2010請(qǐng)帶著希望上路

　　代工——半導(dǎo)體市場(chǎng)晴雨表

　　隨著半導(dǎo)體分工的細(xì)化，F(xiàn)oundry(代工)領(lǐng)域已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中不可缺少的一環(huán)，對(duì)于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的健全帶來正面的影響，其重要性將會(huì)與日俱增，我們就以Foundry的領(lǐng)導(dǎo)者臺(tái)積電(TSMC)的觀點(diǎn)作為本次展望的總結(jié)。

　　臺(tái)積電(中國)有限公司總經(jīng)理陳家湘認(rèn)為，F(xiàn)oundry領(lǐng)域未來的挑戰(zhàn)包括如何繼續(xù)成長以及如何保持獲利，需要積極把握進(jìn)入新的集成電路應(yīng)用市場(chǎng)的機(jī)會(huì)。此外，要能提供更多樣的制程技術(shù)，進(jìn)入其它尚未使用專業(yè)集成電路制造服務(wù)的半導(dǎo)體市場(chǎng)，也就是說，除了CMOS邏輯制程之外，F(xiàn)oundry公司也要能夠提供內(nèi)存、模擬集成電路、高效能邏輯集成電路或影像傳感組件等制程技術(shù)。

　　2010年又將是一個(gè)制程更替的節(jié)點(diǎn)，不過45/40納米仍將是Foundry的主力制程。TSMC (臺(tái)積電)40納米工藝與65納米工藝的最大不同之處，在于40納米工藝運(yùn)用了浸潤式光學(xué)技術(shù)、超低介電系數(shù)材料及應(yīng)力工程，其芯片柵密度(Raw gate density)最多可達(dá)65納米工藝的2.35倍，并能減少漏電及操作功耗。我們將在2010年跳過32納米，直接進(jìn)入28納米工藝，28納米工藝是我們的全世代工藝，并將同時(shí)提供客戶高介電層/金屬柵(High-k Metal Gate)及氮氧化硅(Silicon Oxynitride)兩種材料選擇，與40納米工藝相較，柵密度更高、速度更快、功耗更少。目前TSMC積極投注研發(fā)資源，傾全力發(fā)展28納米及之后更新世代的工藝，來應(yīng)對(duì)客戶對(duì)不同產(chǎn)品的應(yīng)用及效能需求。

　　由于全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇的力道較預(yù)期強(qiáng)勁，預(yù)計(jì)2010年就可超越2008年表現(xiàn)。全球半導(dǎo)體業(yè)產(chǎn)值方面，其2009年的衰退幅度也比原先預(yù)估的要輕微，將由原先預(yù)估的衰退17%調(diào)升至衰退12%。此外，預(yù)計(jì)在2010年至2011年間全球半導(dǎo)體業(yè)產(chǎn)值即可回到2008年的水準(zhǔn)。至于Foundry領(lǐng)域產(chǎn)值，其2009年的年減率則由原本預(yù)估的衰退18%至20%，調(diào)升至衰退14%至15%。