IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET登場(chǎng)

        全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 擴(kuò)展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)，為一系列的低功耗應(yīng)用，包括智能手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。

        新款的PQFN2x2器件提供20V、25 V和30 V的選擇，并帶有標(biāo)準(zhǔn)或邏輯水平柵極驅(qū)動(dòng)器。這些器件只需要4mm2的占位空間，采用IR最新的低電壓 N-通道和P-通道硅技術(shù)，從而達(dá)到極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) ，以及等同PQFN3.3x3.3或PQFN5x6封裝的高功率密度。

        IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“IR的新型PQFN2x2器件進(jìn)一步擴(kuò)展IR廣闊的功率 MOSFET系列，也可以滿足我們客戶的需求，進(jìn)一步縮小封裝尺寸，并結(jié)合基準(zhǔn)硅技術(shù)。這些新器件擁有超小尺寸和高密度，非常適合于高度數(shù)字化內(nèi)容相關(guān)的應(yīng)用。”

        這個(gè)PQFN2x2系列包括為負(fù)載開關(guān)的高側(cè)而優(yōu)化的P-通道器件，帶來一個(gè)更簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)解決方案。同時(shí)，新器件的厚度少于1 mm，使它們與現(xiàn)有的表面貼裝技術(shù)兼容，并且擁有行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的占位空間，還符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制指令 (RoHS) 。

        產(chǎn)品現(xiàn)正接受批量訂單。數(shù)據(jù)及MOSFET產(chǎn)品選項(xiàng)工具已刊登于 IR 的網(wǎng)站 www.irf.com。