Hynix 44nm制程2Gb低功耗DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品開發(fā)完成

　　韓國內(nèi)存廠商Hynix日前宣布他們已經(jīng)完成了2Gb密度低功耗DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品的開發(fā)，這款產(chǎn)品將主要面向移動設備，可在智能手機，平板電腦等移動設備上使用，Hynix并稱這種芯片將于今年上半年開始投入量產(chǎn)。

　　這款內(nèi)存芯片產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸率可達1066Mbps，并將以小型封裝(如MCP/POP封裝形式)的形式進行供貨。

　　Hynix宣稱這款芯片產(chǎn)品采用了44nm制程技術制作，工作電壓僅1.2V，位寬為32位的配置條件下，使用這種芯片的內(nèi)存系統(tǒng)帶寬可達4.26GB/s。另外，這種芯片的耗電量也比前代產(chǎn)品下降了50%左右。