晶圓代工/DRAM領(lǐng)軍 半導(dǎo)體大幅成長(zhǎng)
2013年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值將強(qiáng)勁成長(zhǎng)4.5%, 一掃去年下滑2.7%的陰霾。由于今年全球經(jīng)濟(jì)狀況相對(duì)去年穩(wěn)定,且行動(dòng)裝置處理器業(yè)者轉(zhuǎn)換至28nm、20nm先進(jìn)制程的需求持續(xù)涌現(xiàn),加上動(dòng)態(tài)隨 機(jī)記憶體(DRAM)市場(chǎng)供需趨于平衡等正面因素加持,2013年晶圓代工與記憶體產(chǎn)值皆將大幅成長(zhǎng),成為帶動(dòng)整體半導(dǎo)體產(chǎn)值回升的雙引擎。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/144263.htm顧能(Gartner)科技與服務(wù)廠商研究事業(yè)處副總裁王端表示,去年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)因大環(huán)境不佳,年產(chǎn)值跟著衰退2.7%;但是,今年初全球經(jīng)濟(jì)狀況 已呈現(xiàn)逐漸復(fù)蘇跡象,且半導(dǎo)體業(yè)者的庫(kù)存去化動(dòng)作也將于第二季告一段落,可望重啟備貨計(jì)劃,將促進(jìn)晶圓代工產(chǎn)值于第三季爆發(fā)成長(zhǎng),全年則將繳出7.6%年 增率的亮麗成績(jī)單,進(jìn)一步帶動(dòng)整體半導(dǎo)體產(chǎn)值達(dá)到3,121億美元,較去年反彈成長(zhǎng)4.5%。
值此同時(shí),一線晶圓廠正全力擴(kuò)產(chǎn)28nm產(chǎn)能,并加緊研發(fā)20nm以下鰭式電晶體(FinFET)先進(jìn)制程和18寸晶圓制造技術(shù),也將刺激相關(guān)設(shè)備、材料需求高漲,足見今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將顯著回溫。
不僅如此,去年淪為“慘”業(yè)的DRAM,今年一開春價(jià)格便不斷走揚(yáng),也將為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入強(qiáng)心針。王端分析,由于近2年來記憶體制造廠均不再擴(kuò) 產(chǎn),逐漸讓市場(chǎng)供需恢復(fù)平衡,因此DRAM合約價(jià)格也開始回穩(wěn),讓整個(gè)產(chǎn)業(yè)體質(zhì)更健康。現(xiàn)階段,DRAM供應(yīng)量甚至有點(diǎn)趕不上市場(chǎng)需求,價(jià)格走勢(shì)持續(xù)微幅 上漲,預(yù)估今年記憶體業(yè)將擺脫去年負(fù)成長(zhǎng)的窘?jīng)r,產(chǎn)值飆漲12.3%。
展望2014年,王端則強(qiáng)調(diào),隨著20nm以下的FinFET制程開始投產(chǎn),帶動(dòng)晶圓廠新一波擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,以及IC設(shè)計(jì)業(yè)者的產(chǎn)品制程轉(zhuǎn)換潮,更將促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)值再飆升7.7%。其中,晶圓代工產(chǎn)業(yè)漲勢(shì)最強(qiáng),將達(dá)到9.1%的成長(zhǎng)率,優(yōu)于整體表現(xiàn)。
評(píng)論