明年ARM處理器主頻將達到3Ghz

　　目前市面上絕大部分平板和智能手機都采用了ARM芯片，而這種處理器也隨著臺積電(TSMC)、格羅方德(GlobalFoundries)等的工藝進步 以及人們對性能的追求預計在時鐘頻率方面會達到3Ghz。預計明年，臺積電和格羅方德都會開始向市場推3Ghz主頻的芯片，實際面向手機生產(chǎn)商的產(chǎn)品則在高通驍龍系列芯片中得以實施。

　　目前ARM架構(gòu)的芯片中，主頻最高的是高通的Krait 400結(jié)構(gòu)，也就是高通驍龍800處理器，達到了2.3Ghz。Krait 400實際上是高通自行設計的芯片結(jié)構(gòu)，部分借鑒了ARM Cortex-A15架構(gòu)。后者目前在市場上的成品主要有英偉達的Tegra 4和三星Exynos 5。

　　為將主頻提升至3Ghz，臺積電和格羅方德?lián)Q將會采用更先進的工藝，由現(xiàn)在的28nm降至20nm。新工藝不僅能讓芯片性能表現(xiàn)更佳，而且還能帶來更高的效率，每核所耗電量也會控制在合理的范圍內(nèi)。

　　這次ARM芯片速度的提升也將幫助ARM陣營對戰(zhàn)Intel Atom的Bay Trail處理器。Bay Trail微架構(gòu)芯片預計將在未來的不少平板上得以施展拳腳，尤其是Windows 8.1便攜設備。Intel近兩年在低功耗芯片的研發(fā)上也取得了相當不錯的成績，并且性能也表現(xiàn)不凡，ARM需要有所突破勢必得做得更出色。