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英飛凌擬改12寸晶圓量產(chǎn)

—— 強化電源戰(zhàn)
作者: 時間:2010-12-28 來源:新電子 收藏

  繼德州儀器(TI)積極導(dǎo)入12寸廠以擴大類比市場占有率后,在電源晶片市場同樣舉足輕重的(Infineon)也已悄悄啟動12寸量產(chǎn)研發(fā)計畫,希望將電源晶片的生產(chǎn)由目前8寸廠升級至12寸廠,以因應(yīng)市場持續(xù)高漲的節(jié)能需求,并鞏固既有市場地位。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/115830.htm

  臺灣副總裁暨執(zhí)行董事詹啟祥指出,超接面MOSFET將是未來功率半導(dǎo)體市場的主流。

  臺灣副總裁暨執(zhí)行董事詹啟祥表示,該公司已在奧地利展開12寸量產(chǎn)研發(fā)工作,主要將用于超接合(SuperJunction)技術(shù)的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)電晶體(MOSFET)等功率半導(dǎo)體元件的生產(chǎn),一旦相關(guān)發(fā)展成熟后,將可移植至馬來西亞的晶圓廠進行量產(chǎn)。

  由于超接面MOSFET可較傳統(tǒng)平面式(Planar)MOSFET在相同尺寸的裸晶(Die)上實現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻與切換損失,進而提升每單位面積的功率密度,因此,在節(jié)能意識抬頭的市場環(huán)境中,重要性與日俱增,產(chǎn)品滲透率也節(jié)節(jié)攀升。

  不過,與平面式MOSFET相比,目前超接面MOSFET產(chǎn)品價格仍偏高,所以英飛凌所推行的12寸晶圓量產(chǎn)計畫,將有助進一步降低超接面MOSFET成本,為該市場的起飛預(yù)先作好準備。詹啟祥分析,盡管目前傳統(tǒng)平面式MOSFET的市場規(guī)模仍占大宗,但未來超接面MOSFET方案將會快速放量成長,兩者將呈現(xiàn)明顯的消長態(tài)勢。

  位于奧地利菲拉赫(Villach)的英飛凌奧地利分公司,是英飛凌極為重要的研發(fā)和制造中心,規(guī)模僅次于德國總部與馬來西亞分公司,專精于應(yīng)用在汽車和工業(yè)暨多重市場的能源效率方案開發(fā),并致力以低轉(zhuǎn)換損失的功率半導(dǎo)體實現(xiàn)系統(tǒng)的微型化和高能效發(fā)展;此外,感測器和非接觸式安全晶片亦是另一研發(fā)重點。

  詹啟祥強調(diào),歷經(jīng)有線與無線事業(yè)部門的切割后,現(xiàn)今的英飛凌已處于最佳的發(fā)展狀態(tài),產(chǎn)品組合也更為聚焦,尤其是功率半導(dǎo)體、絕緣柵雙極電晶體(IGBT)及碳化矽(SiC)蕭特基二極體等方案,更是該公司最自豪的優(yōu)勢,對汽車和工業(yè)暨多重市場的拓展,將是莫大的助益。

  據(jù)了解,,英飛凌于2010年會計年度的研發(fā)費用高達3億9,900萬歐元,占總體營收比重的25%,較2009年會計年度的1億9,500萬歐元(占總營收約22%)大幅攀升。



關(guān)鍵詞: 英飛凌 晶圓

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