日本電子信息領(lǐng)域技術(shù)戰(zhàn)略地圖(二)存儲(chǔ)記憶體子領(lǐng)域
一、日本存儲(chǔ)記憶體技術(shù)戰(zhàn)略地圖制定背景
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/117890.htm日本推出存儲(chǔ)記憶體技術(shù)戰(zhàn)略是基于這樣一種背景之下:一方面隨著INTERNET逐步向高速化發(fā)展,大容量視頻圖像傳輸?shù)男枨笠苍谠黾樱鄳?yīng)的大容量存儲(chǔ)器成為必要設(shè)備。另一方面消費(fèi)電子設(shè)備,如數(shù)碼相機(jī)、媒體播放器、手機(jī)等的多功能化、小型化的發(fā)展趨勢(shì),使得這些設(shè)備所需的存儲(chǔ)記憶體也朝著大容量、低耗電的方向發(fā)展,已出現(xiàn)了能存儲(chǔ)幾十倍容量的服務(wù)器和移動(dòng)設(shè)備。此外電子設(shè)備的瞬時(shí)啟動(dòng)和更長(zhǎng)的工作時(shí)間也是未來(lái)的熱點(diǎn)需求。因此存儲(chǔ)記憶體技術(shù)是高效的信息處理不可欠缺的技術(shù)之一。
日本在存儲(chǔ)體記憶技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)是圍繞大容量、高速化、節(jié)能三方面展開的。這也是這次存儲(chǔ)記憶體技術(shù)戰(zhàn)略的重要思考。目前已有的研究項(xiàng)目如下:
在存儲(chǔ)領(lǐng)域內(nèi),磁性存儲(chǔ)與光學(xué)存儲(chǔ)是重點(diǎn),兩者都已提高存儲(chǔ)密度為目的。在“促進(jìn)高先進(jìn)電子技術(shù)開發(fā)項(xiàng)目”(1996~2001年)中,研發(fā)垂直磁性記錄方式,以提高硬盤存儲(chǔ)密度。“納米光控的開發(fā)”(1998~2002年)中部分研究成果,已經(jīng)應(yīng)用在藍(lán)光光盤系統(tǒng)的開發(fā)中。
在內(nèi)存方面,過(guò)去重點(diǎn)是磁阻內(nèi)存(MRAM)研究,而現(xiàn)在重點(diǎn)是“自旋內(nèi)存”,在“自旋電子學(xué)非易失性性能項(xiàng)目”中,利用電子的自轉(zhuǎn),將全新的原理應(yīng)用到內(nèi)存技術(shù)當(dāng)中,推進(jìn)著自旋內(nèi)存的研發(fā)。
在未來(lái)內(nèi)存技術(shù)方面,重點(diǎn)是納米槽內(nèi)存,對(duì)應(yīng)的項(xiàng)目是從2007年開始的納米電子學(xué)的研發(fā)項(xiàng)目。
在綠色節(jié)能方面,從2008年開始了“綠色I(xiàn)T計(jì)劃”,著手低耗電硬盤等技術(shù)研發(fā)。
二、日本存儲(chǔ)記憶體技術(shù)戰(zhàn)略地圖研究領(lǐng)域
1、存儲(chǔ)記憶體設(shè)備
項(xiàng)目
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研發(fā)技術(shù)
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主要的性能目的
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磁性存儲(chǔ)
(HDD)
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媒介技術(shù)(模式媒介、熱輔助對(duì)應(yīng)媒介)
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大容量、節(jié)能
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記錄頭技術(shù)(熱輔助技術(shù)、微型加工技術(shù))
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大容量、節(jié)能
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再生頭技術(shù)(TMR、CPP-GMR、自旋電子學(xué)應(yīng)用)
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大容量、節(jié)能
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光學(xué)存儲(chǔ)
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高數(shù)據(jù)運(yùn)送加速技術(shù)(并行處理)
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節(jié)能
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比特微型化技術(shù)(超級(jí)鏡片、SIL)
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大容量、節(jié)能
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三維記錄技術(shù)(全息圖、2光子吸收)
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大容量、節(jié)能
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FLASH
(NAND型、NOR型)
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低縱橫比單元(納米點(diǎn)、TANOS)
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大容量
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多值化技術(shù)(低單元間干擾、鐵電體門絕緣膜)
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大容量
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多層化技術(shù)(3D、BiCS)
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大容量
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FeRAM
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新存儲(chǔ)單元構(gòu)成技術(shù)(鏈型、1T型、三維電容)
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大容量
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材料技術(shù)(新鐵電材料)
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大容量
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MRAM
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大容量化技術(shù)(磁感應(yīng)型、自旋注入型、垂直磁化型)
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大容量
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高速讀取技術(shù)(高功率、材料)
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高速化
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寫入技術(shù)(倒自旋注入、磁壁移動(dòng))
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高速化、節(jié)能
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存儲(chǔ)單元構(gòu)成技術(shù)(高速、多層次、多值、交叉點(diǎn)、邏輯回路)
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大容量、高速化
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PRAM
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材料技術(shù)(新型相變材料 )
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大容量、高速化
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多值技術(shù)
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大容量
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3維(3D )
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大容量
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項(xiàng)目
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研發(fā)技術(shù)
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主要的性能目的
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ReRAM
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大容量化技術(shù)
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大容量
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材料技術(shù)
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大容量
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機(jī)構(gòu)解明
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大容量
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PMC-RAM
(原子開關(guān)、納米橋內(nèi)存等)
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重寫數(shù)增加技術(shù)
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節(jié)能
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低耗電技術(shù)
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節(jié)能
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卡片型全息圖內(nèi)存
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波導(dǎo)型(材料、構(gòu)造、記錄方式)
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大容量
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體積記錄型(材料、構(gòu)造、記錄方式)
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大容量
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MEMS探針內(nèi)存
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拓?fù)溆涗浄?/div>
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大容量
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鐵電/鐵磁系統(tǒng)
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大容量
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磁壁移動(dòng)固體內(nèi)存
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自旋電子學(xué)技術(shù)
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大容量
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高集成化技術(shù)
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大容量
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有機(jī)內(nèi)存
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材料技術(shù)
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節(jié)能
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分子內(nèi)存
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大容量技術(shù)、低耗電技術(shù)
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大容量、節(jié)能
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納米管內(nèi)存
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微型處理器技術(shù)
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大容量、高速化
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評(píng)論