2013年三星與SK海力士半導(dǎo)體資本支出轉(zhuǎn)趨保守

　　扣除2家IC設(shè)計(jì)業(yè)者，2012年全球前10大半導(dǎo)體廠商依序?yàn)橛⑻貭?Intel)、三星電子(SamsungElectronics)、臺積電、德州儀器(TexasInstruments)、東芝(Toshiba)、瑞薩電子(RenesasElectronics)、SK海力士(SKHynix)及意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)。觀察2012~2013年主要半導(dǎo)體大廠資本支出變化，英特爾與臺積電均將較2012年增加，三星電子、東芝可望持平，SK海力士將較2012年減少，至于采輕晶圓廠策略的瑞薩電子、德州儀器及意法半導(dǎo)體2013年仍將維持在低資本支出水位。

　　2013年英特爾資本支出將較2012年增加18.2%，達(dá)130億美元，除持續(xù)提升22奈米制程占產(chǎn)能比重外，亦將投入18寸晶圓與14、10、7、5奈米等更先進(jìn)制程研發(fā)，以生產(chǎn)效能更佳的處理器。

　　三星電子半導(dǎo)體事業(yè)資本支出自2009年僅32億美元持續(xù)增加至2012年123億美元，已連續(xù)3年成長，然2013年預(yù)估將小幅減少至120億美元，其記憶體事業(yè)投資重點(diǎn)包括持續(xù)提升DRAM28奈米制程占產(chǎn)能比重、續(xù)建大陸西安NANDFlash新廠，及推動NANDFlash朝21、16奈米制程邁進(jìn)，而系統(tǒng)IC事業(yè)則將以擴(kuò)充德州奧斯丁廠產(chǎn)能，及重啟南韓華城廠第17產(chǎn)線興建計(jì)劃為主。

　　2013年臺積電資本支出將自2012年83億美元增加至95億~100億美元，主要將用于布建28、20及16奈米制程產(chǎn)能。日廠東芝2013年資本支出可望持平在20億美元，主要將用于投入NANDFlash1y奈米制程研發(fā)。

　　SK海力士資本支出自2009年僅8億美元持續(xù)增加至2012年35億美元，呈現(xiàn)連續(xù)3年成長態(tài)勢，然2013年預(yù)計(jì)將減少至26億美元。2013年SK海力士不僅將推動其DRAM自35奈米升級至28奈米制程，NANDFlash自27奈米升級21奈米制程，更計(jì)劃于其晶圓代工產(chǎn)線切入更高階晶片生產(chǎn)。

　　另外，韓廠三星與SK海力士雖2013年半導(dǎo)體事業(yè)資本支出均將較2012年減少，主要用于先進(jìn)制程產(chǎn)能的布建，但對于透過購并公司以布局半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)的態(tài)度將更加積極，此透露出南韓半導(dǎo)體廠商漸不局限于僅投資在設(shè)備或廠房，更重視半導(dǎo)體元件技術(shù)布局的完整性。