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觸控面板制程之化學(xué)二次強(qiáng)化的應(yīng)用與制程問題討論

作者:林彥甫,黃士瑋,余智林,陳毓正,顏錫鴻 時(shí)間:2012-08-16 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  (1)強(qiáng)化玻璃本身材質(zhì)的特性:玻璃材料若強(qiáng)化制程不同或是成份不同,其玻璃抗壓性質(zhì)就會(huì)有所區(qū)別,舉例來說一般鈉鈣玻璃(Asahi Soda Lime Glass)的4pb數(shù)值會(huì)比Corning Gorilla玻璃還要低,這是因?yàn)镃orning Gorilla玻璃為強(qiáng)化玻璃,由EDS分析(如圖10)有發(fā)現(xiàn)鉀離子的成份,而Asahi Soda Lime玻璃沒有鉀離子層份,此Gorilla 玻璃其鉀離子強(qiáng)化層約20~30μm,具有較佳的機(jī)械抗壓力,換言之,若玻璃本身的離子強(qiáng)化層越厚,就具備較佳的抗4pb能力?! ?/p>本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/135797.htm

(參考數(shù)據(jù) : GPTC 化學(xué)二次強(qiáng)化實(shí)驗(yàn)團(tuán)隊(duì)提供)

  (2)玻璃切割與磨邊制程處理的條件:若玻璃切割與磨邊制程不佳,會(huì)產(chǎn)生許多>100μm以上的延伸性裂痕(crack),若要利用化學(xué)二次強(qiáng)化方式修補(bǔ)這樣范圍的延伸性裂痕,則會(huì)產(chǎn)生明顯的玻璃邊緣水波紋,對(duì)于現(xiàn)今OGS產(chǎn)品都走非遮蔽式的模塊結(jié)合制程,水波紋沒有辦法借由模塊框遮蔽,將會(huì)有外觀不良的問題。而選擇較佳的切割方式如調(diào)整切割下刀深度、切割角度,或是采用雷射切割方式,找到較佳的切割方向是必須的。另外,切割后的玻璃段面研磨(精雕)也是影響二次強(qiáng)化的主因之一,選擇較高番數(shù)的砥石去進(jìn)行磨邊,降低延伸性裂痕的程度,將有助于化學(xué)二強(qiáng)的修補(bǔ)效果,但過高番數(shù)的精雕制程耗時(shí)且成本高,亦不具量產(chǎn)性。

  (3)抗酸膜或是抗酸油墨的制程手法與涂布精度:目前化學(xué)二次強(qiáng)化業(yè)界都采用抗HF的薄膜進(jìn)行貼附,在OGS制程流程(如圖11)為在母基板 (sheet)切割為成品(chip)之后,將抗酸膜貼附在chip上,然后將chip裝置在Cassette中入HF蝕刻槽中進(jìn)行玻璃段面微蝕刻制程,因此,抗酸膜貼覆的精度與氣泡是否存在則關(guān)系到HF時(shí)刻的效果,倘若抗酸膜貼覆精度不佳則會(huì)影響OGS玻璃邊緣的外觀,嚴(yán)重者侵蝕到BM邊緣,產(chǎn)品則需進(jìn)行BM補(bǔ)色制程,降低產(chǎn)能。若是氣泡產(chǎn)生則可能侵蝕到OGS上面的金屬線路(metal or ITO pattern),產(chǎn)品無法重工需報(bào)廢處理,若氣泡出現(xiàn)在玻璃段面則會(huì)遮蔽強(qiáng)化的效果造成凸點(diǎn),凸點(diǎn)將使OGS產(chǎn)品產(chǎn)生組裝不良的問題。近期發(fā)展出抗酸油墨制程,其成本低(約1/4的抗酸膜成本),不過技術(shù)上仍然有瓶頸存在,包括印刷精度問題和抗酸能力問題需要作提升?! ?/p>

 

  五. 化學(xué)二次強(qiáng)化制程與問題討論—制程條件部分

  化學(xué)二次強(qiáng)化制程相關(guān)的因素有:(1)HF化學(xué)成分與濃度的監(jiān)控(2)化學(xué)蝕刻制程溫度的管控(3)玻璃砂過濾處理問題( 4)蝕刻槽體較佳流場(chǎng)設(shè)計(jì)與過濾系統(tǒng)整合。

  (1) HF化學(xué)成分與濃度的監(jiān)控:由于化學(xué)二強(qiáng)主要是利用HF微蝕刻玻璃段面因切割產(chǎn)生的延伸性裂痕,使裂痕縮小甚至消失來提升產(chǎn)品的4pb能力,因此在制程中HF濃度會(huì)因?yàn)槲g刻SiO2而逐漸下降,影響到制程蝕刻速率,所以維持一定的HF濃度,穩(wěn)定蝕刻速率是化學(xué)二強(qiáng)的制程重點(diǎn)。依據(jù)化學(xué)方程式說明(如圖12),HF和SiO2反應(yīng)會(huì)生成氟化硅(SiF4),在水中會(huì)水解生成氟化硅和氟酸,氟化硅與氟酸生成氟硅酸(六氟硅酸),六氟硅酸可溶于水純H2SiF6不穩(wěn)定,容易分解生成HF和SiF4。由GPTC二強(qiáng)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)(如圖12)得知H2SiF6的增加會(huì)影響蝕刻速率(Etching Rate;ER)的下降,因此化學(xué)二次強(qiáng)化制程除了定時(shí)監(jiān)控HF濃度外,一般會(huì)在固定時(shí)間或是固定量的投產(chǎn)批次內(nèi),將HF槽內(nèi)的舊酸排放更新,讓蝕刻速率回復(fù)水平。技術(shù)上來說使用氟離子偵測(cè)器或是水阻值計(jì)測(cè)量HF槽內(nèi)的濃度或是水阻值表現(xiàn),可計(jì)算出氟離子的濃度。另外,加入副方化學(xué)成分如HCl、CH3CO2H對(duì)于蝕刻厚的玻璃表面也有不同的修飾效果。



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