5G移動通信****用寬帶、高效、高線性功率放大器核心工藝技術(shù)，形成了自主知識產(chǎn)權(quán)氮化鎵功放芯片制造工藝技術(shù)解決方案，并通過了5G組件和系統(tǒng)的應用驗證，實現(xiàn)了在客戶端的穩(wěn)定批量出貨。

該項目成果即有效地滿足了我國5G****對高性能氮化鎵功放的迫切需求，為我國在新一代移動通信技術(shù)領(lǐng)域的國際領(lǐng)先地位奠定了重要基礎(chǔ)。

《功率MOS與高壓集成芯片關(guān)鍵技術(shù)與應用》項目由電子科技大學，上海華虹宏力半導體制造有限公司，華潤微電子控股有限公司，杭州士蘭微電子股份有限公司等作為主要單位合作完成。

該項目在國家重大重點項目支持下，建立了功率MOS器件電荷平衡新理論，突破了功率高壓MOS集成耐壓瓶頸，創(chuàng)建了三類具有國際先進水平的功率半導體制造量產(chǎn)工藝平臺，為全球200余家企業(yè)提供了芯片制造服務(wù)，有效提升我國功率高端芯片國際競爭力。

《半導體材料高質(zhì)高效磨粒加工關(guān)鍵技術(shù)與應用》項目由鄭州磨料磨具磨削研究所有限公司，華僑大學，青島高測科技股份有限公司，華天科技（西安）有限公司，鄭州大學，北京中電科電子裝備有限公司，河南省力量鉆石股份有限公司等作為主要單位合作完成。

據(jù)“天水發(fā)布”介紹，該項目突破了半導體材料高質(zhì)高效磨粒加工系列關(guān)鍵瓶頸，形成了涵蓋“理論—工具—工藝—裝備”的具有自主知識產(chǎn)權(quán)的技術(shù)創(chuàng)新體系，成果在光伏、集成電路和第三代半導體制造領(lǐng)域得到廣泛應用，在推動我國半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)和超硬材料應用技術(shù)進步方面發(fā)揮了重要的作用。