賽靈思SSI技術為FPGA帶來全新密度、帶寬和功耗優(yōu)勢
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從基本的 ASMBL 架構出發(fā)，賽靈思已經(jīng)推出了實現(xiàn)堆疊硅片集成的三項重大改進(如圖3 所示)。首先，每個芯片 Slice 接收自己的時鐘和配置電路。其次，對走線架構進行了改進，通過對芯片進行表面鈍化處理，實現(xiàn)了 FPGA 邏輯陣列內(nèi)部布線資源的直接連接，繞開了傳統(tǒng)的并行和串行 I/O 電路。第三，對每個芯片 Slice 進行進一步加工，形成微凸塊，以便將芯片連接到硅基片上。與采用傳統(tǒng) I/O 相比，正是這項創(chuàng)新使連接的數(shù)量大幅增加，同時又顯著降低了時延和功耗(與標準 I/O 相比，單位功耗芯片間連接功能提高了 100 倍)。
本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/127574.htm
圖 3：針對硅片堆疊集成進行優(yōu)化的 FPGA 芯片 Slice
硅通孔技術實現(xiàn)硅中介層
無源硅中介層負責 FPGA 芯片的互聯(lián)。它采用風險低、良率高的 65nm 工藝技術制造而成，擁有四個金屬化層，以構建用以連接多 FPGA 芯片的邏輯區(qū)的成千上萬條跡線。(如圖 4 所示)
圖 4：無源硅中介層
圖5是已經(jīng)組裝完成的芯片堆疊的“X 光透視圖”。它在無源硅中介層上并行放置了四個堆疊的FPGA芯片(底視圖)。通過透明顯示，可以觀察到用硅中介層上的走線連接起來的 FPGA 芯片 Slice(未縮放)。
圖5：組裝完成的芯片堆疊的“X光透視圖”
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